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　　美光公司在华(huá)销(xiāo)售的产品未通过网络安全审(shěn)查

　　据(jù)网(wǎng)信办消息，日(rì)前，网络安全审(shěn)查办公室(shì)依法对美光公司在(zài)华销售产(chǎn)品(pǐn)进(jìn)行了网(wǎng)络安全审查。

　　审查发现，美光公司产品存在较严重网络安全问题(tí)隐患，对我国关(guān)键信(xìn)息基础设施供应链造成重大(dà)安全风(fēng)险，影(yǐng)响(xiǎng)我国国家安全(quán)。为此，网(wǎng)络(luò)安全审查办(bàn)公室依法作出不(bù)予(yǔ)通(tōng)过网(wǎng)络(luò)安全审查的结论。按(àn)照(zhào)《网络安全法(fǎ)》等法(fǎ)律法规，我国内(nèi)关键信息基础设施(shī)的运营者应停止采购美光公司产(chǎn)品。

　　此(cǐ)次对美光公司产品进行网络安全审查，目(mù)的是防范(fàn)产品网络(luò)安(ān)全问题危害国(guó)家关(guān)键(jiàn)信息(xī)基础(chǔ)设(shè)施安全，是(shì)维护国家(jiā)安全(quán)的必要措(cuò)施。中国坚定推(tuī)进高水(shuǐ)平对外开放，只要(yào)遵守中国法(fǎ)律法规要(yào)求，欢迎各国(guó)企业(yè)、各(gè)类平台产(chǎn)品服务进(jìn)入(rù)中国市场。

　　3月31日，中国(guó)网信网(wǎng)发文(wén)称，为保障关(guān)键信息基础设施供应链安全，防范产品(pǐn)问(wèn)题隐患造成(chéng)网络安全(quán)风险，维(wéi)护国家安全，依据《中华人(rén)民共和国国(guó)家(jiā)安全法》《中华人民共和国网络安(ān)全法》，网络安全审查(chá)办(bàn)公室按照《网络安全(quán)审查(chá)办法》，对(duì)美光公司（Micron）在华销售(shòu)的产品实施网络安全审查。

　　美光(guāng)是美(měi)国的存储芯片行业龙头，也是全(quán)球(qiú)存储芯(xīn)片巨头之一，2022年收入来自中国市场(chǎng)收入从此前高峰57％降至(zhì)2022年约(yuē)11％。根据市(shì)场(chǎng)咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠(xiá)、西部数据、SK 海力(lì)士、美(měi)光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场(chǎng)份(fèn)额约为 96.76％，三星电子(zi剪子股儿和籰子的意思是什么，剪子股儿是什么)、 SK 海(hǎi)力士、美(měi)光(guāng)在全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上(shàng)市公司中，江波龙(lóng)、佰维(wéi)存储等公司披露过美光等国际存储厂商为(wèi)公(gōng)司供(gōng)应(yīng)商。

　　美光在江(jiāng)波(bō)龙采购(gòu)占比已(yǐ)经显(xiǎn)著下降，至少已经不是主要大(dà)供应商。

　　公告显示， 2021年美(měi)光位列江波龙(lóng)第一大存(cún)储晶(jīng)圆供应商(shāng)，采购约31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波龙第一(yī)大(dà)、第二大和第(dì)三大供应商(shāng)采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波(bō)龙已(yǐ)经在(zài)存储产业(yè)链上下游建立国内外广泛合(hé)作。2022年年报显示，江波龙与三星、美光(guāng)、西部数据等主要存储晶圆(yuán)原厂签署了长期合约，确保(bǎo)存储(chǔ)晶圆供应的(de)稳定性，巩固(gù)公司(sī)在下游市(shì)场的供(gōng)应优势(shì)，公司也与国内国产(chǎn)存储(chǔ)晶圆原厂武汉长江(jiāng)存储、合(hé)肥长(zhǎng)鑫(xīn)保持良好的合作。

　　有券商(shāng)此前(qián)就分析，如果美光在中国区销售受到限制，或(huò)将导致下游客(kè)户转而采购国外三星、 SK海力士，国剪子股儿和籰子的意思是什么，剪子股儿是什么(guó)内长(zhǎng)江存储(chǔ)、长鑫(xīn)存储等竞(jìng)对产品

　　分析称，长存、长鑫的上(shàng)游设备厂(chǎng)或从中受益。存(cún)储(chǔ)器的生产(chǎn)已经演(yǎn)进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在已经进入3D NAND时代，2 维到(dào)3维的(de)结构转变使(shǐ)刻(kè)蚀和薄(báo)膜(mó)成为最关键(jiàn)、最大量的加(jiā)工设(shè)备。3D NAND每层(céng)均需要(yào)经过薄膜沉积工艺(yì)步骤，同(tóng)时(shí)刻蚀目(mù)前前沿要刻到 60：1的深(shēn)孔，未来可(kě)能会更深的孔或者(zhě)沟槽，催生更多(duō)设备(bèi)需求。据东京电子披露，薄膜(mó)沉积设备及刻(kè)蚀占3D NAND产线资本开支合计为75％。自长江存储被加入美国限(xiàn)制名单，设备国产化进程加速，看好(hǎo)拓(tuò)荆科技（薄膜沉积）等(děng)相关(guān)公司份额提升，以(yǐ)及存储业务占比较高(gāo)的华海(hǎi)清科（CMP）、盛美上海（清(qīng)洗）等收入(rù)增长。

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