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　　美(měi)光公司(sī)在华销售的产(chǎn)品未通过网络安全(quán)审(shěn)查

　　据(jù)网信办消息，日前，网络安全审查办公室依法对美光公司在(zài)华销售杰威尔属于什么档次，男士护肤品十大排行榜10强(shòu)产(chǎn)品进(jìn)行了网(wǎng)络安全审查。

　　审查发现，美光公司产品存(cún)在较严重网(wǎng)络(luò)安全问题隐患(huàn)，对我国关键信息基础设施供应链造成重大安全风险，影响我国国家(jiā)安全。为此，网络安全(quán)审查办公室(shì)依法(fǎ)作出不予通过网络安(ān)全审查的结论。按照《网络(luò)安(ān杰威尔属于什么档次，男士护肤品十大排行榜10强)全(quán)法》等(děng)法(fǎ)律法(fǎ)规，我国内关键(jiàn)信息基础设(shè)施(shī)的(de)运营者应(yīng)停止采购美光公司产品(pǐn)。

　　此次(cì)对(duì)美光公(gōng)司产品进行网络安全审查，目(mù)的是防范产品(pǐn)网络(luò)安(ān)全问(wèn)题(tí)危害国家关(guān)键信息基础设施安全，是维护国家安(ān)全的(de)必要措施。中国坚定推进高水平对外开(kāi)放，只(zhǐ)要(yào)遵守(shǒu)中国法律法(fǎ)规要求，欢(huān)迎各(gè)国企(qǐ)业、各(gè)类平台产(chǎn)品服务进入中(zhōng)国市场。

　　3月31日，中国网(wǎng)信网(wǎng)发文称，为保障(zhàng)关键信(xìn)息基础设施供(gōng)应链安全，防(fáng)范(fàn)产品问题隐(yǐn)患造成网络安全风险，维护国家安全，依据《中华人民(mín)共和国国家安全法》《中(zhōng)华人民共和国(guó)网络安全法(fǎ)》，网络安全审查办公室按(àn)照《网络安全审查办法》，对美光公(gōng)司（Micron）在华(huá)销售的(de)产品实施网络(luò)安全审(shěn)查。

　　美光是美国的存储芯(xīn)片(piàn)行业龙头(tóu)，也是全球存储芯片巨头之(zhī)一，2022年收入来自中国市场收入从此前高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数(shù)据、SK 海(hǎi)力士(shì)、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份额约为 96.76％，三星电(diàn)子(zi)、 SK 海力士、美光(guāng)在全球 DRAM （内存）市(shì)场份额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司中，江波龙、佰维存储等公司披露过美光等国际存储厂商为(wèi)公司供应(yīng)商。

　　美光在江波龙采购占比已经显(xiǎn)著下(xià)降，至少已经不是主(zhǔ)要大供应商。

　　公告显示， 2021年美光位列江波龙(lóng)第一大(dà)存(cún)储(chǔ)晶圆供应(yīng)商(shāng)，采(cǎi)购约(yuē)31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波(bō)龙第一大、第二大和第(dì)三大供应商(shāng)采购金(jīn)额占比分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波龙已经(jīng)在存储产(chǎn)业链(liàn)上下(xià)游(yóu)建(jiàn)立国内外(wài)广泛(fàn)合作。2022年(nián)年报显(xiǎn)示，江波(bō)龙与三星、美光、西部数(shù)据等(děng)主要存储(chǔ)晶圆原厂(chǎng)签署了长期(qī)合约，确保存储晶(jīng)圆供应(yīng)的(de)稳定性，巩固公司在(zài)下(xià)游市场的供应优(yōu)势，公司也与(yǔ)国(guó)内国产存储晶圆原厂武汉长江存储(chǔ)、合肥长鑫保持(chí)良好的合(hé)作。

　　有券商此前就(jiù)分析，如果美光在中(zhōng)国(guó)区销售(shòu)受到限(xiàn)制，或(huò)将导(dǎo)致下(xià)游客户转而采购国外三星、 SK海力士，国内(nèi)长江存储、长鑫存储等(děng)竞对产品

　　分析称，长存(cún)、长鑫(xīn)的上游设(shè)备厂(chǎng)或(huò)从中(zhōng)受(shòu)益(yì)。存储器的生产已经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚杰威尔属于什么档次，男士护肤品十大排行榜10强至(zhì)1Znm的工艺。另(lìng)外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转(zhuǎn)变使刻蚀(shí)和薄膜成为最关键、最大量的加工设备。3D NAND每(měi)层均需要经过薄(báo)膜沉(chén)积(jī)工艺(yì)步骤，同时刻蚀目前前沿要(yào)刻(kè)到 60：1的深孔，未来可能(néng)会更深的孔或(huò)者沟槽(cáo)，催生更多设备需求(qiú)。据东(dōng)京电(diàn)子披露，薄膜(mó)沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为75％。自长(zhǎng)江存储被加入(rù)美国(guó)限制名单，设备(bèi)国产化(huà)进程加速(sù)，看好拓荆科技（薄膜沉积）等(děng)相(xiāng)关(guān)公司份额提升，以及存储业务占(zhàn)比(bǐ)较高的(de)华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长(zhǎng)。

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