大家好，来看一则(zé)突发消息。

　　美光公(gōng)司(sī)在华销售的产品未通过网络安全审(shěn)查

　　据(jù)网信办消息，日前，网络安(ān)全(quán)审查办公室依法对(duì)美(měi)光公(gōng)司在华(huá)销售产品进行了网(wǎng)络安全审查。

　　审查发(fā)现，美光公司产(chǎn)品(pǐn)存在较严(yán)重(zhòng)网络(luò)安全问题(tí)隐患(huàn)，对我国关键信息基础(chǔ)设(shè)施供(gōng)应链造成(chéng)重大安(ān)全风险，影(yǐng)响我国(guó)国家安(ān)全。为此，网络安(ān)全审查办公室依法作出不予通过网络(luò)安全审(shěn)查的结(jié)论。按照《网(wǎng)络安(ān)全法》等法律法规，我国内关键信息基础(chǔ)设施的运(yùn)营者(zhě)应停(tíng)止采购美光公(gōng)司产品。

　　此次对美光(guāng)公司产品进行网络(luò)安全审查，目的是防范产品网络安(ān)全问题危害国家关键信(xìn)息基础设施安全，是维护(hù)国家安全的必要措施(shī)。中(zhōng)国坚定(dìng)推进(jìn)高水(shuǐ)平对外开放，只要遵(zūn)守中国法(fǎ)律法规(guī)要求，欢迎各国(guó)企业、各类平台(tái)产品服务进入中国市场(chǎng)。

　　3月31日，中国(guó)网(wǎng)信(xìn)网(wǎng)发文称，为保(bǎo)障关(guān)键信(xìn)息基础设施供应链(liàn)安(ān)全(quán)，防范(fàn)产品(pǐn)问(wèn)题隐患造成(chéng)网(wǎng)络安全风(fēng)险，维(wéi)护(hù)国家安全，依据《中华(huá)人(rén)民共(gòng)和国国家安全法》《中(zhōng)华人民共和国网(wǎng)络(luò)安(ān)全法》，网络安(ān)全审(shěn)查办(bàn)公室按照《网(wǎng)络安(ān)全审查办法(fǎ)》，对美光公司（Micron）在(zài)华销(xiāo)售的产品实施网络安(ān)全审查。

　　美光是美国的存储芯片行(xíng)业龙头，也是(shì)全球(qiú)存储芯片巨头(tóu)之一，2022年(nián)收入来(lái)自中国市场收入从(cóng)此前高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨(zī)询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星电水密码这个牌子靠谱吗，水密码这个牌子怎么样子、 铠侠、西部数据(jù)、SK 海力士、美光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存(cún)）市场份额(é)约为 96.76％，三星电子、 SK 海(hǎi)力(lì)士、美(měi)光在全(quán)球 DRAM （内(nèi)存）市场(chǎng)份额约(yuē)为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司中，江(jiāng)波龙、佰维存储等公司披露过(guò)美(měi)水密码这个牌子靠谱吗，水密码这个牌子怎么样24px;'>水密码这个牌子靠谱吗，水密码这个牌子怎么样光等(děng)国际存储厂商为公司供(gōng)应商。

　　美光在江(jiāng)波龙采购占(zhàn)比已经(jīng)显著(zhù)下降，至(zhì)少已经(jīng)不(bù)是主要(yào)大(dà)供应商(shāng)。

　　公(gōng)告显示， 2021年(nián)美光位列江(jiāng)波龙第一大存储晶圆供应商，采购约31亿(yì)元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙第(dì)一大、第二大和(hé)第(dì)三(sān)大供应商采购金额占比分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已(yǐ)经在(zài)存储产(chǎn)业链上下游建立国内外广泛(fàn)合作。2022年年报(bào)显(xiǎn)示，江波(bō)龙与三星、美(měi)光、西部数(shù)据等主要存(cún)储晶圆原厂签(qiān)署了(le)长期(qī)合约，确保存储晶(jīng)圆供应的稳定性(xìng)，巩固公司在下游市场的供应(yīng)优势，公(gōng)司也与国内国(guó)产(chǎn)存储晶圆原厂(chǎng)武汉(hàn)长江存储(chǔ)、合肥(féi)长(zhǎng)鑫保持良好的合作。

　　有券商此前就(jiù)分(fēn)析，如果美(měi)光在中国区销(xiāo)售(shòu)受到限(xiàn)制，或将导(dǎo)致下游客户转而采购国外三星、 SK海力士，国内(nèi)长江(jiāng)存储、长鑫存(cún)储等竞(jìng)对产品(pǐn)

　　分析(xī)称(chēng)，长(zhǎng)存、长鑫的上(shàng)游(yóu)设备厂或从中(zhōng)受益。存储器的(de)生(shēng)产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现在已(yǐ)经进入3D NAND时代(dài)，2 维到3维的结构转变使刻(kè)蚀和薄膜成(chéng)为最(zuì)关键、最大量(liàng)的加工设备(bèi)。3D NAND每层(céng)均需要经过薄膜沉积工艺步骤，同时刻蚀(shí)目前前沿要(yào)刻到 60：1的深(shēn)孔，未来(lái)可能会更(gèng)深的孔或者沟槽，催(cuī)生更多设备需求(qiú)。据东(dōng)京(jīng)电子披露，薄膜沉(chén)积(jī)设备及刻蚀占(zhàn)3D NAND产线资(zī)本开(kāi)支合(hé)计为75％。自长江存储被(bèi)加入(rù)美国限制(zhì)名单，设备国产化进程加速，看好拓荆科技（薄膜沉积）等(děng)相关公司份额提升，以(yǐ)及存储(chǔ)业务占比较高的华海清科(kē)（CMP）、盛美(měi)上海（清(qīng)洗）等收入增长。

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