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　　美(měi)光(guāng)公司在华销售的(de)产品未通(tōng)过网络安全审查

　　据网信办消(xiāo)息，日前，网络(luò)安全审查(chá)办公(gōng)室依(yī)法对美光公司(sī)在华销售产品(pǐn)进行了网(wǎng)络安(ān)全审查。

　　审查(chá)发现，美光公(gōng)司(sī)产品存在(zài)较严重网络安(ān)全问题(tí)隐患(huàn)，对我国关键信息(xī)基础设施(shī)供(gōng)应链(liàn)造成重大(dà)安全风险(xiǎn)，影(yǐng)响我国国家安全。为此，网(wǎng)络安全(quán)审查办(bàn)公室依法作出不予通过网络安全审查(chá)的结论。按照《网络安全(quán)法》等法律法(fǎ)规，我国内关键(jiàn)信息基础设施的运营者应(yīng)停止采购美(měi)光公司产品。

　　此(cǐ)次对美光公司产品进(jìn)行网络安全(quán)审(shěn)查，目的是(shì)防(fáng)范(fàn)产品网络安全(quán)问题(tí)危害国家关键信息基础设(shè)施(shī)安全，是(shì)维护(hù)国家安全的(de)必要措(cuò)施。中国坚定推进高水平对外开放，只要遵守(shǒu)中(zhōng)国(guó)法律法规要求，欢迎(yíng)各国(guó)企业、各(gè)类(lèi)平台(tái)产品服务进入中国市场。

　　3月31日，中国(guó)网信网发文称，为保障关键(jiàn)信息基础设施供应链安(ān)全，防范产品问题隐患造成网络安全(quán)风险(xiǎn)，维护国家安全，依据《中华人民共和国(guó)国家安全法》《中华(huá)人(rén)民共和国网(wǎng)络安(ān)全法》，网络安全审查(chá)办公室按(àn)照(zhào)《网络(luò)安全审查办法》，对美光公司(sī)（Micron）在华销售的产品实施网络安全审(shěn)查。一个男人出轨了还爱自己的老婆吗p>

　　美光(guāng)是美国的存(cún)储芯片行(xíng)业龙头(tóu)，也是全球存储芯片巨头之一，2022年收入来自(zì)中国(guó)市场收入从此前高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计(jì)，2021 年三星电(diàn)子、 铠侠、西部数据、SK 海力士(shì)、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市(shì)场份(fèn)额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力(lì)士、美光在(zài)全球 DRAM （内存）市场(chǎng)份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司(sī)中，江波龙、佰维一个男人出轨了还爱自己的老婆吗存储等公司披露过(guò)美光等国际存储厂商为公司(sī)供(gōng)应商。

　　美光在(zài)江波龙采(cǎi)购(gòu)占比已经(jīng)显著下降，至(zhì)少(shǎo)已经(jīng)不是(shì)主要大供应(yīng)商。

　　公告(gào)显示， 2021年美光位列江波龙第(dì)一大存储(chǔ)晶圆(yuán)供(gōng)应商，采购约31亿元(yuán)，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和第三大供应商(shāng)采(cǎi)购金额占比(bǐ)分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波(bō)龙已经在存储产业(yè)链上下游建(jiàn)立国内外广泛(fàn)合作。2022年(nián)年报显示，江波龙与(yǔ)三星、美光、西部数(shù)据(jù)等主要存储晶圆原厂(chǎng)签(qiān)署了长期合(hé)约(yuē)，确保存储(chǔ)晶圆供(gōng)应的(de)稳定性，巩(gǒng)固公司在下游市场的供应优势，公司也与国内国产存(cún)储晶圆原厂(chǎng)武汉长江(jiāng)存储、合肥长鑫保持良好的合作(zuò)。

　　有券商(shāng)此前就分析，如果(guǒ)美光在(zài)中国区(qū)销售受到限制，或将导致下(xià)游客(kè)户转而采购国外三星、 SK海力(lì)士，国(guó)内长江存储、长鑫存储等竞对(duì)产品

　　分析(xī)称，长(zhǎng)存、长鑫的上游设备厂(chǎng)或从中受益。存(cún)储器的(de)生产(chǎn)已经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经(jīng)进(jìn)入3D NAND时代，2 维到3维的(de)结构转变(biàn)使(shǐ)刻(kè)蚀和薄膜成为最关(guān)键、最大量的加工(gōng)设备。3D NAND每层均需要经过薄膜(mó)沉积工艺步骤(zhòu)，同时刻蚀目前(qián)前(qián)沿要(yào)刻到 60：1的深孔，未来可能会(huì)更深的孔或(huò)者沟槽，催生更多设备需求。据东(dōng)京(jīng)电子披(pī)露(lù)，薄(báo)膜沉(chén)积设备(bèi)及(jí)刻(k一个男人出轨了还爱自己的老婆吗è)蚀占3D NAND产线资(zī)本开支合计为75％。自长江存储被(bèi)加入(rù)美国限制名单，设备国产化进程加速(sù)，看好拓(tuò)荆(jīng)科技（薄膜(mó)沉积）等相关(guān)公司份(fèn)额提升，以及存(cún)储业务占(zhàn)比较高的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收(shōu)入增长。

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