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　　美光公司在华销售的(de)产品未通过网络安(ān)全审查

　　据网信办消(xiāo)息，日前，网络安全审查办公室(shì)依法对美光公司在华销售产品进行了(le)网(wǎng)络安全审查。

　　审查发现，美光公司产品存(cún)在较严重网络安全(quán)问题隐患，对我(wǒ)国关键(jiàn)信(xìn)息基础设施(shī)供(gōng)应链造(zào)成(chéng)重大安全风险，影响(xiǎng)我国(guó)国家安全。为(wèi)此(cǐ)，网络安全审查办(bàn)公室依法(fǎ)作出不予通(tōng)过网络(luò)安全(quán)审查的结论。按(àn)照《网络安全法》等法律法规(guī)，我(wǒ)国内关(guān)键(jiàn)信息基础设施的运营者应停止采购美(měi)光公司产(chǎn)品(pǐn)。

　　此次对美光公司产品进行网络(luò)安(ān)全审查，目的是防范产品网络安全问题危害国(guó)家关键信息基础设施安全，是维护国家安全的必要措施。中国(guó)坚定推(tuī)进(jìn)高水平对外开放，只(zhǐ)要遵守中(zhōng)国法律法规要求，欢(huān)迎各国企业、各类(lèi)平台产品服务进入中国(guó)市场。

　　3月31日(rì)，中(zhōng)国网信网发文称，为保障关键信息基(jī)础设施供应链安全(quán)，防范产(chǎn)品问题隐患(huàn)造成网络安全风险，维护(hù)国(guó)家安(ān)全，依据《中华人民共(gòng)和国国(guó)家安(ān)全法》《中华人民共和(hé)国网络(luò)安全法》，网(wǎng)络安全审查办公室(shì)按照《网(wǎng)络(luò)安全(quán)审查办法》，对美光公(gōng)司（Micron）在(zài)华销售的产兰州女人为什么戴头巾(chǎn)品实(shí)施网络(luò)安全审查。

　　美光是美(měi)国的存储芯(xīn)片行业(yè)龙头，也是全球存储(chǔ)芯片巨头之一，2022年收入来自中国市场收入(rù)从此(cǐ)前高峰57％降至2022年(nián)约11％。根(gēn)据市(shì)场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年(nián)三星(xīng)电子(zi)、 铠侠、西部数(shù)据、SK 海(hǎi)力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存(cún)）市场(chǎng)份额(é)约为 96.76％，三星电子、 SK 海(hǎi)力士、美光(guāng)在全球(qiú) DRAM （内存(cún)）市场份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公(gōng)司中，江波龙、佰维存储等公司(sī)披露(lù)过美光等国(guó)际(jì)存储厂(chǎng)商为公司(sī)供应(yīng)商。

　　美光在江波龙采购占(zhàn)比已经显著下(xià)降，至(zhì)少(shǎo)已经(jīng)不是主要大(dà)供(gōng)应商(shāng)。

　　公告显示， 2021年美光位列江(jiāng)波龙(lóng)第一大存储晶圆供(gōng)应(yīng)商，采购约(yuē)31亿元，占(zhàn)比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙第一大(dà)、第二大和第三大供应商采购金(jīn)额占比分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目(mù)前江(jiāng)波(bō)龙已经(jīng)在存储产业链上下游建(jiàn)立国内(nèi)外(wài)广泛(fàn)合作。2022年年报显(xiǎn)示，江(jiāng)波龙与(yǔ)三星(xīng)、美光(guāng)、西部数据(jù)等主要存储晶圆(yuán)原厂签署了长期合约，确(què)保存(cún)储晶圆供应的稳定性，巩固公司(sī)在下游市(shì)场(chǎng)的供(gōng)应(yīng)优势，公司也与(yǔ)国(guó)内国(guó)产存(cún)储晶圆原厂武汉长江存(cún)储、合肥长鑫保持(chí)良好的合作。

　　有券(quàn)商(shāng)此(cǐ)前(qián)就(jiù)分析，如(rú)果美光在中国区销售受到限制，或(huò)将导致下游客户转而(ér)采购国外三星、 SK海(hǎi)力士，国内长(zhǎng)江(jiāng)存(cún)储、长(zhǎng)鑫(xīn)存(cún)储等(děng)竞对产品

　　分析(xī)称，长存、长(zhǎng)鑫的上游设备(bèi)厂(chǎng)或从中受益。存储器的生产已(yǐ)经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺(yì)。另外NAND Flash现在已经(jīng)进(jìn)入3D NAND时代(dài)，2 维到3维的结构(gòu)转变使(shǐ)刻蚀和薄膜成为最(zuì)关键(jiàn)、最大(dà)量的加工设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉(chén)积工艺(yì)步骤，同时(shí)刻蚀目前前沿要刻到 60：1的(de)深孔，未来可(kě)能会(huì)更(gè兰州女人为什么戴头巾ng)深的孔或者(zhě)沟槽，催生更多设备需(xū)求。据东京电(diàn)子披露，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支(zhī)合计为75％。自长江存储被加入美国限制名(míng)单，设备国(guó)产化进程加(jiā)速，看好拓荆科技（薄膜(mó)沉(chén)积）等相关公司份(fèn)额提升，以及存储业务占(zhàn)比(bǐ)较高的华海清科（CMP）、盛美(měi)上海（清洗）等收入增长。

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