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　　美(měi)光(guāng)公司在华销售的(de)产品未通过(guò)网络安全审查

　　据网信办消息，日前，网络安全审(shěn)查办公(gōng)室(shì)依(yī)法对美光(guāng)公司在华销售产(chǎn)品进(jìn)行了网络(luò)安全审查。

　　审(shěn)查(chá)发现(xiàn)，美光公司产品存在较严重网(wǎng)络安(ān)全(quán)问(wèn)题隐患，对我国关键信息基础(chǔ)设施供应链造成重(zhòng)大(dà)安全风(fēng)险，影响我国国家安全。为此，网(wǎng)络安全(quán)审查办公室依法作出不予(yǔ)通过网(wǎng)络安全审查的结论。按照《网(wǎng)络安全(quán)法》等法律法规(guī)，我国内(nèi)关键信息基(jī)础设施的运营者应(yīng)停止采(cǎi)购(gòu)美光公司(sī)产(chǎn)品。

　　此(cǐ)次(cì)对美光公(gōng)司产品进行网络安全审查，目的是防范产品网络安全(quán)问题危害(hài)国(guó)家关键信息基础设施安(ān)全，是维护国(guó)家安全的必要措施(shī)。中国坚定推进高水平对外开放，只要(yào)遵守中国(guó)法(fǎ)律法(fǎ)规(guī)要(yào)求，欢迎各国企业、各类(lèi)平台产品服务进入中国市场(chǎng)。

　　3月31日，中国网(wǎng)信(xìn)网发(fā)文(wén)称(chēng)，为(wèi)保障关键信息基(jī)础设施(shī)供应链安全，防范产品问题隐(yǐn)患造成网络安全风险，维护国家安(ān)全，依据《中华人民共(gòng)和国国家安(ān)全法(fǎ)》《中华人民共和国网络安全(quán)法》，网络安全(quán)审查(chá)办公室按照《网络安全审查办法》，对美光公司（Micron）在华销售的产品实施(shī)网(wǎng)络安(ān)全审查。

　　美(měi)光是美国(guó)的存(cún)储(chǔ)芯(xīn)片行业龙(lóng)头(tóu)，也(yě)是全球存(cún)储芯片巨头之(zhī)一，2022年收(shōu)入来自中(zhōng)国市场(chǎng)收入从此前高峰57％降至2022年约11％。根据市(shì)场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星电(diàn)子、 铠(kǎi)侠、西部数据、SK 海力士(shì)、美(měi)光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存）市场份(fèn)额约为 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海力士、美(měi)光(guāng)在全球 DRAM （内(nèi)存）市场(chǎng)份额约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公(gōng)司(sī)中，江(jiāng)波龙、佰(bǎi)维存储等公(gōng)司披露过(guò)美(měi)光等国际存(cún)储厂商为公司供(gōng)应(yīng)商。

　　美光(guāng)在江波龙(lóng)采购占比(bǐ)已经显著下降，至少(shǎo)已经不是主要大(dà)供应商。

　　公告显示(shì)， 2021年(nián)美(měi)光位(wèi)列江波龙第一大存储(chǔ)晶圆供应商，采购(gòu)约31亿(yì)元，占(zhàn)比(bǐ)33.52％；2022年(nián)，江波(bō)龙第一大、第二(èr)大和第(dì)三大供应商(shāng)采购金额占比分(fēn)别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波(bō)龙已经在存储(chǔ)产业链上下游建立国(guó)内(nèi)外广泛(fàn左眉毛有一根特别长是什么意思？)合作。2022年年报显示(shì)，江波龙与三(sān)星(xīng)、美光、西部数据等主要存(cún)储晶圆原(yuán)厂签署了长(zhǎng)期合约(yuē)，确(què)保存储晶圆供应的稳定性，巩固公(gōng)司在下游市场的供(gōng)应(yīng)优势，公司也(yě)与国(guó)内(nèi)国(guó)产存储晶圆原厂(chǎng)武(wǔ)汉长江存(cún)储、合(hé)肥长鑫保持良好(hǎo)的合作。

　　有券商(shāng)此前就(jiù)分析，如果美光在中国区(qū)销售(shòu)受(shòu)到限制，或将导致下(xià)游客户转而采购国外三星、 SK海(hǎi)力士(shì)，国内长江存(cún)储(chǔ)、长鑫存储(chǔ)等竞对产品

　　分析(xī)称(chēng)，长存、长鑫的上游设备(bèi)厂或从(cóng)中受(shòu)益。存储器的生产已经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在已(yǐ)经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变(biàn)使刻(kè)蚀和(hé)薄膜成为最(zuì)关(guān)键、最大(dà)量的加工设备。3D NAND每(měi)层均需要经过薄(báo)膜沉积工艺(yì)步(bù)骤(zhòu)，同时刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深孔，未来可能(néng)会更(gèng)深的孔或(huò)者沟槽，催生更(gèng)多设备需(xū)求。据东京电子披露，薄膜沉积设备及刻蚀(shí)占3D NAND产线资(zī)本开支(zhī)合计为75％。自(zì)长(zhǎng)江存储被加入美国限制名单，设备国产化进程加速，看好拓荆科技（薄膜沉积）等相关(guān)公司份(fèn)额(é)提升，以及存储业务占比较高的华(huá)海清科(kē)（CMP）、盛美上(shàng)海（清洗(xǐ)）等(děng)收(shōu)入(rù)增长。

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