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　　美光公司在华销售的产品(pǐn)未通过网(wǎng)络安全(quán)审查(chá)

　　据(jù)网信(xìn)办消息，日前，网络安全审查(chá)办(bàn)公(gōng)室依法对美光公司在华销售产品进行了网(wǎng)络(luò)安全(quán)审查(chá)。

　　审查(chá)发现，美光公司产品存在(zài)较(jiào)严重网络安全问题隐(yǐn)患，对我国(guó)关键信息基础设施供应链造成重大(dà)安全(20斤是几kg 20斤是多少磅quán)风险，影响我国国(guó)家安全。为此，网络安全(quán)审查办公室依法作出不(bù)予通(tōng)过网(wǎng)络安(ān)全审查(chá)的结论。按照《网络(luò)安全法》等法律法规，我国内关(guān)键(jiàn)信(xìn)息基(jī)础设施的运营者应停止(zhǐ)采(cǎi)购(gòu)美(měi)光公司(sī)产品(pǐn)。

　　此次对美光公(gōng)司产品进(jìn)行网(wǎng)络安全(quán)审查，目的是防范产品网络安全问题危害国家关键信息(xī)基础设(shè)施安全，是维护国家安(ān)全的必要措施(shī)。中国坚定(dìng)推进高(gāo)水平对外开放，只要遵守中国法(fǎ)律法规要求，欢迎(yíng)各国企业、各类(lèi)平台(tái)产品服务进入(rù)中国市场。

　　3月31日，中国网信(xìn)网发(fā)文20斤是几kg 20斤是多少磅称，为保障关键(jiàn)信息基础(chǔ)设施供应链(liàn)安全(quán)，防范产(chǎn)品问题(tí)隐患(huàn)造成网络(luò)安全风(fēng)险，维护国家安(ān)全，依(yī)据《中华人民(mín)共和国国(guó)家安全法(fǎ)》《中(zhōng)华人民(mín)共和国网络安全(quán)法(fǎ)》，网(wǎng)络安全审查办公室按照《网(wǎng)络安全审查办法》，对美光(guāng)公(gōng)司（Micron）在华(huá)销售的产品实施网络安(ān)全审查。

　　美光是美国的存储芯(xīn)片行业龙头，也是(shì)全球(qiú)存储芯片巨(jù)头之一，2022年收入(rù)来自(zì)中(zhōng)国市场收(shōu)入从(cóng)此前高峰57％降至2022年约(yuē)11％。根(gēn)据市场咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三(sān)星(xīng)电子、 铠侠、西部数据、SK 海(hǎi)力士、美(měi)光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存(cún)）市场份(fèn)额约为 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海力士、美光(guāng)在全球(qiú) DRAM （内存）市(shì)场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中(zhōng)，江波龙、佰(bǎi)维存储等公司披露过美(měi)光(guāng)等国际存储(chǔ)厂(chǎng)商为(wèi)公(gōng)司供应(yīng)商(shāng)。

　　美光在江波(bō)龙采购(gòu)占(zhàn)比(bǐ)已经显著下(xià)降，至少已(yǐ)经不是(shì)主要大供应商。

　　公告(gào)显(xiǎn)示， 2021年美光位列(liè)江波龙第一大存储晶圆供应(yīng)商，采(cǎi)购约31亿(yì)元，占比33.52％；2022年，江波龙第(dì)一大(dà)、第二大和第三大供应商采购金额占(zhàn)比分(fēn)别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙20斤是几kg 20斤是多少磅已经(jīng)在(zài)存储(chǔ)产(chǎn)业(yè)链上下游建立国内(nèi)外广泛合作。2022年年报显示，江波龙(lóng)与三星(xīng)、美光、西(xī)部数据等主(zhǔ)要存(cún)储晶(jīng)圆原(yuán)厂签(qiān)署了长(zhǎng)期合约，确保存(cún)储晶圆供应的稳(wěn)定性，巩固公司在下游(yóu)市场的供应(yīng)优势，公(gōng)司也与国内国产存储(chǔ)晶圆(yuán)原(yuán)厂武汉长江存(cún)储(chǔ)、合肥长(zhǎng)鑫保持(chí)良好(hǎo)的合(hé)作。

　　有券商此前就分析，如果美光(guāng)在中国区销售受到限制，或将导致下游客户转而采购(gòu)国外(wài)三星(xīng)、 SK海力(lì)士(shì)，国(guó)内(nèi)长江存储、长鑫存储(chǔ)等竞对产品(pǐn)

　　分析称，长(zhǎng)存、长鑫的上游设备(bèi)厂或从中受益。存储(chǔ)器的生产已经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺(yì)。另外(wài)NAND Flash现(xiàn)在已经进入3D NAND时代，2 维(wéi)到3维的结构转变使(shǐ)刻蚀和薄膜成为最关键、最大量的加(jiā)工设备(bèi)。3D NAND每层均需要经过薄(báo)膜沉(chén)积工艺步骤，同时刻蚀目前前(qián)沿(yán)要(yào)刻到 60：1的深(shēn)孔(kǒng)，未来可能会更(gèng)深(shēn)的(de)孔或(huò)者(zhě)沟槽，催(cuī)生(shēng)更多设备(bèi)需(xū)求。据东京(jīng)电(diàn)子披露，薄膜沉(chén)积设备及刻蚀占(zhàn)3D NAND产线资(zī)本开支合(hé)计为75％。自(zì)长江存储被加入美国限制名单，设备(bèi)国产化进程(chéng)加速(sù)，看(kàn)好拓荆科技（薄膜沉积）等相关公司份额提升，以及存储业(yè)务占比较高的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增(zēng)长。

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