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项数怎么求公式,等差数列的项数怎么求 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大家好,来看一(yī)则突发消息。

  美光公司在(zài)华销(xiāo)售的产品未通过网络安全审查

  据网信(xìn)办消息,日(rì)前,网络安全审查办公室依法对(duì)美光公(gōng)司在华销(xiāo)售产(chǎn)品进(jìn)行了网络安全审查。

  审查发现,美光公司产品存在较严重网络(luò)安全问题隐患,对我国关键(jiàn)信(xìn)息基(jī)础设施(shī)供(gōng)应链造成(chéng)重大安全(quán)风险,影响我国(guó)国家安全。为此,网络安全审(shěn)查办公室依法作出不予通过网络安全审查(chá)的结论。按照《网络安全(quán)法》等法律法规,我国内关键信息基础设施的运营(yíng)者应停止(zhǐ)采(cǎi)购美(měi)光公(gōng)司产品。

  此次对美光(guāng)公司产品进行网(wǎng)络安全审查,目(mù)的是防(fáng)范产品网络安全问题危害国家关键信(xìn)息基础设施(shī)安(ān)全,是(shì)维护(hù)国家安全的必(bì)要措施(shī)。中国(guó)坚定推进高水平对外(wài)开放(fàng),只要遵守(shǒu)中(zhōng)国法律(lǜ)法规要求(qiú),欢(huān)迎各(gè)国企业(yè)、各类平(píng)台产品服务进入中国市(shì)场。

  半导体突发!中国出(chū)手:停止采购!

  3月31日,中(zhōng)国网信网发文称,为保障关键(jiàn)信息基础设施供应链(liàn)安全,防范产品问题隐患(huàn)造成网络安全风险,维护国家安全,依据《中(zhōng)华(huá)人民共和国国家安全法》《中华人民共(gòng)和国网络安全法》,网络安(ān)全审查办(bàn)公室按照《网络安全审查(chá)办法》,对美光(guāng)公司(sī)(Micron)在华销售的产品实施网络安全审查。

  半导体突发!中国出手(shǒu):停止采购!

  美光(guāng)是美国的(de)存储芯(xīn)片行业龙头,也是全球(qiú)存(cún)储芯片巨头之(zhī)一,2022年收(shōu)入来自中国市场收入从(cóng)此前高峰57%降至2022年约(yuē)11%。根据市(shì)场咨询(xún)机构 Omdia(IHS Markit)统计,2021 年三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光(guāng)、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash (闪存)市场(chǎng)份额约为 96.76%,三星电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM (内(nèi)存)市场(chǎng)份额约为 94.35%。

  A股(gǔ)上市公(gōng)司中(zhōng),江波龙、佰维(wéi)存储(chǔ)等公司(sī)披露过美光等国际(jì)存储厂商为公(gōng)司供(gōng)应商。

  美光在江波龙(lóng)采购占比已经显(xiǎn)著下降,至少已经不(bù)是主要大供(gōng)应商。

  公告显示, 2021年美光位(wèi)列江波龙第一大存储晶(jīng)圆供应商(shāng),采购约31亿元(yuán),占(zhàn)比33.52%;2022年,江波(bō)龙第一大(dà)、第(dì)二大和第三大供应(yīng)商采购金额占比(bǐ)分别是(shì)26.28%、22.85%和5.76%。

  目(mù)前江(jiāng)波龙(lóng)已经在存储产业链上下游建立国内外广泛合(hé)作(zuò)。2022年年报显示,江波龙与三星(xīng)、美光、西部数(shù)据(jù)等主要存(cún)储晶(jīng)圆(yuán)原厂签署(shǔ)了长期合约(yuē),确保(bǎo)存储(chǔ)晶圆供(gōng)应的稳(wěn)定(dìng)性,巩固(gù)公司在下游市(shì)场(chǎng)的(de)供应优势(shì),公司也与国内国产存储晶圆原厂武汉(hàn)长(zhǎng)江存储、合肥长(zhǎng)鑫(xīn)保持良(liáng)好(hǎo)的合作。

  有(yǒu)券(quàn)商此前(qián)就分析,如(rú)果美光(guāng)在中国区销售(shòu)受到限制,或(huò)将导(dǎo)致下游(yóu)客户转而采购(gòu)国外三星、 SK海力士,国内长江(jiāng)存储、长鑫存储等竞对产(chǎn)品(pǐn)

  分析(xī)称,长存、长(zhǎng)鑫的上游设备厂(chǎng)或从中受益。存储器(qì)的生产已经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在已经进(jìn)入3D NAND时代,2 维到3维的结(jié)构转(zhuǎn)变(biàn)使刻蚀和(hé)薄膜成为最关键(jiàn)、最大量的加工设(shè)备。3D NAND每层均需要(yào)经过薄膜沉积工艺步骤,同时刻蚀(shí)目(mù)前(qián)前沿要刻到 60:1的深孔,未(wèi)来可能会更深的孔或(huò)者(zhě)沟槽(cáo),催生更多(duō)设备需求项数怎么求公式,等差数列的项数怎么求。据东京电子披露,薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为75%。自长江存储被加入(rù)美(měi)国限制(zhì)名单,设备国(guó)产化(huà)进程加(jiā)速,看好拓荆科技(薄膜沉积)等相关公司份额提升,以及(jí)存储业务占比较高的华(huá)海清(qīng)科(kē)(CMP)、盛美上海(清洗(x项数怎么求公式,等差数列的项数怎么求ǐ))等(děng)收入增(zēng)长。

 

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