大家好，来看一则突发消息。

　　美光(guāng)公司在华销售的(de)产品未通过(guò)网络(luò)安全审查

　　据网(wǎng)信办消息(xī)，日前，网(wǎng)络安全审查办(bàn)公室依法对美(měi)光公司(sī)在华销售产品(pǐn)进(jìn)行了网(wǎng)络安全审查。

　　审查发现，美光公司产品存(cún)在较严重网络安全问题隐患，对(duì)我国关键信(xìn)息基础设施供应链造成重大安(ān)全(quán)风险，影响我国(guó)国家(jiā)安全。为此，网络安全审查办公室依(yī)法作出不(bù)予通过(guò)网络安全(quán)审查的结论。按照(zhào)《网络安全法》等法律法规，我(wǒ)国内关(guān)键(jiàn)信息基(jī)础设(shè)施的运营者(zhě)应停(tíng)止采购(gòu)美光公司(sī)产品。

　　此次对(duì)美光公(gōng)司产品(pǐn)进行网络安全审(shěn)查，目的是防范产品网络安(ān)全问题危害国家关键(jiàn)信息(xī)基础(chǔ)设施安全，是维护国(guó)家(jiā)安(ān)全的必(bì)要(yào)措施(shī)。中国坚定推进高水平对(duì)外开放，只要遵守(shǒu)中国(guó)法律法规要求，欢(huān)迎(yíng)各国(guó)企业、各(gè)类平(píng)台产(chǎn)品(pǐn)服务(wù)进入中(zhōng)国市场。

　　3月31日，中(zhōng)国网信网发文(wén)称，为保障关键(jiàn)信(xìn)息基(jī)础(chǔ)设(shè)施供(gōng)应链安全(quán)，防范产品问题隐患造成(chéng)网络安全风(fēng)险(xiǎn)，维护国家(jiā)安全(quán)，依据《中(zhōng)华人民共和国国家安全法》《中(zhōng)华人(rén)民共和国网络(luò)安全法》，网络安全审查办公室按(àn)照(zhào)《网络安全审查办法》，对美光公司（Micron）在华销(xiāo)售的产品(pǐn)实施网络安全审查。

　　美(měi)光(guāng)是美国的存储芯片行业龙头，也(yě)是全球存储(chǔ)芯片(piàn)巨头之一(yī)，2022年收入来自(zì)中国市场收(shōu)入从此前高峰57％降至2022年(nián)约11％。根(gēn)据市场咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠(xiá)、西部数据、SK 海力士、美(měi)光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份额约(yuē)为 96.76％，三星电子、 SK 海力士(shì)、美光(guāng)在全球 DRAM （内存）市场份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司中，江(jiāng)波龙(lóng)、佰维存储等公司披露过美光等(děng)国际存储厂商为公司供应商。

　　美光在江波龙(lóng)采购(gòu)占比已经(jīng)显著下(xià)降，至(zhì)少已经不是主要(yào)大供应(yīng)商(shāng)。

　　公告(gào)显示， 2021年美光(guāng)位列(liè)江(jiāng)波龙第一(yī)大存(cún)储晶(jīng)圆供应(yīng)商，采(cǎi)购约(yuē)31亿(yì)元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和(hé)第三大供应商(shāng)采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经(jīng)在存储产(chǎn)业(yè)链上下游(yóu)建立国内(nèi)外广泛合(hé)作。2022年年报显示，江波(bō)龙与三星、美光、西部数据等主要(yào)存储晶圆原厂签署了长期合约，确(què)保存储(chǔ)晶圆(yuán)供应的(de)稳定性，巩固公司在下游市(shì)场的(de)供应优势(shì)，公司也与国内国产存储晶圆原(yuán)厂武汉长江存储、合肥长鑫保持良好的合作。

　　有券商(shāng)此前就(jiù)分析(xī)，如(rú)果(guǒ)美光在(zài)中(zhōng)国区销售受(shòu)到限刘备文学是什么意思，刘备文学啥意思制，或将导致下游客户(hù)转而采(cǎi)购国(guó)外三星、 SK海力士(shì)，国内长江存储、长鑫存储等竞对(duì)产品(pǐn)

　　分析称，长存、长(zhǎng)鑫的上游设备厂或从中受(shòu)益。存储(chǔ)器的生(shēng)产(chǎn)已(yǐ)经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺(yì)。另外(wài)NAND Flas刘备文学是什么意思，刘备文学啥意思h现在已经进入3D NAND时代，2 维(wéi)到3维的结构(gòu)转变使刻蚀和薄(báo)膜成为最关键、最大量的加工(gōng)设备。3D NAND每层均需(xū)要经过(guò)薄膜沉(chén)积(jī)工艺步骤，同时刻蚀目前前沿要(yào)刻到(dào) 60：1的深孔，未来(lái)可能(néng)会更深的(de)孔或者沟槽(cáo)，催(cuī)生更多(duō)设备需求。据东(dōng)京电子披露，薄(báo)膜沉(chén)积设(shè)备(bèi)及(jí)刻蚀占3D NAND产线资本开(kāi)支合(hé)计(jì)为(wèi)75％。自长(zhǎng)江(jiāng)存储被加入美(měi)国限制(zhì)名单，设(shè)备国产化进程(chéng)加速，看好拓荆科技（薄膜沉积）等相关公司份额提(tí)升(shēng)，以及存储业(yè)务占比(bǐ)较高的华海清科（CMP）、盛美(měi)上海（清洗）等收入增(zēng)长。

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