大家好，来看一则突发(fā)消息。

　　美光公司在华销售的产品未通过(guò)网络安全审查

　　据网信办消息，日前(qián)，网(wǎng)络安(ān)全审查办公(gōng)室依法对美(měi)光公(gōng)司在华销售产(chǎn)品进(jìn)行(xíng)了(le)网络安全审(shěn)查(chá)。

　　审查(chá)发现，美光公司产(chǎn)品存(cún)在(zài)较严重网络(luò)安全问题隐患，对我(wǒ)国关(guān)键信(xìn)息基础设施供应链造成重大安(ān)全风(fēng)险(xiǎn)，影响我国国家(jiā)安(ān)全。为此(cǐ)，网络安全审查办公(gōng)室依法作出不予通过网(wǎng)络安(ān)全(quán)审查的结论。按照《网络安全法》等(děng)法律法规(guī)，我国内关键信息基础设施的运营者应停止采购美光公司产(chǎn)品。

　　此次对美光公司产品(pǐn)进行网(wǎng)络安(ān)全审查，目(mù)的是防范产品网络安全问题(tí)危害国(guó)家(jiā)关键信(xìn)息基础设施安全，是维护国(guó)家安全的必要措施。中国坚(jiān)定推进高水平对外开放，只要遵守(shǒu)中国法律(lǜ)法规要求，欢迎各国(guó)企(qǐ)业、各类平台产(chǎn)品(独肖有哪几个pǐn)服务进入中(zhōng)国市场。

　　独肖有哪几个g alt="半导体突发！中(zhōng)国出手：停止采购！" src="http://getimg.jrj.com.cn/images/2023/05/weixin/one_20230521204212185.png">

　　3月(yuè)31日，中国网信网发文称，为保(bǎo)障关键信息基础设施供应(yīng)链安全，防范产品问题隐患造成网(wǎng)络(luò)安全风险，维护(hù)国家安(ān)全(quán)，依据《中(zhōng)华(huá)人民共和国国家安全(quán)法》《中华人(rén)民共和国网络(luò)安全法》，网(wǎng)络安(ān)全审查办(bàn)公室按(àn)照《网络安(ān)全审查办法(fǎ)》，对(duì)美(měi)光(guāng)公司(sī)（Micron）在华销售(shòu独肖有哪几个)的产品实施网络安全(quán)审查。

　　美光是美(měi)国的存储芯片行业龙头，也是全球(qiú)存储芯(xīn)片(piàn)巨(jù)头之(zhī)一，2022年收入来自中国市场(chǎng)收入从此前高峰57％降至2022年约11％。根(gēn)据市场(chǎng)咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三(sān)星电(diàn)子、 铠侠、西部数据、SK 海(hǎi)力士、美(měi)光(guāng)、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存(cún)）市(shì)场份(fèn)额(é)约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市公司(sī)中(zhōng)，江波(bō)龙、佰(bǎi)维存(cún)储等公司(sī)披露(lù)过美(měi)光等国际存储厂(chǎng)商为(wèi)公司(sī)供应商。

　　美光在江(jiāng)波龙采(cǎi)购占比已经(jīng)显著下降，至少已(yǐ)经不(bù)是主要大(dà)供应商。

　　公告显示， 2021年美光位列(liè)江波龙(lóng)第一(yī)大(dà)存储(chǔ)晶圆供应商，采(cǎi)购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波(bō)龙第(dì)一大、第(dì)二大和第三大供应(yīng)商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储(chǔ)产业链上下游建立国内外广(guǎng)泛合作。2022年年报显(xiǎn)示，江波龙与三(sān)星、美光、西部数据等主要(yào)存储晶(jīng)圆原厂签署了长期合(hé)约(yuē)，确保(bǎo)存储晶圆供应的(de)稳定性，巩固公司在(zài)下(xià)游市场(chǎng)的供应优势(shì)，公司也与(yǔ)国(guó)内国产存储(chǔ)晶圆原厂武汉(hàn)长江存储、合肥长鑫保(bǎo)持良好的合作。

　　有券商(shāng)此(cǐ)前就分(fēn)析，如果美(měi)光在(zài)中国区销售(shòu)受到(dào)限制，或将导致下游(yóu)客(kè)户转而采购国外三星、 SK海(hǎi)力士，国内长(zhǎng)江存储、长(zhǎng)鑫(xīn)存储等竞对(duì)产品

　　分析(xī)称，长存、长鑫的(de)上游设备厂或从中受益。存储器的生产已经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另外(wài)NAND Flash现(xiàn)在已经(jīng)进入(rù)3D NAND时代，2 维到3维的(de)结构转变使(shǐ)刻(kè)蚀和薄膜(mó)成(chéng)为(wèi)最关(guān)键、最大量的加工(gōng)设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉(chén)积工艺步骤(zhòu)，同时刻蚀目前(qián)前(qián)沿要(yào)刻(kè)到 60：1的深孔，未来可(kě)能会(huì)更深的(de)孔或(huò)者沟槽，催(cuī)生更多设备(bèi)需求。据东京电子披(pī)露，薄(báo)膜沉积设备及刻蚀占(zhàn)3D NAND产线(xiàn)资本开支合(hé)计为75％。自长江存储被加入美(měi)国限(xiàn)制名单，设备(bèi)国产化进程加速，看好拓荆科技（薄膜沉积）等相(xiāng)关公司份额提升，以(yǐ)及存(cún)储(chǔ)业务占比(bǐ)较(jiào)高的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗(xǐ)）等收(shōu)入增长。

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