大家好，来看一则突发消息。

　　美光公司(sī)在华销售(shòu)的产(chǎn)品未通过网络安全审(shěn)查

　　据网信办消息，日前，网络安(ān)全审查办公室(shì)依法(fǎ)对美光公司在华销售产品进行了网(wǎng)络安(ān)全审查。

　　审查发现(xiàn)，美(měi)光(guāng)公司产品存在较严重网络安全(quán)问题隐患，对我国关键(jiàn)信息基础设施供应链造成(chéng)重大安全风险，影(yǐng)响我国国(guó)家安(ān)全。为此，网络安(ān)全审查办(bàn)公室依法作出不予通过网络安全审(shěn)查(chá)的结论。按照《网(wǎng)络安(ān)全法》等(děng)法律法规，我国内关键信息基础设施的运营者应停止采购美(měi)光公司产品。

　　此次(cì)对美光(guāng)公司产(chǎn)品进(jìn)行网络安全审查，目的是防范产品网络安(ān)全问(wèn)题危害国家关键信息基础设施(shī)安全，是(shì)维护国家(jiā)安全的必要措施。中(zhōng)国坚定推进高水平对外开放，只要遵守中国(guó)法律法(fǎ)规(guī)要求，欢迎(yíng)各国企业、各类平台(tái)产品服(fú)务进入(rù)中国市场。

　　3月31日，中国(guó)网信网发文称，为保障关键信息(xī)基础设施供应链(liàn)安全，防范产品问题隐(yǐn)患造成网络(luò)安全风险(xiǎn)，维(wéi)护国家安全(quán)，依据《中华人(rén)民共和(hé)国(guó)国家安全法(fǎ)》《中(zhōng)华人民共和国网(wǎng)络安全法》，网络安全审查办公室按照《网络(luò)安(ān)全审(shěn)查办法》，对美光公司（Micron）在华销售的产品(pǐn)实施网(wǎng)络安全(quán)审查。

　　美(měi)光是美国(guó)的存(cún)储芯片行(xíng)业龙头，也(yě)是全球存储芯(xīn)片巨(jù)头之一，2022年收(shōu)入来自中国市场收入从此前(qián)高峰57％降至2022年约11％。根据市场(chǎng)咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，善作善成意思久久为功，善作善成意思是什么2021 年三星电(diàn)子(zi)、 铠侠、西部数(shù)据、SK 海力(lì)士、美光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份额(é)约为(wèi) 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海力士、美(měi)光在(zài)全球 DRAM （内存(cún)）市场(chǎng)份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维存储等公司披露(lù)过(guò)美光等国际存储厂商(shāng)为公司(sī)供(gōng)应商。

　　美(měi)光在江波(bō)龙采(cǎi)购占比(bǐ)已经(jīng)显著下降，至(zhì)少已经不是(shì)主(zhǔ)要大供(gōng)应商。

　　公告显示， 2021年(nián)美(měi)光位列(liè)江波(bō)龙(lóng)第一(yī)大存储晶圆供应(yīng)商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年(nián)，江波龙第一大、第二大和第三大供应商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波龙已经在存储产业(yè)链上下游建立国内外广泛合作。2022年年报显示(shì)，江波龙(lóng)与三(sān)星、美光、西部(bù)数(shù)据等主要存储晶圆原厂签(qiān)署了长期(qī)合约，确(què)保存储晶(jīng)圆供应(yīng)的稳定性，巩固(gù)公司(sī)在下游市场的供(gōng)应优(yōu)势，公司也与国内国产存储晶(jīng)圆(yuán)原厂武汉长江存储(chǔ)、合(hé)肥善作善成意思久久为功，善作善成意思是什么长(zhǎng)鑫保持良(liáng)好的合作(zuò)。

　　有券商此(cǐ)前就分析，如(rú)果美光在(zài)中国区销(xiāo)售(shòu)受到限制，或将导致(zhì)下游客(kè)户(hù)转而采(cǎi)购国(guó)外三(sān)星、 SK海力士，国内长江存储(chǔ)、长鑫存储等竞对产(chǎn)品

　　分析(xī)称，长存、长鑫的上(shàng)游设(shè)备(bèi)厂或从(cóng)中受益。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在(zài)已经进入3D NAND时代，2 维(wéi)到3维的结构转变使刻(kè)蚀和(hé)薄膜成为最(zuì)关(guān)键(jiàn)、最(zuì)大(dà)量的加(jiā)工设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工艺步(bù)骤，同时(shí)刻蚀目前前(qián)沿要刻到(dào) 60：1的(de)深孔，未来可能(néng)会更深的孔或(huò)者(zhě)沟槽，催生更(gèng)多设(shè)备(bèi)需求。据东京电子披露，薄(báo)膜沉积设备及刻蚀(shí)占3D NAND产线资本开支合计为(wèi)75％。自长江存储(chǔ)被加(jiā)入美国限制名单，设备国产化进程(chéng)加速，看(kàn)好拓荆(jīng)科技（薄(báo)膜沉积）等相关公(gōng)司份额提升，以及存储业务(wù)占比(bǐ)较高的华海清科（CMP）、盛(shèng)美上海(hǎi)（清洗）等收入增长(zhǎng)。

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