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　　美光公司在华(huá)销售(shòu)的产品(pǐn)未(wèi)通过(guò)网络安全(quán)审(shěn)查

　　据网(wǎng)信办消息，日前(qián)，网络(luò)安全审(shěn)查(chá)办(bàn)公室(shì)依法对美(měi)光(guāng)公司在(zài)华销售产(chǎn)品(pǐn)进行(xíng)了网络安全(quán)审(shěn)查。

　　审查发现，美(měi)光公司产品存在较严重网络安全(quán)问题隐(yǐn)患(huàn)，对我国关键(jiàn)信息(xī)基础设施供应(yīng)链造成重大(dà)安全风险，影响我国国(guó)家安全(quán)。为此(cǐ)，网络安全(quán)审查(chá)办公室(shì)依法作出不予通过网(wǎng)络(luò)安全审(shěn)查的结论(lùn)。按照(zhào)《网(wǎng)络(luò)安全法》等法律法规，我国内(nèi)关键(jiàn)信息基础设(shè)施的运营(yíng)者应停止采(cǎi)购美光公司产品。

　　此次(cì)对(duì)美光公司产品进行网络安(ān)全审查，目的是防范产品网络安全问题(tí)危(wēi)害国家(j日本男生姓名大全霸气，日本男生的姓名iā)关键信息基础设施安全(quán)，是维护(hù)国家安全(quán)的必(bì)要(yào)措施。中(zhōng)国坚(jiān)定推(tuī)进高水(shuǐ)平对外开放，只要遵(zūn)守(shǒu)中国法律法规要求，欢迎(yíng)各国企业、各类平(píng)台产品服务进入中国市场。

　　3月(yuè)31日，中国网信网发文称(chēng)，为保障关键信息(xī)基础设施供应链(liàn)安全(quán)，防范产品(pǐn)问题隐患造成网络安(ān)全风险，维(wéi)护国家安全(quán)，依据《中(zhōng)华人民(mín)共和国国家安(ān)全法》《中华人民共和国网络安全法》，网(wǎng)络安全审查办(bàn)公室按(àn)照(zhào)《网络安全(quán)审查办法》，对(duì)美光公司（Micron）在华销售的(de)产品实施网络(luò)安全审(shěn)查(chá)。

　　美光(guāng)是(shì)美国的存储芯片(piàn)行业龙头，也是全球存储芯片巨头之一，2022年收入(rù)来自中(zhōng)国市(shì)场收(shōu)入(rù)从此(cǐ)前高峰57％降至2022年约11％。根(gēn)据(jù)市(shì)场(chǎng)咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星电子、 铠(kǎi)侠(xiá)、日本男生姓名大全霸气，日本男生的姓名西部数据、SK 海(hǎi)力士、美光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存）市(shì)场份额约为 96.76％，三(sān)星(xīng)电子、 SK 海力(lì)士、美光(guāng)在(zài)全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市(shì)公司中，江波龙、佰维存(cún)储等(děng)公(gōng)司披露过美(měi)光(guāng)等国(guó)际存储厂商为(wèi)公司供应(yīng)商。

　　美光在江(jiāng)波龙采购占比已经(jīng)显(xiǎn)著下降，至少已经(jīng)不是主要(yào)大供应商。

　　公告显示， 2021年美(měi)光位列(liè)江波龙第一大存储(chǔ)晶圆供(gōng)应(yīng)商(shāng)，采购约31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙第一大(dà)、第二大(dà)和第三大(dà)供(gōng)应商采购金额占(zhàn)比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波龙已经在存储(chǔ)产业链上下游建立(lì)国内外广泛合作。2022年年报显示(shì)，江波龙与三星、美光、西部数(shù)据(jù)等主(zhǔ)要存储(chǔ)晶(jīng)圆(yuán)原厂签署了(le)长期合约，确保存储晶圆供应的稳定性，巩固公司在下游市场的供应优势，公司也与国内国(guó)产存储晶圆原厂武汉长江存储、合肥长鑫保持良好的(de)合作。

　　有券商此前就(jiù)分析，如果(guǒ)美光在中国区销售受到(dào)限(xiàn)制(zhì)，或将(jiāng)导致下(xià)游客(kè)户转而采购国外三星、 SK海力(日本男生姓名大全霸气，日本男生的姓名lì)士，国(guó)内(nèi)长江存储(chǔ)、长鑫存储等竞(jìng)对产品(pǐn)

　　分析称，长存、长鑫的上(shàng)游设备厂或从中(zhōng)受益。存储器的生产已经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺(yì)。另外NAND Flash现(xiàn)在已经进入3D NAND时代，2 维(wéi)到3维的结构转变使刻蚀和薄膜(mó)成为最关键、最大量的加工(gōng)设备。3D NAND每(měi)层均需(xū)要(yào)经过薄膜沉(chén)积工艺步(bù)骤，同时刻蚀目前(qián)前沿要刻到 60：1的深孔，未来可能会更深的孔或者沟槽，催生更多(duō)设备需求。据东京电子披露，薄膜沉积设备及刻蚀(shí)占3D NAND产线资本开(kāi)支合计为75％。自(zì)长(zhǎng)江存储被(bèi)加入美国限(xiàn)制(zhì)名单，设备(bèi)国(guó)产化(huà)进程(chéng)加速，看好(hǎo)拓荆科技(jì)（薄膜沉积）等相关公司份额提升，以及存储业务(wù)占比较高的华海清科（CMP）、盛美(měi)上(shàng)海（清洗(xǐ)）等(děng)收(shōu)入增长(zhǎng)。

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