大家好，来看(kàn)一则突(tū)发消息(xī)。

　　美(měi)光(guāng)公司在(zài)华销售的产品未通过网(wǎng)络安全审查(chá)

　　据网信办消(xiāo)息(xī)，日前(qián)，网络安全审查(chá)办公(gōng)室依(yī)法对(duì)美光公司在华销售产(chǎn)品进行了网(wǎng)络(luò)安全(quán)审(shěn)查。

　　审(shěn)查发现，美光公司产品存在(zài)较严重网络安(ān)全(quán)问(wèn)题隐患，对我国关(guān)键信(xìn)息基础设施(shī)供应链造成(chéng)重大安全风险，影响我国国家安全。为此，网(wǎng)络(luò)安(ān)全(quán)审查(chá)办公室依法作出(chū)不予通过网络(luò)安全审查的结(jié)论。按照《网络安(ān)全法》等法律法规(guī)，我国内关键信息(xī)基础设施的运营者应停止(zhǐ)采购美(měi)光(guāng)公司(sī)产品。<家长意见怎么写最简单家长评语20字，家长意见怎么写最简单 家长评语20字以内/strong>

　　此(cǐ)次对美光公司产品(pǐn)进行网络安全审(shěn)查，目的(de)是(shì)防范产品(pǐn)网(wǎng)络安全(quán)问题危害国(guó)家关键(jiàn)信息基础(chǔ)设施(shī)安全，是(shì)维护国家安(ān)全的必(bì)要(yào)措施。中国坚定推(tuī)进(jìn)高水家长意见怎么写最简单家长评语20字，家长意见怎么写最简单 家长评语20字以内平对外开放，只要遵守中国法律法规要求，欢迎各国企(qǐ)业(yè)、各类(lèi)平台产品服务进入中国市场。

　　3月31日，中国网信网发(fā)文(wén)称(chēng)，为保(bǎo)障关键信息基础(chǔ)设施供应链安全，防范产品(pǐn)问题隐患造(zào)成网络安全风险，维护国家安全，依据《中华人(rén)民共(gòng)和(hé)国国家安全法》《中华(huá)人民(mín)共和国(guó)网络安全法》，网络安全(quán)审查办(bàn)公室按照《网络安全审查办法(fǎ)》，对(duì)美光公(gōng)司（Micron）在华销售(shòu)的产品实(shí)施网络(luò)安全审(shěn)查。

　　美光是美国的(de)存(cún)储芯片行业龙头，也是全球存储芯(xīn)片(piàn)巨头之一(yī)，2022年(nián)收入来自(zì)中国市场收入从此前高(gāo)峰57％降(jiàng)至2022年约(yuē)11％。根(gēn)据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星(xīng)电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额(é)约为 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市场(chǎng)份额(é)约(yuē)为(wèi) 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公(gōng)司(sī)中，江波龙、佰(bǎi)维(wéi)存储(chǔ)等公司披露过美(měi)光等国(guó)际存储厂商(shāng)为公司供应商。

　　美(měi)光在(zài)江波龙采购占(zhàn)比已经显著下(xià)降，至少已经不是主要大供应商。

　　公告显示(shì)， 2021年美光位(wèi)列江(jiāng)波龙第一(yī)大存(cún)储晶圆(yuán)供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江(jiāng)波(bō)龙(lóng)第一大、第二大和(hé)第三大(dà)供应商采购金额占比分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波龙已(yǐ)经在存储(chǔ)产业链上下游建立国内(nèi)外广泛(fàn)合作。2022年年报显(xiǎn)示，江波龙与(yǔ)三星、美(měi)光、西部(bù)数据(jù)等主要存储晶圆原(yuán)厂(chǎng)签署了长期合(hé)约，确保(bǎo)存储晶圆供应的稳定性，巩固公司在下游市(shì)场的供(gōng)应优势，公司也与国内国(guó)产存储晶圆(yuán)原厂武(wǔ)汉长(zhǎng)江存储、合(hé)肥(féi)长(zhǎng)鑫保持良好的合作。

　　有券商此前就(jiù)分析，如果(guǒ)美光在中国区销售受(shòu)到限制，或将导致下游客户转而(ér)采购国外(wài)三星、 SK海力士，国内长江存储、长(zhǎng)鑫存储(chǔ)等(děng)竞对(duì)产(chǎn)品

　　分析称，长(zhǎng)存、长(zhǎng)鑫的(de)上(shàng)游(yóu)设备厂或从中受(shòu)益。存储器的生产已经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另(lìng)外NAND Flash现在(zài)已经进(jìn)入3D NAND时(shí)代(dài)，2 维到3维的结构转变使刻蚀和薄膜成为最关键、最(zuì)大(dà)量的加工(gōng)设(shè)备。3D NAND每(měi)层均需(xū)要经过薄膜沉积工艺步(bù)骤，同时刻蚀目(mù)前前沿要(yào)刻到(dào) 60：1的深孔(kǒng)，未来可(kě)能会更(gèng)深的孔或者沟槽(cáo)，催生(shēng)更多设备需(xū)求。据东京(jīng)电子披露，薄(báo)膜沉积设备及刻(kè)蚀占3D NAND产线资本开(kāi)支合计为75％。自(zì)长(zhǎng)江存储被加入美国限(xiàn)制(zhì)名单，设备国产化进程(chéng)加速(sù)，看好(hǎo)拓荆科技（薄(báo)膜沉(chén)积）等相关公司份额提升，以及存储业务占比(bǐ)较(jiào)高(gāo)的(de)华海清科（CMP）、盛(shèng)美上海(hǎi)（清洗）等收入增长。