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　　美光公司(sī)在华销售的产品未通过网络(luò)安全审查

　　据网信办消(xiāo)息(xī)，日(rì)前，网络安全(quán)审查(chá)办(bàn)公(gōng)室依法对美光公司在华销售产品进(jìn)行了网(wǎng)络安(ān)全审查(chá)。

　　审查发现，美光公(gōng)司(sī)产品(pǐn)存在较严重网络(luò)安全问题隐患，对我(wǒ)国关键信(xìn)息(xī)基础设施供(gōng)应链造成重大安全(quán)风险，影响我(wǒ)国国家安(ān)全。为此，网络安全(quán)审查办公(gōng)室依法作出不予通过网络(luò)安全审查的结(jié)论。按照《网络安全法》等(děng)法律法规，我国内关(guān)键(jiàn)信息基础(chǔ)设施的(de)运(yùn)营者应(yīng)停止采购美(měi)光公(gōng)司产品(pǐn)。

　　此(cǐ)次对美(mě大冤种什么意思，大冤种和大怨种区别i)光公司产品进行网络安全审(shěn)查，目的是(shì)防范产品网络安全问题(tí)危(wēi)害国家关键信息基(jī)础设施安全，是(shì)维护国家安全(quán)的(de)必要措施。中国坚定推进高水平对外开放，只要遵守中国法律法规(guī)要求(qiú)，欢迎各国企业、各类(lèi)平(píng)台产大冤种什么意思，大冤种和大怨种区别(chǎn)品服(fú)务进入中国市(shì)场。

　　3月31日大冤种什么意思，大冤种和大怨种区别，中国网信网发文称，为(wèi)保障(zhàng)关(guān)键(jiàn)信息基础设(shè)施(shī)供(gōng)应链安全，防范产品问题(tí)隐(yǐn)患造(zào)成网络安全风险，维护国(guó)家安全，依据《中华人民共和国国(guó)家(jiā)安全法》《中华人民共和国网络安全法》，网络安全(quán)审查办公室(shì)按(àn)照《网络(luò)安(ān)全(quán)审(shěn)查办(bàn)法》，对美光公(gōng)司（Micron）在华销售的产品实施网络安全审(shěn)查(chá)。

　　美光是美国的存储芯片行业龙头，也(yě)是全球存(cún)储芯片巨头之(zhī)一，2022年收入(rù)来自中国市场(chǎng)收入从此前高峰57％降至(zhì)2022年约11％。根据(jù)市场咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子(zi)、 铠侠、西部(bù)数据、SK 海(hǎi)力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额(é)约为 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海力(lì)士、美光在全球 DRAM （内(nèi)存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维存(cún)储等公司(sī)披(pī)露过(guò)美光等国际(jì)存储厂商为公司(sī)供应商。

　　美光(guāng)在江(jiāng)波龙采购占(zhàn)比(bǐ)已经显(xiǎn)著下降，至少(shǎo)已经(jīng)不是主要大供应商。

　　公告显示， 2021年美(měi)光位列江波龙第(dì)一大存储晶圆供应商(shāng)，采购(gòu)约31亿(yì)元，占(zhàn)比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙第一(yī)大、第(dì)二大和第(dì)三大供(gōng)应商采购(gòu)金额占比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存(cún)储产业链上下(xià)游建立国内外广泛合(hé)作。2022年年报显示，江波龙(lóng)与三(sān)星、美光、西部数据等(děng)主要存储晶圆(yuán)原厂签署(shǔ)了(le)长期合约(yuē)，确保存储(chǔ)晶圆供(gōng)应(yīng)的稳定性，巩固公司在下游市场的供(gōng)应优势，公(gōng)司也与国(guó)内国产(chǎn)存储(chǔ)晶圆原厂武汉长江(jiāng)存储(chǔ)、合肥长鑫保持良好(hǎo)的合作。

　　有券商此前就分析，如果美光在中国(guó)区(qū)销(xiāo)售(shòu)受(shòu)到限制，或(huò)将导致(zhì)下游客户转而采购国外(wài)三星、 SK海力士，国内长江存储、长鑫存储等竞对(duì)产(chǎn)品

　　分析称，长(zhǎng)存、长鑫(xīn)的上(shàng)游设备厂(chǎng)或从中受益。存储器的生产已(yǐ)经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经(jīng)进入(rù)3D NAND时代(dài)，2 维(wéi)到3维的结(jié)构转(zhuǎn)变使刻蚀和薄膜(mó)成(chéng)为最关键(jiàn)、最(zuì)大量的加工(gōng)设备(bèi)。3D NAND每层均需要经过(guò)薄膜沉积工艺(yì)步(bù)骤，同时(shí)刻(kè)蚀(shí)目前前(qián)沿要刻到 60：1的深孔，未来可(kě)能会更深的孔或者沟槽，催生更多设备需求。据东京电子披露，薄膜沉(chén)积(jī)设备及刻(kè)蚀(shí)占3D NAND产线资本开支合(hé)计为75％。自长江(jiāng)存储(chǔ)被加(jiā)入(rù)美国限制名单，设备国产化进程加速，看好拓荆(jīng)科技（薄(báo)膜沉积）等相关公司份额提升，以及(jí)存储业务占比较高的华海清(qīng)科（CMP）、盛美上(shàng)海（清洗）等收入增长。

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