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　　美光(guāng)公司在(zài)华销售的(de)产(chǎn)品未通(tōng)过网络安全审查

　　据网信(xìn)办消息，日前，网络安全审查办公(gōng)室依法对美光公司在华销售产品(pǐn)进行了网络安全审查。

　　审查发(fā)现，美光公司(sī)产品(pǐn)存在较严重网络(luò)安全问题隐患，对(duì)我国关(guān)键信息(xī)基础设(shè)施(shī)供应(yīng)链(liàn)造成重大安(ān)全(quán)风险(xiǎn)，影响我国国家安全。为此，网(wǎng)络安全审查办公室依(yī)法作出不予通过网(wǎng)络安全审(shěn)查的结(jié)论。按照《网络安全法(fǎ)》等法律法(fǎ)规(guī)，我(wǒ)国内关键信息基础设施(shī)的运营者(zhě)应停(tíng)止(zhǐ)采购美(měi)光(guāng)公司产品。

　　此次对美(měi)光公司产品进行网络安全审查，目的是防范(fàn)产品(pǐn)网络(luò)安全问题危害国家关键信息(xī)基(jī)础设(shè)施安全，是维护国家安全(quán)的必要措施。中国坚定推进(jìn)高(gāo)水平对外开放，只要遵守中国法律法规要求(qiú)，欢迎(yíng)各国企业、各类平(píng)台产品服务(wù)进入中国市场。

　　3月31日，中国网信网发文称，为保障关键信息基础(chǔ)设施供应链安全，防(fáng)范产品问(wèn)题隐(yǐn)患造成网络安全风险，维护国家安全，依据《中华人民共和国国(guó)家安全法》《中华人民共(gòng)和(hé)国网络安全法(fǎ)》，网(wǎng)络(luò)安(ān)全(quán)审查办公室按照《网络安全审查办法》，对美光公司（Micron）在华(huá)销售(shòu)的(de)产品实施网络安(ān)全审查(chá)。

　　美光是美(měi)国的(de)存储芯片行业龙头(tóu)，也是全球存(cún)储芯片巨头之一(yī)，2022年收(shōu)入(rù)来自中国市(shì)场收(shōu)入从此前高峰57％降至(zhì)2022年(nián)约11％。根据市场咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在朝鲜领土面积多大相当于中国哪个省，朝鲜领土面积多大？相当于中国哪个省的面积全球 NAND Flash （闪(shǎn)存(cún)）市场份额约为 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海力(lì)士(shì)、美光(guāng)在全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司(sī)中，江波龙、佰维存储等公司(sī)披露过美光等(děng)国际存储(chǔ)厂(chǎng)商为公司(sī)供(gōng)应商。

　　美光在江波龙(lóng)采(cǎi)购(gòu)占比(bǐ)已经显著下降，至少(shǎo)已经不(bù)是主要大供应商。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年美(měi)光位列(liè)江波龙第(dì)一(yī)大存储晶圆供(gōng)应(yīng)商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一(yī)大、第(dì)二大和第三大供应商采购金额占比(bǐ)分别是(shì)26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙(lóng)已经在(zài)存储(chǔ)产业链上(shàng)下游建立国内外广(guǎng)泛合作。2022年(nián)年报(bào)显示(shì)，江(jiāng)波龙(lóng)与三星、美(měi)光(guāng)、西部(bù)数据等主要(yào)存储晶圆原厂(chǎng)签署了长期合约，确保存(cún)储晶圆供(gōng)应的稳定性，巩固公司在下(xià)游市场的供应优势(shì)，公司(sī)也(yě)与国内国产存储晶圆原(yuán)厂武(wǔ)汉(hàn)长江(jiāng)存储、合肥长(zhǎng)鑫保持良(liáng)好的(de)合作。

　　有券商此前就分(fēn)析，如果美(měi)光在中国(guó)区(qū)销售受到限制，或将导致下(xià)游客户转而采购国外(wài)三星(xīng)、 SK海力士，国内长江存储(chǔ)、长鑫存(cún)储等竞对产(chǎn)品(pǐn)

　　分析称，长存、长鑫(xīn)的上游设(shè)备(bèi)厂或从(cóng)中受益(yì)。存储器(qì)的(de)生产(chǎn)已经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺。另外(wài)NAND Flash现在已经(jīng)进(jìn)入(rù)3D NAND时代，2 维到(dào)3维的结构转变(biàn)使(shǐ)刻蚀和薄膜成为最关(guān)键、最大量(liàng)的加工(gōng)设备。3D NAND每(měi)层均需要经过(guò)薄膜沉积(jī)工艺步骤(zhòu)，同时刻蚀目前前沿要刻到 60：1的(de)深孔(kǒng)，未(wèi)来(lái)可能会更深的(de)孔或者(zhě)沟槽，催生(shēng)更多设(shè)备(bèi)需求。据东京电子披露，薄膜沉积设(shè)备(bèi)及刻蚀占(zhàn)3D NAND产线资本开支合计为75％。自长江存储被加入美国限制名单，设(shè)备国产(chǎn)化进(jìn)程(chéng)加速(sù)，看(kàn)好拓荆科技（薄膜沉积）等相(xiāng)关公司份额(é)提升(shēng)，以及(jí)存储业(yè)务占(zhàn)比较高的华海清科（CMP）、盛(shèng)美上海（清洗）等收(shōu)入增长(zhǎng)。

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