大家好，正、异、新，正异新的区分来看一(yī)则(zé)突(tū)发消(xiāo)息。

　　美光公司在华销(xiāo)售(shòu)的产(chǎn)品未通过网络安全(quán)审查

　　据网信办(bàn)消息，日前，网(wǎng)络安全审查办公室(shì)依法对美光(guāng)公司在华(huá)销售(shòu)产品进行了网(wǎng)络安(ān)全审查。

　　审查发现(xiàn)，美光(guāng)公司产品存在较严重网络(luò)安全问(wèn)题隐患(huàn)，对我国关键信息(xī)基础设施(shī)供应链造成重(zhòng)大安全风(fēng)险，影响我国国家(jiā)安全(quán)。为此，网络安全审查办公(gōng)室依法作出不予通(tōng)过网络安全审查的结论。按照(zhào)《网络安全(quán)法》等法(fǎ)律法规，我国内关键信息基础设施的运营者应停止采购美光公司产(chǎn)品。

　　此次对美光公司产品进行网(wǎng)络(luò)安全审查，目的(de)是(shì)防范产品网络安全问(wèn)题(tí)危害(hài)国家(jiā)关(guān)键(jiàn)信(xìn)息基础(chǔ)设施安全(quán)，是维护国(guó)家安(ān)全的必要措施(shī)。中(zhōng)国坚定推进(jìn)高(gāo)水平对外开放，只要遵守中国法律法(fǎ)规(guī)要(yào)求(qiú)，欢迎各(gè)国企业、各类平台产品服务进入中国市场。

　　3月31日，中国(guó)网(wǎng)信网发(fā)文称，为保障关键信息基础设施供应链安(ān)全(quán)，防范(fàn)产品问题隐(yǐn)患造成(chéng)网络安全风(fēng)险(xiǎn)，维护国家安全，依(yī)据《中华(huá)人民共(gòng)和(hé)国(guó)国家(jiā)安全(quán)法》《中华人民共和国网(wǎng)络安全(quán)法》，网络(luò)安全审(shěn)查办公室按(àn)照《网络安全审查(chá)办(bàn)法》，对(duì)美(měi)光公司（Micron）在华销售(shòu)的产品实施(shī)网络(luò)安全审查。

　　美光是美(měi)国的(de)存储(chǔ)芯片行业(yè)龙头，也是(shì)全(quán)球存(cún)储芯片巨头之(zhī)一，2022年收入来自中国市场收入从此(cǐ)前高峰57％降(jiàng)至(zhì)2022年约(yuē)11％。根据市(shì)场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计(jì)，2021 年三(sān)星电(diàn)子、 铠侠(xiá)、西(xī)部数据、SK 海力士、美光(guāng)、Solidigm 在(zài)全球(qiú) NAND Flash （闪存）市(shì)场份额约(yuē)为(wèi) 96.76％，三星电子、 SK 海力士(shì)、美光在(zài)全球 DRAM （内(nèi)存）市场份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股上市公司(sī)中，江波龙、佰维存储等公(gōng)司披露(lù)过美光等国际存储厂商为公司(sī)供(gōng)应商。

　　美光在江波龙采(cǎi)购(gòu)占(zhàn)比已经(jīng)显著下降，至(zhì)少已经不是主要大供应商(shāng)。

　　公告显示， 2021年美光位列江波龙第一大存储(chǔ)晶圆供应商，采购(gòu)约31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第一大、第(dì)二大和第三(sān)大供应(yīng)商采购金额占比分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经(jīng)在存储产业链上(shàng)下游建立国内外广(guǎng)泛(fàn)合(hé)作。2022年年报显示，江波龙与三(sān)星、美(měi)光、正、异、新，正异新的区分西(xī)部数据等主(zhǔ)要存储晶圆原厂(chǎng)签署了(le)长期合约，确保(bǎo)存储(chǔ)晶(jīng)圆供应的稳定性(xìng)，巩(gǒng)固公(gōng)司在下游市(shì)场(chǎng)的供应优势，公司也与国内国产(chǎn)存(cún)储晶圆原厂(chǎng)武汉长江存储(chǔ)、合肥长鑫保(bǎo)持良好的合作。

　　有券(quàn)商此前就(jiù)分析，如果(guǒ)美光(guāng)在中国区销售(shòu)受到限制(zhì)，或(huò)将导致下游(yóu)客(kè)户转(zhuǎn)而采购(gòu)国外三星(xīng)、 SK海力士，国内长江存储、长鑫存(cún)储等竞对产品(pǐn)

　　分析称，长存、长鑫(xīn)的上游设备(bèi)厂或从中受益。存(cún)储器的生(shēng)产已经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结(jié)构转变使(shǐ)刻蚀和薄膜成为最关键、最(zuì)大量(liàng)的加工设备。3D NAND每层均(jūn)需要经过薄膜沉(chén)积工(gōng)艺步骤，同时刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深(shēn)孔，未来可能会更深的(de)孔或者沟槽，催生更多设备需求。据(jù)东京(jīng)电子披(pī)露，薄膜沉积(jī)设备及(jí)刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为75％。自长江存(cún)储被加入(rù)美(měi)国限(xiàn)制(zhì)名单(dān)，设备国(guó)产化进程(chéng)加速(sù)，看好拓荆科技（薄(báo)膜沉积）等相关公司份额提升(shēng)，以及存储业务占比较高的(de)华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长。

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