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　　美(měi)光公(gōng)司(sī)在华销售(shòu)的产(chǎn)品未通过网络安全审查(chá)

　　据网信办消息，日前，网络安全审查办公(gōng)室依法(fǎ)对(duì)美光(guāng)公司(sī)在(zài)华(huá)销售产品(pǐn)进行了网(wǎng)络安全审查。

　　审查发现，美光公司产品存在较严重网络安全问题隐患，对我国关键信息基础设施供(gōng)应链造成重大安(ān)全(quán)风险，影响(xiǎng)我国国(guó)家安全。为此，网络安(ān)全审查办公室依法作(zuò)出不(bù)予通过网络安(ān)全审查(chá)的结论。按(àn)照《网络安全法》等法律法(fǎ)规，我国内关键(jiàn)信息基础(chǔ)设施的运(yùn)营(yíng)者(zhě)应停止采购美光公(gōng)司产品。

　　此(cǐ)次对(duì)美光公司产品进行网络安(ān)全审查，目(mù)的是防范产品网(wǎng)络安全问题危害国(guó)家关键信(xìn)息(xī)基础设(隶书蚕头燕尾一波三折图解，蚕头燕尾一波三折是什么书体shè)施(shī)安全(quán)，是维(wéi)护国家安全的必(bì)要措施。中国坚定(dìng)推进高水平对外(wài)开放，只要(yào)遵守中(zhōng)国(guó)法律法规要(yào)求，欢迎各国企业(yè)、各类平台产品服(fú)务进入中国市场。

　　3月(yuè)31日，中国网信网(wǎng)发文称(chēng)，为(wèi)保障关键信息(xī)基(jī)础设施(shī隶书蚕头燕尾一波三折图解，蚕头燕尾一波三折是什么书体)供(gōng)应链安全，防(fáng)范(fàn)产品(pǐn)问(wèn)题隐患造成网络安(ān)全风险，维护国家安全，依据《中华人民共和国(guó)国(guó)家安(ān)全法》《中华人民共和国网络安全法(fǎ)》，网络安全审(shěn)查办公室按照《网络安全(quán)审查办法》，对美光公司(sī)（Micron）在(zài)华销售的产品实施网络安(ān)全审查。

　　美(měi)光是美国的存储(chǔ)芯片行业(yè)龙(lóng)头，也是(shì)全球存(cún)储芯片巨(jù)头之一，2022年收入来自中国(guó)市场(chǎng)收入从此前高峰57％降至2022年约11％。根(gēn)据(jù)市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年(nián)三星电子、 铠侠、西部数据(jù)、SK 海(hǎi)力士、美(měi)光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海力(lì)士、美光(guāng)在全球 DRAM （内(nèi)存(cún)）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维存(cún)储(chǔ)等公司披露过(guò)美光等国际存储厂商为(wèi)公司供应商。

　　美(měi)光在江波龙(lóng)采购(gòu)占比已(yǐ)经显著下降，至少已(yǐ)经不是(shì)主要大供应商。

　　公(gōng)告显示， 2021年美光位列江波龙第一(yī)大存储晶圆(yuán)供(gōng)应商，采(cǎi)购约31亿(yì)元(yuán)，占比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙(lóng)第一大、第(dì)二大和第三大(dà)供应商采(cǎi)购金(jīn)额占比分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙已经在存储产业(yè)链上下游建立国内外广泛合作(zuò)。2022年年报显示，江波龙与三(sān)星、美光、西部数据等主要存储晶圆原厂签(qiān)署了长期合约，确保存(cún)储晶圆(yuán)供应的稳定性(xìng)，巩(gǒng)固隶书蚕头燕尾一波三折图解，蚕头燕尾一波三折是什么书体公司在下游市场的(de)供应(yīng)优势(shì)，公(gōng)司也与国内(nèi)国产存储晶(jīng)圆原厂武汉长江存储、合(hé)肥长(zhǎng)鑫保持(chí)良(liáng)好的合作。

　　有券商此前就(jiù)分析，如果美(měi)光在中国区销售受到(dào)限制，或将导致下游客户(hù)转而采购国外(wài)三星、 SK海力士，国内长江存储、长鑫存(cún)储等竞对产(chǎn)品

　　分析称，长存、长鑫的上游(yóu)设(shè)备(bèi)厂或从中受(shòu)益(yì)。存储器的(de)生产已(yǐ)经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺(yì)。另(lìng)外NAND Flash现在已经(jīng)进(jìn)入(rù)3D NAND时代(dài)，2 维到(dào)3维的结(jié)构转变使刻蚀(shí)和薄(báo)膜成(chéng)为最(zuì)关(guān)键、最大(dà)量的加(jiā)工设备(bèi)。3D NAND每(měi)层均需要经(jīng)过薄膜沉积(jī)工(gōng)艺步(bù)骤，同时刻蚀目前(qián)前沿要(yào)刻到 60：1的深孔，未来可能会更(gèng)深的(de)孔(kǒng)或(huò)者(zhě)沟槽，催生(shēng)更多设备需(xū)求。据东京电子披露，薄膜沉积(jī)设备(bèi)及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为75％。自长江存储被加入美国限(xiàn)制名(míng)单，设备国产化进程加速，看好拓荆科(kē)技（薄(báo)膜沉积）等(děng)相(xiāng)关公(gōng)司份额提升，以(yǐ)及(jí)存储(chǔ)业务占比较高的华(huá)海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入(rù)增长。

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