大家好，来看一则突发消息(xī)中海物业是国企还是央企 中海和万科哪个档次高。

　　美光公司(sī)在华销(xiāo)售的(de)产品未(wèi)通过网(wǎng)络安全审查

　　据网信办消(xiāo)息，日前，网络安全审查办公室依法对美光公司在华销售产品进行了网络安全审查。

　　审查发现，美光(guāng)公(gōng)司产(chǎn)品存(cún)在较严重网络安全(quán)问(wèn)题隐患，对我国关(guān)键信(xìn)息基(jī)础设施供应链造成重(zhòng)大安全风险，影响我国国家安全。为此，网络安全审查办公室(shì)依法作出(chū)不(bù)予通过(guò)网络安(ān)全审查的(de)结论(lùn)。按(àn)照《网络安全法》等法律法(fǎ)规，我国内(nèi)关键信息基(jī)础设施(shī)的运营(yíng)者应停(tíng)止采购美(měi)光公司产品。

　　此次对美光公(gōng)司产品进行(xíng)网(wǎng)络安全审查，目的是防范产品网络安全问(wèn)题危害国家(jiā)关键信(xìn)息基础设施安全，是维(wéi)护国家安全的必要(yào)措施。中国坚定推进高水平对外开放，只要(yào)遵(zūn)守(shǒu)中国法律法规要求，欢迎各国企业(yè)、各类平(píng)台产品(pǐn)服务进(jìn)入(rù)中(zhōng)国市场。

　　3月31日，中(zhōng)国网信(xìn)网发文称，为(wèi)保障关(guān)键信息(xī)基础设施供应链(liàn)安全，防范产(chǎn)品问题隐患造成网络(luò)安全风(fēng)险，维护国家(jiā)安全，依据《中华人民共和国国家(jiā)安(ān)全(quán)法》《中华人民共和国(guó)网(wǎng)络安全法(fǎ)》，网(wǎng)络安(ān)全审查办公(gōng)室按照《网(wǎng)络安全审(shěn)查办法》，对美光(guāng)公司（Micron）在(zài)华销售的产品(pǐn)实施网络安全审查(chá)。

　　美光是(shì)美(měi)国的存(cún)储芯片(piàn)行业龙头(tóu)，也是全球(qiú)存(cún)储芯(xīn)片巨头之(zhī)一，2022年(nián)收入来自中国市(shì)场收入从(cóng)此前高峰57％降至2022年(nián)约11％。根据市场咨询(xún)机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星电子、 铠侠(xiá)、西部数(shù)据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份额约为 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海力士、美光(guāng)在全(quán)球(qiú) DRAM （内存）市场份(fèn)额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公司(sī)中，江波龙、佰(bǎi)维存(cún)储等公司披露过(guò)美光等国(guó)际存(cún)储(chǔ)厂商为(wèi)公司供应商。

　　美光在江波龙采购(gòu)占比已经显著下降，至少已经(jīng)不是主要(yào)大供应(yīng)商(shāng)。

　　公告(gào)显示(shì)， 2021年美(měi)光(guāng)位列(liè)江波(bō)龙第一大(dà)存储(chǔ)晶圆供(gōng)应(yīng)商，采购约(yuē)31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波龙(lóng)第一大、第二大和(hé)第三大供应商采购金(jīn)额(é)占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波龙已经(jīng)在存储产(chǎn)业链上下游(yóu)建立国内外广(guǎng)泛(fàn)合(hé)作。2022年年报显示(shì)，江波龙与三星、美(měi)光、西部数据等主(zhǔ)要存储晶圆原厂签署了长期合约(yuē)，确(què)保(bǎo)存储晶圆(yuán)供(gōng)应(yīng)的稳(wěn)定性，巩(gǒng)固公司在下游(yóu)市场的(de)供应优势，公司(sī)也(yě)与国内(nèi)国(guó)产(chǎn)存储晶圆原厂(chǎng)武汉长(zhǎng)江(jiāng)存储、合肥长鑫保持(chí)良好的合作(zuò)。

　　有券商此前就分析(xī)，如(rú)果美光在中国区销售受到限制(zhì)，或将导(dǎo)致(zhì)下游客户转(zhuǎn)而采购国外三星、 SK海(hǎi)力(lì)士，国内长江存储、长鑫存储等竞对产品

　　分析称，长存(cún)、长鑫的上(shàng)游(yóu)设备厂或(hu中海物业是国企还是央企 中海和万科哪个档次高ò)从中受益。存储(chǔ)器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维(wéi)的结构转变使刻蚀和薄膜成为(wèi)最关(guān)键、最大量的加工设(shè)备。3D NAND每(měi)层均(jūn)需要(yào)经过(guò)薄膜沉积工艺步骤，同时刻蚀目前前沿要刻(kè)到 60：1的深(shēn)孔(kǒng)，未来可能会更深的孔或者沟槽，催生(shēng)更多设备(bèi)需求。据(jù)东京电子披露(lù)，薄膜(mó)沉积设(shè)备及刻(kè)蚀占(zhàn)3D NAND产线资本(běn)开支合计(jì)为(wèi)75％。自长(zhǎng)江存储(chǔ)被加(jiā)入美(měi)国限制名单，设备国产(chǎn)化进程加速，看好拓荆科技（薄膜(mó)沉积）等相关(guān)公(gōng)司份额提升，以及存(cún)储业务占(zhàn)比较(jiào)高(gāo)的华海清科(kē)（CMP）、盛(shèng)美上海（清洗）等收入增长。

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