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　　美光公司在华销售的产(chǎn)品未通过网络安全审查

　　据网信办(bàn)消息(xī)，日前，网络安(ān)全(quán)审查办公室依法对美光公(gōng)司在华销售(shòu)产(chǎn)品进行了网络安全审查。

　　审查发现，美光公司产品存在较严重网络(luò)安全问(wèn)题隐(yǐn)患，对我国关键信息基础设施供应链造(zào)成重大安(ān)全风险，影响(xiǎng)我国国(guó)家(jiā)安全(quán)。为此，网(wǎng)络(luò)安全审查办公室依法作(zuò)出不(bù)予通过网(wǎng)络安全审查(chá)的结论。按照《网络(luò)安全法》等法律(lǜ)法规，我国内关键(jiàn)信息基础(chǔ)设(shè)施的运营者应(yīng)停止采(cǎi)购美(měi)光公(gōng)司(sī)产品。

　　此(cǐ)次(cì)对美光公(gōng)司(sī)产品进行(xíng)网络安全审(shěn)查，目的是(shì)防(fáng)范(fàn)产品网络安(ān)全问题危害国(guó)家关键(jiàn)信息基(jī)础设施安(ān)全(quán)，是维护国家安全(quán)的(de)必要措施(shī)。中(zhōng)国坚(jiān)定(dìng)推进高水平对外(wài)开放，只要遵守(shǒu)中国法(fǎ)律法规要(yào)求，欢迎各国(guó)企业、各类平台产品服务进入中国市场。

　　3月31日，中(zhōn新冠疫苗接种后多久更新健康码，新冠疫苗接种后多久更新健康码信息g)国网(wǎng)信网发文称，为保障关键(jiàn)信息基础设施供应链安(ān)全，防范产(chǎn)品(pǐn)问题(tí)隐患造成网络安全风险(xiǎn)，维护国(guó)家安全，依(yī)据《中(zhōng)华人民共和国国(guó)家安(ān)全法》《中华人(rén)民(mín)共和(hé)国网(wǎng)络(luò)安全(quán)法》，网(wǎng)络安全审查办公室按照(zhào)《网络安(ān)全审查办(bàn)法》，对美光公司（Micron）在华(huá)销售(shòu)的产(chǎn)品(pǐn)实施网络安全审查。

　　美光是美国(guó)的存(cún)储芯(xīn)片行业龙头，也(yě)是全球存储芯片巨头之一(yī)，2022年收入来自(zì)中国市场收入(rù)从此前高(gāo)峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星电子、 铠(kǎi)侠、西部数据、SK 海(hǎi)力士、美(měi)光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份额约为 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海(hǎi)力士、美光(guāng)在全球 DRAM （内存(cún)）市(shì)场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维存储等公司披露过(guò)美光等国际存储厂商为公(gōng)司供应(yīng)商。

　　美光在(zài)江波龙采购占(zhàn)比已经显著下降，至(zhì)少已经不是(shì)主要大供应商。

　　公告显示， 2021年美光(guāng)位列(liè)江波(bō)龙第一大存储(chǔ)晶圆(yuán)供(gōng)应商，采购约31亿元(yuán)，占(zhàn)比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙(lóng)第一大、第二大和(hé)第三大供应商采(cǎi)购金(jīn)额占比分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波(bō)龙(lóng)已经在存储产业链上下(xià)游建立国内外广(guǎng)泛合作。2022年年报显示，江波龙与三星、美光、西(xī)部(bù)数(shù)据等(děng)主要存储晶圆原厂签署(shǔ)了长期(qī)合约，确保存储晶圆供应(yīng)的稳定性，巩(gǒng)固公(gōng)司(sī)在下游市场的供应优(yōu)势，公司也与国内(nèi)国产存储晶圆原厂武汉长江存储、合肥长(zhǎng)鑫(xīn)保(bǎo)持良好的合作。

　　有(yǒu)券商(shāng)此前(qián)就分析，如果(guǒ)美光在中国区销售受到限制(zhì)，或将导致下游客(kè)户(hù)转(zhuǎn)而(ér)采购国外三星、 SK海(hǎi)力(lì)士，国内长(zhǎng)江(jiāng)存(cún)储、长鑫存(cún)储等竞对产品

　　分(fēn)析称(chēng)，长(zhǎng)存、长鑫的(de)上游设备厂(chǎng)或从中(zhōng)受益。存储器的生(shēng)产已经(jīng)演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代(dài)，2 维到3维的结构(gòu)转变使刻蚀和薄膜成为最关键、最大(dà)量(liàng)的加工设(shè)备。3D NAND每层均需要经过(guò)薄膜沉积工(gōng)艺(yì)步骤，同时刻(kè)蚀目前前沿要刻到 60：1的深孔，未来可能会更深的(de)孔(kǒng)或(huò)者沟槽，催生更多设备需求。据东京(jīng)电子披露，薄膜沉积设(shè)备及刻蚀占3D NAND产线(xiàn)资(zī)本开支合(hé)计为(wèi)75％。自长江存(cún)储被加入美国(guó)限制名(míng)单(dān)，设(shè)备国(guó)产化进程加速，看(kàn)好拓(tuò)荆科技(jì)（薄膜沉(chén)积）等相关公(gōng)司(sī)份额提(tí)升，以及存储业务占(zhàn)比(bǐ)较高的(de)华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增(zēng)长。

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