大家好，来看一则突(tū)发消息(xī)。

　　美光公司在华销(xiāo)售的产(chǎn)品未通过网络安全审查

　　据网信办消息，日前，网络安(ān)全审查办公室依法对美(měi)光公(gōng)司(sī)在华销售产品进行(xíng)了网(wǎng)络安(ān)全审查。

　　审查发现，美光(guāng)公司产品存(cún)在(zài)较(jiào)严(yán)重网络安全(quán)问题隐患，对我国关键信息(xī)基础(chǔ)设施供应链造成重大安全风险，影响我国国家安全。为此(cǐ)，网(wǎng)络安全审查(chá)办公(gōng)室依法(fǎ)作(zuò)出(chū)不予通(tōng)过网络安全审查的结论(lùn)。按照《网络安全法(fǎ)》等法(fǎ)律(lǜ)法规，我(wǒ)国(guó)内(nèi)关键信(xìn)息基础(chǔ)设施(shī)的运营者应停止采(cǎi)购美光公司产品(pǐn)。

　　此次对美光(guāng)公司(sī)产(chǎn)品进(jìn)行(xíng)网络安全审查，目的是防范产品网络安全问题(tí)危害国家关键信息基础设施安(ān)全(quán)，是维(wéi)护国家安全的必要措施。中国坚定推进高水平对外(wài)开放(fàng)，只(zhǐ)要(yào)遵守中国法律法规要求，欢(再续前缘的意思是什么，再续前缘的意思可以形容好朋友吗huān)迎各国企(qǐ)业、各类平台产品服务进(jìn)入中国(guó)市场。

　　3月31日，中国网信网发(fā)文(wén)称，为(wèi)保(bǎo)障关键信息基础设施供应链安全(quán)，防范(fàn)产品问题隐患造成网络安全风险，维护(hù)国家安全(quán)，依据《中华(huá)人民共和国(guó)国(guó)家安全(quán)法》《中(zhōng)华人民共和国网络安(ān)全法(fǎ)》，网络安全(quán)审查办(bàn)公室按照《网络安(ān)全(quán)审(shěn)查(chá)办法》，对美光公司（Micron）在(zài)华销售的产品实施网络安全审查(chá)。

　　美光是(shì)美(měi)国的存(cún)储芯(xīn)片行业龙头(tóu)，也是全球存储芯片巨头之一，2022年收入来(lái)自中国市(shì)场收入(rù)从(cóng)此前(qián)高峰57％降至(zhì)2022年约11％。根据市场咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠(kǎi)侠、西部(bù)数(shù)据(jù)、SK 海力(lì)士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士(shì)、美光在全球 DRAM （内存(cún)）市场(chǎng)份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公司中，江(jiāng)波龙、佰维(wéi)存储(chǔ)等公司披(pī)露过(guò)美光等国际存储厂(chǎng)商为公司供应商。

　　美光在江(j再续前缘的意思是什么，再续前缘的意思可以形容好朋友吗iāng)波龙(lóng)采购占比已(yǐ)经显(xiǎn)著(zhù)下降，至少已经不是主(zhǔ)要大供(gōng)应商。

　　公告显示， 2021年(nián)美光位列(liè)江波龙(lóng)第一(yī)大(dà)存储晶圆供应商，采购约31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波龙第一(yī)大(dà)、第二大和第三大供应商采购(gòu)金(jīn)额占比分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波龙已经在(zài)存储产业链上下游建立国内外广(guǎng)泛合作。2022年年报显示，江(jiāng)波龙与(yǔ)三星、美光、西部数据等主(zhǔ)要存储晶圆原厂签署了长期合约，确保存储晶圆供应的稳定性，巩(gǒng)固公司在下游市场的供(gōng)应(yīng)优势，公司(sī)也与(yǔ)国内国产存(cún)储晶(jīng)圆原厂武汉长江存(cún)储、合肥长鑫保持良好(hǎo)的(de)合作。

　　有(yǒu)券商(shāng)此前就分析，如果美光在中国区销售受到限制，或将导致下游客户转(zhuǎn)而采购国外三(sān)星、 SK海力士，国内(nèi)长(zhǎng)江存储、长鑫存储(chǔ)等竞(jìng)对产品

　　分析称，长存、长(zhǎng)鑫的上游设备厂(chǎng)或从中(zhōng)受益(yì)。存(cún)储器的生(shēng)产已经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺(yì)。另外NAND Flash现在已经进入(rù)3D NAND时(shí)代，2 维到3维的结构转变使刻蚀(shí)和薄膜成为最关(guān)键、最大量的加工设(shè)备。3D NAND每层均需要经(jīng)过薄膜沉(chén)积(jī)工艺步骤，同时刻蚀目前前沿要刻(kè)到 60：1的深(shēn)孔，未来可能会更深的孔(kǒng)或(huò)者沟槽，催生更多设备需求。据东京电子披露，薄膜沉积设备(bèi)及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计(jì)为(wèi)75％。自长江(jiāng)存储被加入美国限(xiàn)制名单(dān)，设(shè)备国产化(huà)进程加(jiā)速(sù)，看好拓荆(jīng)科技(jì)（薄膜沉积）等相关公司份额提升，以(yǐ)及存储业(yè)务占(zhàn)比较高的(de)华海清科（CMP）、盛(shèng)美上海（清洗）等(děng)收入增长。

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