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　　美光公(gōng)司(sī)在华(huá)销售的产(chǎn)品未通过网络安全审查

　　据网(wǎng)信办(bàn)消息(xī)，日前，网络安全审查办(bàn)公室依法(fǎ)对美光公司在华销售产(chǎn)品进行了网络安全审查(chá)。

　　审查发(fā)现，美光公(gōng)司(sī)产品存在四字拟声词有哪些ABAB式，abcd四字拟声词有哪些较严重网(wǎng)络安全问(wèn)题隐患，对我国(guó)关键信(xìn)息基础设(shè)施供应链造成(chéng)重大安全风险(xiǎn)，影响我(wǒ)国国家安全。为此(cǐ)，网络安(ān)全审查办公(gōng)室依法(fǎ)作出不予(yǔ)通过网(wǎng)络安全审查的结论。按照《网(wǎng)络(luò)安全(quán)法(fǎ)》等法律(lǜ)法规，我国内关(guān)键信(xìn)息基础(chǔ)设施的运营者应停止(zhǐ)采购美光公司产品。

　　此次对美光公司产(chǎn)品(pǐn)进(jìn)行网(wǎng)络安全审查，目(mù)的是(shì)防范产(chǎn)品(pǐn)网(wǎng)络(luò)安全问题危(wēi)害国家关(guān)键信(xìn)息基础设施安全(quán)，是维护国(guó)家(jiā)安全的(de)必要措施。中国坚(jiān)定推进高水平对外(wài)开放，只要遵守中国法律法规(guī)要(yào)求(qiú)，四字拟声词有哪些ABAB式，abcd四字拟声词有哪些欢迎各(gè)国(guó)企业、各类平台产品服(fú)务进入中(zhōng)国市(shì)场。

　　3月31日，中国网信网(wǎng)发文称，为保障关(guān)键信息基础设施供应链(liàn)安全，防(fáng)范产品四字拟声词有哪些ABAB式，abcd四字拟声词有哪些问题隐患(huàn)造(zào)成网络安全风险，维护(hù)国家安全，依(yī)据《中华人民共(gòng)和国(guó)国家安全法》《中华(huá)人民共和国网络安(ān)全(quán)法》，网络安全审(shěn)查办公室按照《网(wǎng)络安(ān)全审查办法(fǎ)》，对美光公司(sī)（Micron）在华(huá)销售的产(chǎn)品实施网络安(ān)全(quán)审查。

　　美(měi)光(guāng)是(shì)美国的存储(chǔ)芯片行业(yè)龙头，也(yě)是(shì)全球(qiú)存储(chǔ)芯片巨头之一(yī)，2022年收入来自中国(guó)市场收入从此前高峰(fēng)57％降至(zhì)2022年(nián)约(yuē)11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星电子、 铠侠、西部数据(jù)、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存(cún)）市场份(fèn)额约为 96.76％，三(sān)星(xīng)电子、 SK 海力(lì)士、美光在全球 DRAM （内(nèi)存）市(shì)场份额约为 94.35％。

　　A股上市(shì)公(gōng)司中，江波龙、佰(bǎi)维(wéi)存储等(děng)公司披露过美光等国(guó)际存储厂商为公司供应商(shāng)。

　　美光在江波龙(lóng)采购占(zhàn)比已经显(xiǎn)著下降(jiàng)，至少已经不(bù)是主要大供应商。

　　公(gōng)告显示， 2021年美光(guāng)位列江波龙第一大存储晶圆供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年(nián)，江(jiāng)波(bō)龙第一大、第(dì)二大和(hé)第三大供应(yīng)商(shāng)采购金额(é)占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙(lóng)已经在存储产业链上下游(yóu)建立(lì)国内外广泛合(hé)作。2022年年报(bào)显示，江波龙与三星、美光、西部数(shù)据等主要存储晶圆原厂签署(shǔ)了长期(qī)合约(yuē)，确(què)保存储(chǔ)晶圆供(gōng)应的稳定性，巩固公司在(zài)下游市场的供应优势，公(gōng)司也(yě)与国内(nèi)国产存储(chǔ)晶圆原(yuán)厂武汉长江存储、合肥长鑫保持(chí)良好的(de)合作。

　　有(yǒu)券(quàn)商此前就(jiù)分析(xī)，如果美(měi)光在中(zhōng)国区销售受到限制，或(huò)将(jiāng)导(dǎo)致(zhì)下游客(kè)户转而采购国外(wài)三星、 SK海力士，国内长江存储、长鑫(xīn)存储(chǔ)等竞对(duì)产品

　　分析称，长存、长鑫的上游(yóu)设备厂或从(cóng)中受益(yì)。存储(chǔ)器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺(yì)。另外(wài)NAND Flash现(xiàn)在已经进入3D NAND时代，2 维到3维(wéi)的结构转变使刻蚀和薄膜成(chéng)为(wèi)最关(guān)键、最大量的加工设备。3D NAND每(měi)层均需要经(jīng)过薄膜沉积工(gōng)艺步骤，同(tóng)时刻蚀目前(qián)前沿(yán)要刻到 60：1的(de)深孔，未来可(kě)能(néng)会更深的孔(kǒng)或者沟槽，催生更多(duō)设备需求。据东京电子披露，薄(báo)膜沉积(jī)设备及刻(kè)蚀(shí)占(zhàn)3D NAND产(chǎn)线资(zī)本开支合计为(wèi)75％。自长江存储被加(jiā)入美国限制名单，设(shè)备国产(chǎn)化(huà)进(jìn)程加速(sù)，看好(hǎo)拓荆科技（薄膜沉积(jī)）等相关公(gōng)司份额提升，以及存储业(yè)务占比较高的华海(hǎi)清(qīng)科（CMP）、盛美上(shàng)海（清洗）等收入(rù)增(zēng)长。

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