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娱乐圈里的万人睡女星,娱乐圈睡得最多的女星

娱乐圈里的万人睡女星,娱乐圈睡得最多的女星 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大家好,来(lái)看(kàn)一则突(tū)发消(xiāo)息。

  美光公司(sī)在(zài)华销(xiāo)售(shòu)的产品未通(tōng)过网络安全审查

  据(jù)网信(xìn)办消(xiāo)息,日前,网络安全审查办公(gōng)室依(yī)法对美光(guāng)公司在华销(xiāo)售产品进行了网络(luò)安全审查。

  审(shěn)查发现,美光公司产品存在较(jiào)严重网络安全问题隐患,对我国关键信息基础设施供(gōng)应链造成重大安(ān)全风险(xiǎn),影响(xiǎng)我国国家(jiā)安全。为此,网络安(ān)全审查办(bàn)公室(shì)依法(fǎ)作出不予通过网络安(ān)全审查的(de)结论。按照《网络安全法》等法律法规(guī),我国(guó)内关(guān)键信息基础设(shè)施的运营者应停止采购(gòu)美光公司(sī)产品。

  此(cǐ)次对美光(guāng)公司(sī)产品进行网(wǎng)络安全审(shěn)查,目的是防范产品(pǐn)网络安全问题(tí)危害国家关键信(xìn)息基础设施(shī)安娱乐圈里的万人睡女星,娱乐圈睡得最多的女星全(quán),是(shì)维护国家安全的必(bì)要措施(shī)。中国坚定推进高水平(píng)对外开放,只要遵守中国法律法规要求,欢迎各国企(qǐ)业、各类平(píng)台(tái)产品服务进入(rù)中国市场。

  半导体突发(fā)!中国(guó)出手:停止采购(gòu)!

  3月31日,中国网信网发文称,为(wèi)保(bǎo)障关键信息(xī)基础设施(shī)供应(yīng)链安全(quán),防范产(chǎn)品问题隐患造(zào)成网络(luò)安(ān)全风(fēng)险,维护国(guó)家(jiā)安(ān)全(quán),依据《中华人(rén)民共和国国家(jiā)安(ān)全(quán)法》《中华人民共和国网络安全(quán)法》,网(wǎng)络安全审查办公室按照《网(wǎng)络安全审(shěn)查办法》,对美光(guāng)公司(sī)(Micron)在华(huá)销售的产(chǎn)品实施(shī)网络安(ān)全审查。

  半导体(tǐ)突(tū)发!中国出手:停止采(cǎi)购!

  美光是(shì)美(měi)国的存储芯片行(xíng)业龙头,也是(shì)全球存储芯片巨头之一,2022年收(shōu)入来自(zì)中国市场收(shōu)入从(cóng)此前高峰57%降至2022年(nián)约11%。根据市场(chǎng)咨询机构(gòu) Omdia(IHS Markit)统计,2021 年(nián)三星电子、 铠(kǎi)侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash (闪存)市场(chǎng)份额约为 96.76%,三星电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM (内存)市场份额约为 94.35%。

  A股上市公司中,江波龙、佰维存(cún)储等公司披露过美(měi)光(guāng)等(děng)国际存储(chǔ)厂商为公(gōng)司供应(yīng)商。

  美光在江波龙采购占比已经显著下降,至少已经不(bù)是主要大供应(yīng)商。

  公告显示, 2021年美光位列江波龙第一(yī)大存储晶圆供(gōng)应商,采购约(yuē)31亿元(yuán),占(zhàn)比33.52%;2022年,江波龙第一(yī)大、第二大(dà)和第三大供应商采购金额(é)占(zhàn)比分(fēn)别是(shì)26.28%、22.85%和5.76%。

  目前江波龙已经(jīng)在存(cún)储产业链上下游建立国内外广泛合作。2022年(nián)年报显示,江波龙(lóng)与三星、美(měi)光、西部数(shù)据等主要存(cún)储晶圆原厂签(qiān)署了长期合约,确保存储晶圆供应的稳(wěn)定性,巩固(gù)公(gōng)司在下(xià)游市场的供应优势,公司也与国内国产存储晶(jīng)圆原厂武汉长江存储、合肥长鑫保持良好的合作(zuò)。

  有(yǒu)券商此(cǐ)前就分析,如果美光在中(zhōng)国区(qū)销售(shòu)受(shòu)到限制,或将(jiāng)导(dǎo)致(zhì)下游客户(hù)转而采(cǎi)购国外(wài)三星、 SK海力士,国内长(zhǎng)江存储、长(zhǎng)鑫存储等竞(jìng)对产(chǎn)品

  分析称(chēng),长(zhǎng)存、长鑫的上游(yóu)设备(bèi)厂(chǎng)或从中受益。存储器的(de)生产已经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工(gōng)艺(yì)。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代,2 维到3维的结构转变使(shǐ)刻蚀和薄(báo)膜成(chéng)为(wèi)最关键、最大量(liàng)的加工设(shè)备。3D NAND每层(céng)均需要经过薄膜沉积(jī)工艺步骤,同(tóng)时刻蚀(shí)目前前沿要(yào)刻到娱乐圈里的万人睡女星,娱乐圈睡得最多的女星 60:1的深孔,未来可能会更深的孔或(huò)者沟(gōu)槽,催生(shēng)更多设备(bèi)需求。据东京电子披露,薄膜沉积设备及刻(kè)蚀占3D NAND产线资本(běn)开支合(hé)计(jì)为75%。自长江存(cún)储被加入美国(guó)限制(zhì)名单,设备国产化进程加速,看好拓荆科技(jì)(薄膜沉积(jī))等相关(guān)公司(sī)份额提升,以及存(cún)储业务(wù)占比(bǐ)较高的华(huá)海清科(CMP)、盛美上(shàng)海(hǎi)(清洗)等(děng)收入增长。

 

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