大家好，来看(kàn)一则突(tū)发消息。

　　美光公司在华(huá)销售的(de)产品未通过网络安全审查(chá)

　　据网信办消息，日前，网络安全审查(chá)办公室依法(fǎ)对(duì)美光公司在华销售产品进(jìn)行了网络安全审查。

　　审(shěn)查发现，美光(guāng)公司产品(pǐn)存在较严重网络安全问题隐(yǐn)患，对我国(guó)关键信息基础设(shè)施(shī)供应链造成重大(dà)安全风险，影响我国国家安全。为此，网(wǎng)络安(ān)全审查(chá)办公室依法作出不予通过(guò)网络安全审查的结论。按照《网络安全法》等法(fǎ)律法规，我国(guó)内关键信息(xī)基(jī)础设施的运(yùn)营者应停(tíng)止采购美光(guāng)公司产(chǎn)品(pǐn)。

　　此(cǐ)次(cì)对美光公司产(chǎn)品进(jìn)行网络安全审查，目的是防范产品网络安全问题危害国(guó)家(jiā)关键(jiàn)信息(xī)基(jī)础设施安(ān)全，是维护国家安(ān)全(quán)的必要措施。中国坚定推进高(gāo)水平对外开放(fàng)，只要遵(zūn)守中国法(fǎ)律法规(guī)要求，欢迎(yíng)各国企业、各类平台产(chǎn)品服务进入中国市场(chǎng)。

　　3月31日，中国网信网发文(wén)称(chēng)，为保障(zhàng)关键信息(xī)基础设施供应链安全，防(fáng)范产品(pǐn)问(wèn)题隐患造成网络安(ān)全风险，维护(hù)国(guó)家安全，依据《中(zhōng)华人民共和国国家安全法》《中(zhōng)华人民共和国网络安全法(fǎ)》，网络安全审查办公室按照《网络安(ān)全审查办法》，对美光公司（Micron）在华销售的产品实施网络安全审查。

　　美光是美(měi)国(guó)的(de)存储(chǔ)芯(xīn)片行(xíng)业龙头，也是全球新冠密接人员需要隔离多少天最新政策，新冠密接人员要隔离多久存储芯片巨头之一，2022年收入来(lái)自中国市场收入从(cóng)此前高峰57％降(jiàng)至2022年(nián)约11％。根(gēn)据(jù)市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星电子(zi)、 铠(kǎi)侠、西部数据、SK 海力士(shì)、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三(sān)星电(diàn)子、 SK 海力士、美光在全球(qiú) DRAM （内(nèi)存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市(shì)公(gōng)司中(zhōng)，江波龙、佰维存储等公司披露过美光等国(guó)际存(cún)储厂商(shāng)为公司供(gōng)应(yīng)商。

　　美光在江波龙(lóng)采(cǎi)购占(zhàn)比已(yǐ)经显著下降，至少(shǎo)已经不是(shì)新冠密接人员需要隔离多少天最新政策，新冠密接人员要隔离多久主要大(dà)供应商。

　　公告显示， 2021年美光位列江波龙第(dì)一大存储晶圆(yuán)供应(yīng)商，采购约(yuē)31亿(yì)元，占比(bǐ)33.52％；2022年(nián)，江波龙第一大、第二(èr)大和第三(sān)大供应(yīng)商采购金额占(zhàn)比分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已(yǐ)经在存储产业链上下(xià)游建立国内外广(guǎng)泛合(hé)作。2022年年报显示，江波(bō)龙(lóng)与三星、美光、西部(bù)数据等主要存(cún)储晶圆原(yuán)厂(chǎng)签(qiān)署了长期合约，确(què)保存(cún)储晶圆供应的稳定性，巩固公(gōng)司在下游市场的供(gōng)应优势，公司也与国内国产存储(chǔ)晶(jīng)圆原厂(chǎng)武汉长江(jiāng)存(cún)储、合肥长鑫保持良好的合作(zuò)。

　　有(yǒu)券商此前(qián)就分析，如(rú)果(guǒ)美光在(zài)中国区(qū)销售(shòu)受到限制，或将导致下游(yóu)客户转而采购国外三星(xīng)、 SK海力士，国内长江存储、长鑫存储(chǔ)等竞对(duì)产品

　　分析称(chēng)，长(zhǎng)存、长鑫的上游设备厂或从(cóng)中(zhōng)受益。存(cún)储器的(de)生产已(yǐ)经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在(zài)已经(jīng)进入3D NAND时代，2 维到3维(wéi)的结(jié)构转变使刻蚀和薄膜成为(wèi)最关键、最大量的加工设备(bèi)。3D NAND每层均(jūn)需要经过薄膜沉积工艺步骤，同时刻(kè)蚀目前前(qián)沿要刻到 60：1的深孔，未来(lái)可(kě)能会更深的孔或者沟槽，催生更多设备(bèi)需求。据东京电子披露，薄(báo)膜(mó)沉(chén)积设备及刻蚀占3D NAND产(chǎn)线资本(běn)开支合计为75％。自长江存储被加入(rù)美国限制名单，设(shè)备国产化进程加速(sù)，看好拓荆科技（薄膜沉积）等相关(guān)公(gōng)司(sī)份(fèn)额提(tí)升，以及(jí)存储业务占比较高的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长。

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