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　　美光公(gōng)司在华销售的产(chǎn)品未通过网络(物尽其才人尽其用是什么意思，人尽其用打一生物尽其才人尽其用是什么意思，人尽其用打一生肖肖luò)安全审查

　　据(jù)网信(xìn)办(bàn)消息，日前，网络(luò)安全(quán)审查(chá)办公室依(yī)法对美(měi)光公(gōng)司在(zài)华销售产品进行(xíng)了网(wǎng)络安全审查。

　　审查(chá)发现，美光公司产品存在较严重网络(luò)安全问题隐患，对我国关(guān)键信息基(jī)础设施供(gōng)应链造成重大安全风险，影响我(wǒ)国国家安全。为此，网络安全(quán)审查办公室依法作出不予通过网(wǎng)络安全审查的结论。按(àn)照《网络安全法》等法律法规，我国内(nèi)关(guān)键信息基础设(shè)施的(de)运(yùn)营者应停止采购(gòu)美(měi)光公(gōng)司产(chǎn)品。

　　此次对美(měi)光公(gōng)司产品(pǐn)进行网(wǎng)络安全审查，目的是防范产(chǎn)品网(wǎng)络安全问(wèn)题危害(hài)国家关键信息(xī)基(jī)础设施(shī)安全，是维护国家安全的必要措施。中国(guó)坚(jiān)定推进高水平对外开放，只要遵守中国法(fǎ)律(lǜ)法规(guī)要求，欢迎(yíng)各国企业、各类平台产品服务进(jìn)入中国市场。

　　3月31日，中国网信网发文称，为(wèi)保障(zhàng)关键(jiàn)信息基(jī)础设施供应(yīng)链(liàn)安全，防范产(chǎn)品问题隐患(huàn)造成网络安全风险，维护国家安全，依据《中华人民共和(hé)国国家安全法》《中(zhōng)华人(rén)民共(gòng)和(hé)国网络(luò)安全法》，网络安(ān)全审(shěn)查(chá)办公室(shì)按照《网(wǎng)络安全审查办法》，对美光公司（Micron）在华销售的(de)产品(pǐn)实(shí)施网络安全审查。

　　美(měi)光是美国的存储(chǔ)芯(xīn)片行业龙头，也是全球存储(chǔ)芯片巨头之一，2022年收(shōu)入来自中国市场(chǎng)收入从(cóng)此前高峰(fēng)57％降至2022年约11％。根(gēn)据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星电子、 铠侠(xiá)、西部数据、SK 海(hǎi)力(lì)士、美光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约(yuē)为 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市场份(fèn)额(é)约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公司(sī)中(zhōng)，江(jiāng)波龙(lóng)、佰(bǎi)维存储等公司披露过(guò)美光等国际(jì)存储厂商为公(gōng)司供(gōng)应商。

　　美光在江波龙采购占比(bǐ)已经显著下降，至少已经不(bù)是(shì)主(zhǔ)要(yào)大供应(yīng)商(shāng)。

　　公告显示， 2021年(nián)美(měi)光位列江波(bō)龙第一大(dà)存储晶(jīng)圆供应(yīng)商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年(nián)，江波(bō)龙第一(yī)大、第(dì)二大和第三大供应商采购金额占比分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产(chǎn)业(yè)链上(shàng)下游建(jiàn)立国(guó)内外广泛(fàn)合作(zuò)。2022年年报显示(shì)，江(jiāng)波龙与三星、美光、西(xī)部数据等主要存储晶圆原厂签署了长期合约，确保存(cún)储晶(jīng)圆供应的稳定性，巩固公司在下游市场的(de)供应优势(shì)，公司也与国(guó)内国产存储晶圆(yuán)原厂武汉长江存储、合(hé)肥(féi)长鑫保持良(liáng)好的合作。

　　有券商此(cǐ)前就分(fēn)析(xī)，如果美光在(zài)中(zhōng)国区销售(shòu)受到限制，或将导(dǎo)致下游(yóu)客户转而采(cǎi)购(gòu)国外三星(xīng)、 SK海力士(shì)，国(guó)内长(zhǎng)江存储、长鑫存储(chǔ)等竞对产品(pǐn)

　　分析(xī)称，长存、长鑫的上游(yóu)设备厂或从中受(shòu)益。存(cún)储器的(de)生产已(yǐ)经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至(zhì)1Znm的工艺。另外(wài)NAND Flash现(xiàn)在已经(jīng)进入3D NAND时代，2 维到3维的(de)结构转(zhuǎn)变使刻(kè)蚀和薄(báo)膜成为最(zuì)关键、最大(dà)量(liàng)的(de)加(jiā)工设备。3D NAND每层均需要经过薄膜(mó)沉(chén)积工艺步骤(zhòu)，同时刻蚀目前前沿要刻到(dào) 60：1的深孔，未来可(kě)能(néng)会更深的孔(kǒng)或者沟槽，催生更(gèng)多设(shè)备需求。据东京电子(zi)披(pī)露，薄膜沉(chén)积设(shè)备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为75％。自长(zhǎng)江存储(chǔ)被(bèi)加入美国(guó)限制(zhì)名(míng)单(dān)，设备国产化进程(物尽其才人尽其用是什么意思，人尽其用打一生肖chéng)加速(sù)，看(kàn)好拓荆科技（薄膜沉积(jī)）等相关公司份额(é)提升，以及存储业务占比(bǐ)较高的华海(hǎi)清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入(rù)增长。

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