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　　美光(guāng)公司在华销售的产品未(wèi)通(tōng)过网络安全审查

　　据(jù)网信(xìn)办消息，日前，网(wǎng)络安全审查办公室依(yī)法(fǎ)对(duì)美光公司在华(huá)销(xiāo)售产品(pǐn)进行(xíng)了网络安全审查。

　　审(shěn)查发现，美光公(gōng)司产(chǎn)品存在较严重网络安全问题隐患(huàn)，对(duì)我国关键(jiàn)信(xìn)息基础设施供应(yīng)链造(zào)成重大安(ān)全风(fēng)险，影(yǐng)响我国国家安全。为此，网络安全审查办公(gōng)室(shì)依(yī)法作(zuò)出不予通过网络(luò)安全审查(chá)的结论。按照《网络安全(quán)法》等法律法规(guī)，我国内关键(jiàn)信息基础设施的运(yùn)营者应停止(zhǐ)采(cǎi)购美(měi)光公司产品。

　　此次对美光公司(sī)产(chǎn)品进行网络(luò)安全审(shěn)查，目的是防范产品网(wǎng)络安全问题危害(hài)国(guó)家关(guān)键信息(xī)基础设施安全，是维(wéi)护国(guó)家安全的(de)必要措施(shī)。中国坚定推(tuī)进(jìn)高(gāo)水平对外开(kāi)放，只(zhǐ)要遵守(shǒu)中国法律法规要求(qiú)，欢迎各国(guó)企业、各类平台(tái)产品(pǐn)服务进入(rù)中国(guó)市场(chǎng)。

　　3月(yuè)31日，中国网信(xìn)网发文称，为保(bǎo)障关键信息(xī)基础(chǔ)设施(shī)供应链安全，防(fáng)范产品(pǐn)问题隐(yǐn)患造成网(wǎng)络安全风(fēng)险，维护国(guó)家(jiā)安全，依据《中华人民共和国国家安全(quán)法(fǎ)》《中华人民共(gòng)和国网络安(ān)全法》，网络安全(quán)审查(chá)办公室按照(zhào)《网络安全审查(chá)办法(fǎ)》，对美光公司(sī)（Micron）在华销售的产品实施网络安全审查(chá)。

　　美(měi)光是美国的存储芯(xīn)片行业龙头，也是全球存储芯片巨头之一，2022年收入(rù)来自中国市场收(shōu)入从(cóng)此前高峰(fēng)57％降至2022年约11％。根据市场咨(zī)询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三(sān)星电子、 铠侠、西(xī)部数据(jù)、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存(cún)）市场份额(é)约(yuē)为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美(měi)光在全球 DRAM （内(nèi)存(cún)）市场份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市(shì)公司中，江波龙、佰维存(cún)储等(děng)公司披露过(guò)美光等国(guó)际(jì)存储厂商为公司供应商。

　　美(měi)光在江(jiāng)波龙采购占比(bǐ)已(yǐ)经显著(zhù)下降(jiàng)，至少已(yǐ)经不是主要大供应商(shāng)。

　　公告显示(shì)， 2021年美光位(wèi)列江波龙第一(yī)大存(cún)储晶圆供(gōng)应商(shāng)，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和(hé)第三大(dà)供应商(shāng)采购金额占比(bǐ)分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波(bō)龙已经在存储产业(yè)链上下游(yóu)建立(lì)国内外广(guǎng)泛合作。2022年年报显示，江波龙与三星、美光(guāng)、西部(bù)数(shù)据等主要存储晶圆(yuán)原厂签署了长期(qī)合约，确保存储晶圆供应的稳定性，巩固公(gōng)司在(zài)下游市场的(de)供应优势，公司(sī)也与(yǔ)国(guó)内国(guó)产存储晶圆原厂武汉(hàn)长江(jiāng)存储、合肥长鑫保持良好(hǎo)的(de)合作(zuò)。

　　有券(quàn)商此前就(jiù)分析，如果美光在中国区销售受到限(xiàn)制，或将导致下游客户转(zhuǎn)而采购国外三星、 SK海(hǎi)力士(shì)，清朝八王之乱是哪八王，西晋八王之乱是哪八王国内长江(jiāng)存储、长(zhǎng)鑫存储等竞对产品

　　分(fēn)析称(chēng)，长(zhǎng)存、长鑫的上游设备厂或从中受(shòu)益。存储器(qì)的生(shēng)产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另外(wài)NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使刻蚀和薄膜成为最关键、最大量的加工设备。3D NAND每(měi)层均需要经过(guò)薄膜沉积工艺步骤，同时刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深(shēn)孔，未(wèi)来可(kě)能会更深的孔或者沟(gōu)槽，催生更多设备需求(qiú)。据东(dōng)京电子披露，薄膜沉(chén)积设(shè)备(bèi)及刻蚀占3D NAND产线资(zī)本开支合(hé)计为75％。自长(zhǎng)江(jiāng)存储被加入美国(guó)限制名单，设备国产化进程加(jiā)速(sù)，看好拓荆科技（薄膜沉积）等相(xiāng)关公司(sī)份额提升，以及存储业务占比(bǐ)较高的华海(hǎi)清科（CMP）、盛美(měi)上海（清洗）等收入增(zēng)长。

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