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　　美光公司在华销售的产品未通过网络安全审查

　　据(jù)网信(xìn)办(bàn)消息，日前，网络安全审查办公室依法对美光公(gōng)司在华销售产(chǎn)品进行了(le)网络安全审查(chá)。

　　审查(chá)发现，美(měi)光公司产品存在(zài)较严重网络安全问(wèn)题隐患(huàn)，对我国关(guān)键信息基(jī)础设施(shī)供应链造成重大安全风险，影响(xiǎng)我国国家安全。为此(cǐ)，网络安全审查办公室(shì)依(yī)法作(zuò)出不予(yǔ)通过网络安(ān)全审查的结论。按照《网络安全法》等法律法规，我国内关键信(xìn)息基础(chǔ)设施的(de)运营(yíng)者(zhě)应停止9的算术平方根是3还是正负3，根号9的算术平方根是多少采购美光公司产品。

　　此次对美光公司产(chǎn)品进(jìn)行网络安全审查，目的是防范产(chǎn)品网络安全(quán)问题危害国家(jiā)关键信息基础设(shè)施安全(quán)，是维(wéi)护国家安全(quán)的必要措施(shī)。中国(guó)坚定推(tuī)进高水平对外开放，只(zhǐ)要遵守中国(guó)法律法规要求，欢(huān)迎各国企业、各(gè)类(lèi)平台产品服务(wù)进入中国市场。

　　3月31日，中(zhōng)国网(wǎng)信网发文称，为保障关(guān)键信息基础(chǔ)设施供应(yīng)链(liàn)安全，防范产品问(wèn)题隐(yǐn)患造成网络安全风险，维护国家(jiā)安全，依据《中(zhōng)华人民共和国国家安全(quán)法》《中华人(rén)民(mín)共和国(guó)网(wǎng)络安(ān)全法》，网络安全审(shěn)查(chá)办公室(shì)按照(zhào)《网络(luò)安全审查(chá)办法》，对美光公司(sī)（Micron）在华(huá)销(xiāo)售(shòu)的(de)产品实(shí)施(shī)网络安全审查。

　　美光是美(měi)国的存储芯片(piàn)行业(yè)龙(lóng)头(tóu)，也是全(quán)球(qiú)存储芯片巨(jù)头之一，2022年收入来自中(zhōng)国市(shì)场收入从此前高峰57％降至(zhì)2022年约11％。根据市场咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电(diàn)子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市场份(fèn)额(é)约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上(shàng)市公(gōng)司中，江波(bō)龙(lóng)、佰(bǎi)维(wéi)存储等公司披露过美光等国际存储厂商为公司供应商。<9的算术平方根是3还是正负3，根号9的算术平方根是多少/p>

　　美光在(zài)江波龙采购占比已经显(xiǎn)著下降，至少(shǎo)已经不是主要大供应(yīng)商。

　　公(gōng)告显(xiǎn)示， 2021年美光位列江波(bō)龙第一大(dà)存储(chǔ)晶圆供应商，采(cǎi)购约(yuē)31亿元(yuán)，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙第(dì)一大、第二大和第三大供应(yīng)商(shāng)采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙已经在存储产业链上下(xià)游建(jiàn)立国内外(wài)广泛合作。2022年(nián)年报显(xiǎn)示，江(jiāng)波龙与三星(xīng)、美光(guāng)、西部(bù)数(shù)据(jù)等主要存储晶圆原厂签署了长期合约(yuē)，确保存储晶圆供应的稳定性，巩固(gù)公司在下游市场的供应优势，公司也与国内国产存储晶圆原(yuán)厂(chǎng)武汉长江存储(c9的算术平方根是3还是正负3，根号9的算术平方根是多少hǔ)、合(hé)肥(féi)长鑫保持良好的合作。

　　有券(quàn)商此前就分析(xī)，如果美光在(zài)中国区销售受到限制，或将导致下游客户(hù)转而采购国外三星、 SK海力士(shì)，国内长(zhǎng)江存(cún)储、长鑫存储等竞对产品

　　分析称(chēng)，长(zhǎng)存(cún)、长(zhǎng)鑫的上(shàng)游设备厂或从中受益。存储(chǔ)器的生(shēng)产已(yǐ)经演进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工(gōng)艺(yì)。另外(wài)NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维(wéi)到3维的结构转变使刻蚀和薄膜成为(wèi)最关键、最(zuì)大量的加工设备(bèi)。3D NAND每层均需要经过薄(báo)膜(mó)沉积工艺步骤，同(tóng)时(shí)刻蚀(shí)目(mù)前前沿要刻到(dào) 60：1的深孔，未(wèi)来(lái)可能会更深的(de)孔(kǒng)或者沟槽，催(cuī)生更多(duō)设备需求。据东京电子披露，薄膜沉(chén)积设备(bèi)及刻蚀(shí)占(zhàn)3D NAND产线资本(běn)开支合计(jì)为75％。自长江(jiāng)存储(chǔ)被加(jiā)入美国限制名单(dān)，设备国产化进程(chéng)加速，看好(hǎo)拓荆(jīng)科技（薄膜沉积）等(děng)相(xiāng)关公(gōng)司份额提升，以及(jí)存储(chǔ)业务(wù)占比较高(gāo)的华海清科（CMP）、盛美(měi)上(shàng)海（清洗(xǐ)）等收入增(zēng)长。

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