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　　美光公司在华销(xiāo)售的产品未通过网络安(ān)全审查

　　据网信(xìn)办消息，日前，网络安(ān)全审查办公室依法对美光公司在华销(xiāo)售产品进(jìn)行了网络安全审查。

　　审(shěn)查(chá)发现，美光公司产品(pǐn)存在较严重网络安全问题(tí)隐患，对(duì)我国关键信息基础设施供应链(liàn)造成重大安(ān)全风险，影(yǐng)响我国国家安全。为此，网络安全审查(chá)办公室依法作出不(bù)予通过(guò)网络安全(quán)审查的结论。按照《网络(luò)安(ān)全法》等法律法规，我国内关(guān)键信(xìn)息基础设施的(de)运(yùn)营者应停(tíng)止采购美光公司产品。

　　此次(cì)对(duì)美光公司(sī)产品进行网络安全审查(chá)，目的(de)是防范产品网络(luò)安全(quán)问题危害(hài)国家关键信息基(jī)础设施安全，是维(wéi)护国家安(ān)全的(de)必要(yào)措施(shī)。中国(guó)坚定推进高水平对外开放(fàng)，只要遵守中国法(fǎ)律法规要求，欢迎各(gè)国企业、各类平(píng)台产(chǎn)品服务进(jìn)入(rù)中国市场。

　　3月(yuè)31日，中国网(wǎng)信(xìn)网发文称，为保障关键信(xìn)息基础设施供应链200克是几两 200克是多少毫升安全(quán)，防范产(chǎn)品(pǐn)问题隐(yǐn)患造(zào)成网络安全风(fēng)险，维护国家安全，依据(jù)《中华人民共(gòng)和国国家安全法》《中华人民(mín)共(gòng)和(hé)国网(wǎng)络安(ān)全法》，网络安全审查(chá)办(bàn)公室按照《网络安全审查办法》，对美光公司（Micron）在(zài)华销售(shòu)的产(chǎn)品实施网(wǎng)络(luò)安全审查(chá)。

　　美光是美国的存储芯片行业龙头，也是全(quán)球存储芯片巨头之一(yī)，2022年收入来自中国市场收入从此前高峰57％降至2022年约11％。根据(jù)市场咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美(měi)光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存(cún)）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海(hǎi)力(lì)士、美光在(zài)全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市(shì)公司中，江波(bō)龙(lóng)、佰维存储等公司披露过美(měi)光等国际存储厂商为公司供应商。200克是几两 200克是多少毫升

　　美(měi)光在江波(bō)龙采购占(zhàn)比已经显(xiǎn)著(zhù)下(xià)降，至少已(yǐ)经不是(shì)主要(yào)大供应(yīng)商。

　　公(gōng)告显示(shì)， 2021年(nián)美光位列(liè)江波(bō)龙第一(yī)大存(cún)储晶(jīng)圆供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和第三大供应商采购金额(é)占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波(bō)龙已经在存储产业(yè)链上下游(yóu)建立国内(nèi)外广(guǎng)泛合作。2022年年报显示，江波龙与三星、美(měi)光、西(xī)部数据(jù)等主要存储晶(jīng)圆原厂签(qiān)署了长(zhǎng)期合约，确保存储(chǔ)晶(jīng)圆供(gōng)应的稳定性，巩固公司(sī)在下游市(shì)场的(de)供(gōng)应优(yōu)势，公司也(yě)与(yǔ)国内国(guó)产存储(chǔ)晶圆原厂武汉长江存储(chǔ)、合肥(féi)长鑫(xīn)保持良(liáng)好的合作。

　　有(yǒu)券商此前(qián)就分析，如果美光在中国区销售受到限制(zhì)，或(huò)将(jiāng)导致下游客户(hù)转而采购国(guó)外三星、 SK海力士，国内长江存储、长鑫存(cún)储(chǔ)等(děng)竞(jìng)对产品

　　分析称(chēng)，长(zhǎng)存、长鑫(xīn)的上(shàng)游(yóu)设备(bèi)厂或从中受益。存储器的生产已200克是几两 200克是多少毫升经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺(yì)。另(lìng)外NAND Flash现在已经进(jìn)入3D NAND时代，2 维到(dào)3维(wéi)的结构转变(biàn)使刻蚀和薄膜(mó)成(chéng)为最(zuì)关键、最大量的(de)加工(gōng)设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉(chén)积工艺步(bù)骤，同时刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深孔，未来可能会(huì)更(gèng)深的孔或者沟槽(cáo)，催生更多(duō)设(shè)备需求(qiú)。据东京(jīng)电子披露，薄膜沉积设(shè)备及(jí)刻蚀(shí)占(zhàn)3D NAND产(chǎn)线资本开支(zhī)合计为(wèi)75％。自(zì)长(zhǎng)江存储(chǔ)被(bèi)加入美国(guó)限制(zhì)名单，设备国产化进(jìn)程加速，看(kàn)好拓荆(jīng)科(kē)技（薄膜(mó)沉积）等相关公司份额提升(shēng)，以及存储(chǔ)业务(wù)占比较(jiào)高的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等(děng)收入增(zēng)长。

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