大家(jiā)好，来看一则突发(fā)消息。

　　美光公(gōng)司在华销售(shòu)的产品未通过网(wǎng)络(luò)安全审查

　　据网信办消息，日前，网(wǎng)络安全(quán)审查办公(gōng)室依法对美光(guāng)公司在华销售产(chǎn)品进行(xíng)了网(wǎng)络安全审(shěn)查。

　　审查发现，美光公司产品存(cún)在较严重网络(luò)安全问题隐患，对我国关键信息基础设施供(gōng)应链造成重大安全风险，影(yǐng)响(xiǎng)我国国家安全。为(wèi)此(cǐ)，网络安全审(shěn)查办公(gōng)室依法作出不(bù)予通过网(wǎng)络安全审查(chá)的(de)结论(lùn)。按照《网络安全(quán)法(fǎ)》等法律法规(guī)，我国内(nèi)关键信(xìn)息基第一次见面握手是左手还是右手，与人握手是左手还是右手础设(shè)施的运营者应停止(zhǐ)采(cǎi)购美光公司产(chǎn)品。

　　此次对美光公司产品进行网络(luò)安全审(shěn)查，目的是防范产品网络安全问题危(wēi)害国家(jiā)关键信息基(jī)础(chǔ)设施安全，是维(wéi)护国(guó)家安全(quán)的必要措(cuò)施。中国坚定推进高水平对(duì)外开放(fàng)，只(zhǐ)要(yào)遵守中(zhōng)国法律法规要求，欢迎各国企(qǐ)业、各类平台(tái)产品服务进入中国市场(chǎng)。

　　3月31日，中国网信网发文称，为(wèi)保障关键(jiàn)信息(xī)基础设施供应(yīng)链安全，防范产品问题(tí)隐(yǐn)患造成网络安全风险，维(wéi)护国(guó)家安(ān)全，依(yī)据(jù)《中华人(rén)民共和国国家安(ān)全(quán)法》《中华人民共和国网络安全法(fǎ)》，网络安全(quán)审查办公室按照《网(wǎng)络安全(quán)审(shěn)查(chá)办法》，对美(měi)光(guāng)公司(sī)（Micron）在华销(xiāo)售的产(chǎn)品实(shí)施网(wǎng)络安(ān)全审查。

　　美光是(shì)美国的存储芯片行业龙头(tóu)，也是全球存储芯片巨(jù)头(tóu)之一，2022年收入(rù)来(lái)自中国(guó)市(shì)场收入从此前高(gāo)峰(fēng)57％降至2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据(jù)、SK 海力士、美(měi)光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存(cún)）市(shì)场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司(sī)中，江波龙(lóng)、佰维存储等(děng)公司披(pī)露(lù)过(guò)美光等国际(jì)存储厂商为(wèi)公司供应(yīng)商。

　　美(měi)光在江波龙采(cǎi)购占比已经显著下降，至少(shǎo)已经不是(shì)主要大供应商。

　　公告显示， 2021年(nián)美光位列江波(bō)龙第(dì)一(yī)大存储(chǔ)晶(jīng)圆供(gōng)应商，采(cǎi)购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙(lóng)第一(yī)大、第二大(dà)和第三大供应(yīng)商采(cǎi)购(gòu)金额(é)占(zhàn)比(bǐ)分别是(shì)26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波龙已经在存储(chǔ)产业链上下(xià)游建立(lì)国内外广泛(fàn)合作。2022年年报显示，江波(bō)龙与(yǔ)三星、美光、西(xī)部数(shù)据等(děng)主要(yào)存储晶圆原厂签(qiān)署了长期合约，确保存储晶圆供应的稳定性，巩固公司在下游市(shì)场的供应(yīng)优(yōu)势，公司也与国内国产存(cún)储晶圆(yuán)原厂武汉长江(jiāng)存储、合肥长鑫保持良好的(de)合作(zuò)。

　　有券商(shāng)此(cǐ)前就分析(xī)，如(rú)果(guǒ)美光在中国(guó)区销(xiāo)售受到限制，或将导(dǎo)致下游客户转而采购国外三星、 SK海力士，国内长(zhǎng)江(jiāng)存储、长鑫存储等竞对(duì)产品

　　分析称，长存、长鑫(xīn)的上(shàng)游设备厂或(huò)从中受益。存储(chǔ)器(qì)的生产已(yǐ)经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入(rù)3D NAND时代(dài)，2 维到3维(wéi)的结构转变使刻(kè)蚀和薄(báo)膜成为(wèi)最关(guān)键、最(zuì)大(dà)量(liàng)的加工设备(bèi)。3D NAND每层均需要经过(guò)薄(báo)膜沉积工艺步骤，同时刻蚀目(mù)前前沿要刻(kè)到 60：1的深孔，未来可(kě)能(néng)会更(gèng)深的(de)孔(kǒng)或者沟(gōu)槽，催生更多设(shè)备需求。据东京电(diàn)子(zi)披露，薄(bá第一次见面握手是左手还是右手，与人握手是左手还是右手o)膜(mó)沉积设(shè)备及刻蚀(shí)占3D NAND产线资本开支合计为75％。自长江存储被加入美(měi)国(guó)限制名单，设(shè)备(bèi)国产化(huà)进程加速，看好(hǎo)拓荆科技(jì)（薄膜沉积）等相关公(gōng)司份(fèn)额提(tí)升，以及存储业务(wù)占比较(jiào)高(gāo)的(de)华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等(děng)收入增(zēng)长(zhǎng)。

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