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　　美光公司在华销售的产品(pǐn)未通过(guò)网(wǎng)络安全审查

　　据网信(xìn)办消(xiāo)息(xī)，日(rì)前，网络(luò)安全审(shěn)查(chá)办公室依法对美(měi)光公司在华销(xiāo)售(shòu)产品(pǐn)进行(xíng)了网(wǎng)络(luò)安全审查(chá)。

　　审查发现，美光公(gōng)司产品存在(zài)较严重(zhòng)网络安全问题隐患，对我(wǒ)国关键信息基础设施供应链造成重大安全风险，影响我(wǒ)国国家安全。为此，网络安全审查办(bàn)公(gōng)室依法作出不予通(tōng)过网络安全审查(chá)的(de)结论。按(àn)照《网络(luò)安全法》等法律法规，我(wǒ)国内关键(jiàn)信息基础设(shè)施的运(yùn)营(yíng)者应停止采购美(měi)光公司产品。

　　此次(cì)对美光公司(sī)产品进行网(wǎng)络安全审查，目(mù)的是防范产品网络安(ān)全问(wèn)题危害国家关键信(xìn)息(xī)基础设施安全(quán)，是(shì)维护(hù)国家安全(quán)的(de)必(bì)要措(cuò)施。中国坚定(dìng)推进高(gāo)水平(píng)对外开放，只要(yào)遵守中国法律法规(guī)要(yào)求，欢(huān)迎各国企业、各类平台产品(pǐn)服务进入中国市场。

　　3月31日(rì)，中(zhōng)国网信网发文称，为保(bǎo)障关键(jiàn)信息基(jī)础设施供(gōng)应链(liàn)安全，防范产(chǎn)品(pǐn)问题(tí)隐患造成(chéng)网络(luò)安(ān)全风(fēng)险，维护国家安全，依据《中(zhōng)华人民共和(hé)国国家安全法》《中华(huá)人民(mín)共和(hé)国网络安(ān)全法(fǎ)》，网(wǎng)络安全审(shěn)查办公室(shì)按照《网络(luò)安全审(shěn)查办法》，对(duì)美光公司（Micron）在华销售的产(chǎn)品实施(shī)网络安(ān)全(quán)审查(chá)。

　　美(měi)光是美国的存(cún)储(chǔ)芯片行业龙头，也(yě)是全球存储(chǔ)芯片巨头之一(yī)，2022年(nián)收(shōu)入来自中国市场收(shōu)入从此前高峰57％降(jiàng)至2022年(nián)约(yuē)11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西(xī)部数据、SK 海力士、美(měi)光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海力士、美光(guāng)在全球 DRAM （内存(cún)）市场份额约(yuē)为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司中，江波龙(lóng)、佰维存储(chǔ)等公司披露过美光等国际存(cún)储厂商(shāng)为公司(sī)供(gōng)应商。

　　美光(guāng)在江波龙采购占比(bǐ)已经显著(zhù)下(xià)降，至少(shǎo)已(yǐ)经不是主要大供(gōng)应商。

　　公(gōng)告显示， 2021年美(měi)光位列江(jiāng)波龙第(dì)一大存储晶圆供(gōng)应商，采购(gòu)约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一(yī)大、第二(èr)大和(hé)第三大供应商采购金额(é)占(zhàn)比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已(yǐ)经在存储(chǔ)产业链上下游(yóu)建立国(guó)内外广(guǎng)泛合作。2022年年报显(xiǎn)示，江波龙与三星(xīng)、美光、西部(bù)数据等主要存储晶圆原厂(chǎng)签署了长期(qī)合(hé)约，确(què)保(bǎo)存储(chǔ)晶圆供(gōng)应的稳定性，巩(gǒng)固公司在下(xià)游市场的供(gōng)应优势(shì)，公司也与国(guó)内(nèi)国产存储晶圆原厂武(wǔ)汉长江存储、合肥长鑫保(bǎo)持良好的(de)合作。

　　有(yǒu)券商此前刘备文学是什么意思，刘备文学啥意思就(jiù)分析(xī)，如果美光在中国区销售受到(dào)限(xiàn)制，或将导(dǎo)致下(xià)游客(kè)户转而采购国(guó)外三星、 SK海力士，国内长江存储、长(zhǎng)鑫存储等竞(jìng)对产品

　　分析称，长(zhǎng)存、长鑫的(de)上游设(shè)备厂或从中(zhōng)受(shòu)益。存储器的生(shēng)产已经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代(dài)，2 维(wéi)到3维的结构转变使刻蚀(shí)和(hé)薄(báo)膜(mó)成(chéng)为最关键(jiàn)、最大量的加工设备。3D NAND每(měi)层(céng)均需(xū)要经(jīng)过(guò)薄膜沉积(jī)工艺步骤，同时刻蚀目(mù)前前沿要刻到 60：1的深孔，未来可(kě)能(néng)会更深的(de)孔刘备文学是什么意思，刘备文学啥意思或者(zhě)沟(gōu)槽，催生更多设备需求(qiú)。据(jù)东京电子(zi)披露，薄膜(mó)沉积设备及刻蚀(shí)占3D NAND产线资本(běn)开支(zhī)合计为75％。自长江存(cún)储(chǔ)被加入美国限制名单，设备国产化(huà)进程加速，看好拓荆科技（薄膜沉积）等相(xiāng)关公司份额(é)提升，以及存储业务占比(bǐ)较高(gāo)的(de)华海清科（CMP）、盛美(měi)上(shàng)海（清洗(xǐ)）等(děng)收入(rù)增长。

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