大家好，来看(kàn)一则突发消(xiāo)息。

　　美(měi)光公司(sī)在华销售的产品未(wèi)通过网络安全(quán)审(shěn)查

　　据网信办消(xiāo)息，日前，网络(luò)安全审查办(bàn)公室(shì)依法对美光公(gōng)司在华销(xiāo)售产(chǎn)品进行了网络安(ān)全(quán)审查。

　　审查发现，美光公司产品存在较严(yán)重(zhòng)网络安(ān)全问题隐患，对我国(guó)关键信息(xī)基础(chǔ)设(shè)施供应链(liàn)造成重(zhòng)大(dà)安(ān)全风险，影响我国国家安全。为此，网(wǎng)络安全审查办公(gōng)室依法作出不予通过网络安全审查的结(jié)论。按照《网络安全法》等法(fǎ)律(lǜ)法规，我国内关键信息基础设施(shī)的运营者应(yīng)停止采(cǎi)购美光公司产(chǎn)品。

　　此(cǐ)次对美光(guāng)公司产品进行网络安全审查，目的是防范产(chǎn)品网络安全问题危(wēi)害国家关键信(xìn)息基础设施安(ān)全，是维护(hù)国家安全(quán)的(de)必要措施(shī)。中国坚定推进高水平对外开放，只要(yào)遵(zūn)守中国法律法规(guī)要(yào)求，欢(huān)迎各国企业(yè)、各类平台(tái)产(chǎn)品服务进入中国市场(chǎng)。

　　3月31日，中国网信网发文(wén)称(chēng)，为(wèi)保障(zhàng)关键(jiàn)信息基(jī)础设施供(gōng)应链安全，防范产品(pǐn)问题隐(yǐn)患(huàn)造成网络安(ān)全风(fēng)险，维护国(guó)家安(ān)全，依(yī)据《中华(huá)人民共和国(guó)国家安全法》《中华人民共和国(guó)网络安全法》，网(wǎng)络安(ān)全审查(chá)办公(gōng)室按照《网(wǎng)络安全审查办法(fǎ)》，对美光公司（Micron）在华销售的(de)产品实施网络安全审查。

　　美光是美国的存储(chǔ)芯片行业龙头，也是全球存储(chǔ)芯片巨(jù)头(tóu)之一，2022年收入来自中国市场收入从此(cǐ)前高峰57％降至2022年约(yuē)11％。根据(jù)市场咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三(sān)星电子、 铠侠、西部(bù)数据(jù)、SK 海力(lì)士、美光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市(shì)场份额(é)约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美(měi)光在全(quán)球(qiú) DRAM （内存(cún)）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司中(zhōng)，江波(bō)龙(lóng)、佰维存储(chǔ)等(děng)公(gōng)司披露(lù)过(guò)美光等国际存储厂商为公(gōng)司(sī)供(gōng)应商。

　　美(měi)光在(zài)江波龙(lóng)采购占(zhàn)比已经显著下(xià)降，至少已经不是主要大(dà)供应商。

　　公告显示(shì)， 2021年美光位列(liè)江(jiāng)波龙第一大存储晶(jīng)圆(yuán)供(gōng)应商(shāng)，采购约(yuē)31亿元(yuán)，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波龙(lóng)第一大(dà)、第(dì)二大和第三(sān)大(dà)供(gōng)应商采购金(jīn)额占比(bǐ)分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙(lóng)已经在(zài)存储产业链上下游建(jiàn)立自制苏打水可以降尿酸吗，自制苏打水和买的苏打水区别国内(自制苏打水可以降尿酸吗，自制苏打水和买的苏打水区别nèi)外广泛合作(zuò)。2022年年(nián)报显示，江波龙与三星、美光(guāng)、西部数据等主要存储晶圆原厂签(qiān)署了长期合(hé)约(yuē)，确保存储晶圆供应的稳(wěn)定性(xìng)，巩固公(gōng)司在下游市场的供(gōng)应优势，公司也与国内(nèi)国(guó)产存(cún)储晶(jīng)圆原厂武汉长江存(cún)储、合肥长鑫保(bǎo)持良好的合作。

　　有券(quàn)商此前(qián)就分析，如(rú)果美光在中国区销售受到限制，或将导致下(xià)游客户转而采购国外(wài)三星、 SK海(hǎi)力士，国内(nèi)长(zhǎng)江(jiāng)存储、长鑫存储(chǔ)等竞对产(chǎn)品

　　分析称，长存、长鑫的(de)上游(yóu)设备厂或从中受益。存储器的生产(chǎn)已经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺。另外NAND Flash现(xiàn)在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变(biàn)使刻蚀和(hé)薄膜成为最关键、最(zuì)大量的加工设备。3D NAND每(měi)层均(jūn)需要经过薄(báo)膜沉(chén)积工艺步骤，同时刻蚀目(mù)前前沿要刻(kè)到 60：1的深孔，未来(lái)可能(néng)会更(gèng)深的孔或者沟槽，催生(shēng)更多设备需求。据东京(jīng)电子披露，薄膜沉积(jī)设备(bèi)及刻蚀(shí)占3D NAND产(chǎn)线资本(běn)开支(zhī)合(hé)计为75％。自(zì)长江存储(chǔ)被加(jiā)入美国限制名单，设备国(guó)产化进程加速，看(kàn)好拓荆(jīng)科技（薄膜沉积）等相(xiāng)关公司份额提升，以及存储业务占比较高(gāo)的华(huá)海清科（CMP）、盛(shèng)美上海（清洗）等收入增长(zhǎng)。

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