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　　美光(guāng)公司在华(huá)销售的产品未通过网络安全审查

　　据网信办消息，日前，网络安全(quán)审查办公室依法对美光公司在华(huá)销售产品(pǐn)进行了网(wǎng)络安(ān)全(quán)审(shěn)查。

　　审查发现，美光公(gōng)司产品存在较严重网络安全(quán)问题隐患，对我国关键信息(xī)基础设施(shī)供应链(liàn)造成重(zhòng)大(dà)安全(quán)风险，影响我(wǒ)国(guó)国(guó)家安全(quán)。为此，网络安全审黥刑是什么刑罚 黥刑是轻刑还是重刑查办(bàn)公室依法作出不予通过网络安(ān)全审(shěn)查的结论(lùn)。按(àn)照《网(wǎng)络(luò)安(ān)全(quán)法》等法律法规(guī)，我国内关键信息(xī)基础设(shè)施的运营者应停止采购美(měi)光公司产品。

　　此次对美光公(gōng)司产品进行(xíng)网络安全(quán)审查，目的是(shì)防范产品(pǐn)网络(luò)安(ān)全问题危害国家关键(jiàn)信息基础设施安全，是维(wéi)护国家(jiā)安(ān)全的必要(yào)措施。中国坚定推进高水平对外(wài)开放，只要遵(zūn)守中国法律(lǜ)法(fǎ)规要求，欢(huān)迎各国企业、各类平台产品服务进(jìn)入(rù)中国市场。

　　3月31日(rì)，中国网信(xìn)网发文(wén)称，为保障关键信息(xī)基础设(shè)施(shī)供应链(liàn)安全(quán)，防范产品问题隐患造成网络(luò)安全(quán)风险，维护国家安全(quán)，依据《中华人民共(gòng)和国国家安(ān)全法》《中华人(rén)民(mín)共和国网络安全法(fǎ)》，网络安全(quán)审查办公室按照《网络安全(quán)审查(chá)办法》，对美光(guāng)公司（Micron）在华销(xiāo)售的产品实(shí)施网络安全审查(chá)。

　　美光是美国的存储芯片行业龙头(tóu)，也是全球存储芯片巨头之一，2022年收入来(lái)自中国市(shì)场(chǎng)收入从此前高峰(fēng)57％降至2022年约(yuē)11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三(sān)星电(diàn)子、 铠侠、西部数(shù)据(jù)、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为(wèi) 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海力士、美(měi)光在全球 DRAM （内存）市场份额(é)约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维存储等公司披露过美光(guāng)等(děng)国际存储厂商(shāng)为公司供应(yīng)商。

　　美(měi)光在江波龙采购占比已经显著下降，至少已经不是(shì)主要大供(gōng)应商(shāng)。

　　公告显示(shì)， 2021年美光(guāng)位(wèi)列(liè)江波(bō)龙第(dì)一大(dà)存储晶(jīng)圆供应(yīng)商，采购约31亿(yì)元，占比33.52％；2022年(nián)，江波(bō)龙第一大、第二大和第三大(dà)供应商采购金(jīn)额占比分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经(jīng)在存储(chǔ)产业链(liàn)上下游建立国内外(wài)广泛(fàn)合(hé)作。2022年年报显示，江波(bō)龙(lóng)与三星(xīng)、美(měi)光、西(xī)部数据等(děng)主要(yào)存储(chǔ)晶圆原厂签(qiān)署了长期合约(yuē)，确保存储(chǔ)晶圆供(gōng)应的稳定(dìng)性，巩固公司在(zài)下游市场(chǎng)的供应优(yōu)势，公(gōng)司也与国内国产存储晶圆原厂武(wǔ)汉长江(jiāng)存储、合肥(féi)长鑫(xīn)保持良好的合(hé)作。

　　有券商此前就分析，如果美光在(zài)中(zhōng)国区销售受到(dào)限(xiàn)制，或将导致下游客户转而采购(gòu)国外三(sān)星、 SK海(hǎi)力士，国内长(zhǎng)江存储、长鑫存储等竞对产品

　　分析称，长存(cún)、长鑫的上游(yóu)设备厂或(huò)从中受(shòu)益。存(cún)储(chǔ)器(qì)的生(shēng)产(chǎn)已经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入(rù)3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使刻蚀和薄膜(mó)成为最(zuì)关键、最大量的加工设备(bèi)。3D 黥刑是什么刑罚 黥刑是轻刑还是重刑NAND每层均需(xū)要经(jīng)过(guò)薄膜沉积工艺步骤，同时刻蚀目前前(qián)沿要(yào)刻到(dào) 60：1的(de)深孔，未来可能(néng)会(huì)更深的孔或(huò)者沟槽(cáo)，催(cuī)生更多设(shè)备(bèi)需求。据东(dōng)京电子(zi)披露，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资(zī)本开(kāi)支合(hé)计为75％。自(zì)长江存储被(bèi)加入美国限制(zhì)名单(dān)，设备国产(chǎn)化进程加速，看好拓荆科技（薄膜沉积）等相关公司份额提升，以及存储业(yè)务(wù)占比较(jiào)高的华(huá)海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长。

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