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　　美光公(gōng)司在华销售的(de)产(chǎn)品未通过网络安全审查(chá)

　　据网(wǎng)信(xìn)办消(xiāo)息，日前，网络安全审查办公室依(yī)法对(duì)美光公司在华销售产品进行了网络(luò)安全审(shěn)查。

　　审查发现，美光(guāng)公司产品存在较严重(zhòng)网络安(ān)全问题隐患，对我国关(guān)键信息基(jī)础设施供应链造成重大安全(quán)风险，影响我(wǒ)国国家安(ān)全。为此(cǐ)，网络安全审(shěn)查办公室依法作出不予通过(guò)网(wǎng)络安(ān)全(quán)审(shěn)查的结论。按照《网络(luò)安全法》等法(fǎ)律(lǜ)法(fǎ)规，我国(guó)内关键信息基础设施的运营者应停止采购美光公司(sī)产(chǎn)品。

　　此次对美光公司产品进行网络安全审查，目(mù)的是防(fáng)范产品网络安全问题危害国家关键信息基础设(shè)施(shī)安全，是(shì)维护国家安全的必要措(cuò)施。中国坚定(dìng)推进高水平对外(wài)开(kāi)放，只(zhǐ)要遵守(shǒu)中国(guó)法律法规要求，欢迎各(gè)国企业、各类平台产品服务(wù匚这个部首的名称叫什么怎么读，匚这个偏旁读什么)进(jìn)入中国市场。

　　3月31日，中国网信网发文称，为保障关键(jiàn)信息基础设施供应链安(ān)全，防范产品问(wèn)题隐患造成网络安全风险(xiǎn)，维护国家安全(quán)，依据《中华人(rén)民共和国(guó)国家(jiā)安全(quán)法》《中华(huá)人民共(gòng)和国网络安(ān)全法》，网络(luò)安全(quán)审(shěn)查(chá)办公室按照《网络(luò)安全审查办(bàn)法》，对(duì)美光公司（Micron）在华销售的产品实施(shī)网络安全审查。

　　美光是美国的存储芯片行(x匚这个部首的名称叫什么怎么读，匚这个偏旁读什么íng)业(yè)龙(lóng)头，也是全球存(cún)储芯片(piàn)巨(jù)头之一，2022年(nián)收入来自中国市场收入(rù)从此前(qián)高峰(fēng)57％降至2022年(nián)约11％。根据市场咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三(sān)星电子、 铠侠、西(xī)部数据(jù)、SK 海力(lì)士、美光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市(shì)场(chǎng)份额约为(wèi) 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市(shì)场份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股上市(shì)公(gōng)司中，江波龙、佰维(wéi)存(cún)储等公司披露过(guò)美光等国际存储厂商为公司(sī)供(gōng)应商。

　　美光(guāng)在江(jiāng)波龙(lóng)采购占(zhàn)比已经显著下降(jiàng)，至少已经(jīng)不(bù)是主(zhǔ)要(yào)大供应商。

　　公告(gào)显示(shì)， 2021年(nián)美光位列江(jiāng)波龙第一大存储晶圆供(gōng)应商(shāng)，采(cǎi)购约(yuē)31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第一大、第二大和(hé)第三大供应(yīng)商采(cǎi)购金额占比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙(lóng)已经在存储产业链(liàn)上下游建(jiàn)立国内(nèi)外(wài)广泛合作。2022年(nián)年报(bào)显示，江波龙与三星、美光(guāng)、西部数(shù)据等(děng)主要(yào)存储(chǔ)晶(jīng)圆原(yuán)厂签署了长期合约，确(què)保(bǎo)存储晶圆供应的稳定性，巩(gǒng)固公(gōng)司在下(xià)游市场(chǎng)的供(gōng)应优势，公司也与国内(nèi)国产存储晶圆原厂(chǎng)武汉长江(jiāng)存储、合肥长鑫保(bǎo)持良好(hǎo)的合作。

　　有(yǒu)券商此前就分析，如果美光(guāng)在中国区销售受到限制，或将导致下游客户转而采购国(guó)外(wài)三星、 SK海力士，国内长江存储(chǔ)、长鑫存储(chǔ)等竞对产(chǎn)品

　　分析(xī)称，长存、长鑫的上游设备(bèi)厂或从中受益。存储(chǔ)器的生产已(yǐ)经(jīng)演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外(wài)NAND Flash现在已经进入3D NAND时代(dài)，2 维到3维的结构(gòu)转变使刻蚀和薄膜成(chéng)为最关(guān)键、最(zuì)大量(liàng)的加工设备(bèi)。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工艺步骤(zhòu)，同时刻蚀目前(qián)前沿要刻到(dào) 60：1的深孔，未来可能会更深的(de)孔或者(zhě)沟槽，催生(shēng)更多设备(bèi)需求。据东(dōng)京电子披(pī)露(lù)，薄膜(mó)沉积(jī)设备(bèi)及(jí)刻(kè)蚀占3D NAND产线资本(běn)开支合计为75％。自长(zhǎng)江存储被(bèi)加入美国限制名单(dān)，设备国产化进程加速，看好拓荆(jīng)科技(jì)（薄膜沉积(jī)）等(děng)相关公司份额提升(shēng)，以(yǐ)及(jí)存储业务占比较高(gāo)的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入(rù)增长。

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