大(dà)家好，来看一则(zé)突发消(xiāo)息。

　　美(měi)光公司在华销售的产(chǎn)品未通过网络(luò)安全审查

　　据(jù)网信办消息，日前，网络安全审查办公室依(yī)法对美光公司在(zài)华(huá)销售产(chǎn)品进(jìn)行了(le)网络安全审查。

　　审查(chá)发现，美光(guāng)公司产(chǎn)品(pǐn)存在较严重(zhòng)网络安全问题隐患，对我(wǒ)国(guó)关键信息基(jī)础设施供应链造成重大安全风险，影响我(wǒ)国国家安全(quán)。为(wèi)此(cǐ)，网络安全审查办公室(shì)依法(fǎ)作出不予通过(guò)网(wǎng)络(luò)安全审查的结论。按照《网络安全法》等(děng)法(fǎ)律法规，我国内关键信息基础设施(shī)的运营者(zhě)应停止采购美光(guāng)公司产品。谨以此文是什么意思，谨以此文用在哪里>

　　此(cǐ)次对美光公司产品进行网络安全审查，目(mù)的是防范(fàn)产品网(wǎng)络(luò)安(ān)全问题危(wēi)害国家关键(jiàn)信息(xī)基础设施安(ān)全，是维护(hù)国家安全(quán)的必要措施。中国坚定推进(jìn)高水平对外开放，只要遵守(shǒu)中国(guó)法律法(fǎ)规要(yào)求，欢(huān)迎(yíng)各国企业、各类平台产品(pǐn)服务进入(rù)中国市(shì)场。

　　3月31日，中国网信网发(fā)文称，为保障关键(jiàn)信息基础设施供应链安全(quán)，防(fáng)范产(chǎn)品问题隐患造成网络(luò)安(ān)全(quán)风险，维护国家安全(quán)，依据《中华人民共和国国家安全法》《中华人(rén)民(mín)共和国(guó)网络安全法(fǎ)》，网络安全审查办公室按照《网络安(ān)全审查(chá)办法》，对美(měi)光(guāng)公司（Micron）在华(huá)销售的(de)产(chǎn)品实(shí)施(shī)网(wǎng)络(luò)安全审(shěn)查。

　　美(měi)光是(shì)美国(guó)的存储芯(xīn)片行业(yè)龙头，也是全球存储芯(xīn)片(piàn)巨头之一，2022年收入(rù)来(lái)自中国市场收入从此前高峰57％降至2022年约11％。根据市(shì)场咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星电子、 铠侠、西部(bù)数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存(cún)）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美(měi)光(guāng)在全球(qiú) DRAM （内存）市场(chǎng)份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙(lóng)、佰维存储等公司披露(lù)过美光等国际(jì)存储厂商为(wèi)公司供应商。

　　美(měi)光在江波(bō)龙采购占比已经显(xiǎn)著下降，至少已经不是(shì)主(zhǔ)要大供应(yīng)商。

　　公告显示， 2021年美光位列江波龙第一(yī)大(dà)存储晶圆供(gōng)应商，采购约31亿(yì)元(yuán)，占比33.52％；2022年，江波龙(lóng)第一大、第二大和第三大(dà)供应商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产业链上下游建立国内(nèi)外广泛合作。2022年年(nián)报显示，江波龙与三星、美(měi)光、西部数(shù)据等(děng)主要存(cún)储晶圆原厂签署(shǔ)了长期合约，确保(b谨以此文是什么意思，谨以此文用在哪里ǎo)存储晶圆(yuán)供应的(de)稳定性(xìng)，巩(gǒng)固公(gōng)司在下游市(shì)场的供应优(yōu)势，公司也与国内国产存储(chǔ)晶圆(yuán)原(yuán)厂武(wǔ)汉长江存储、合(hé)肥长鑫保持良好(hǎo)的合作。

　　有券商此前(qián)就分析，如果(guǒ)美光在中国区销售受到限制，或将(jiāng)导致下(xià)游(yóu)客户转(zhuǎn)而采购(gòu)国(guó)外三星、 SK海力(lì)士，国(guó)内长江存储(chǔ)、长鑫存储等竞对产品(pǐn)

　　分析称，长存、长鑫的上游(yóu)设备厂或从中受(shòu)益。存储器的生产已经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺(yì)。另外NAND Flash现在已(yǐ)经进入(rù)3D NAND时代，2 维到3维的结构转变(biàn)使(shǐ)刻(kè)蚀和薄(báo)膜成(chéng)为最关键、最大量(liàng)的加工(gōng)设备。3D NAND每(měi)层均需要经过薄膜(mó)沉(chén)积工艺步(bù)骤，同时(shí)刻蚀目前(qián)前沿要刻到 60：1的深孔，未来可能(néng)会更深的孔或者沟(gōu)槽，催生(shēng)更多设(shè)备需求(qiú)。据东京(jīng)电子披露，薄膜沉(chén)积设备(bèi)及刻蚀占3D NAND产线资本(běn)开支合计为75％。自长江(jiāng)存储被加入美国限制(zhì)名单，设(shè)备国产(chǎn)化进程加(jiā)速，看(kàn)好(hǎo)拓荆科技（薄膜(mó)沉(chén)积）等相关公司份额(é)提升(shēng)，以及存(cún)储业务(wù)占比较高(gāo)的(de)华(huá)海清科（CMP）、盛美上(shàng)海（清洗）等收入增长。

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