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　　美光公司在华销售的产品未通(tōng)过网络安全审查(chá)

　　据网信办消息，日(rì)前，网络安(ān)全(quán)审查办公室依法对(duì)美(měi)光公(gōng)司在(zài)华销售(shòu)产品(pǐn)进行了网络(luò)安全(quán)审(shěn)查。

　　审查发现(xiàn)，美光公司(sī)产品存在较严重网络安全问题隐患，对我国关键信(xìn)息基础设施供应链造成重大安(ān)全风(fēng)险，影(yǐng)响我(wǒ)国国(guó)家安(ān)全。为此(cǐ)，网络安全审查办(bàn)公室(shì)依法作出不予通过网络安(ān)全审查的结论。按照(zhào)《网络安全法》等(děng)法律法规(guī)，我(wǒ)国内关键信息(xī)基础设施的运营者应停止(zhǐ)采购美光公(gōng)司产品。

　　此次对美光公司产品进行网络安(ān)全(quán)审(shěn)查，目的是防范(fàn)产品网络(luò)安全问题(tí)危(wēi)害国(guó)家关键信息基础设施(shī)安全(quán)，是维护国(guó)家安全的必要措施。中国坚定推进(jìn)高水平对(duì)外(wài)开放(fàng)，只要遵守中国法律法规(guī)要(yào)求(qiú)，欢迎(yíng)各国企业(yè)、各类平(píng)台产品服务进入中国市场。

　　3月31日，中国网信网(wǎng)发文称，为保障关键信息基(jī)础设施供应(yīng)链安(ān)全，防范产品问题(tí)隐患造成(chéng)网络(luò)安全风险(xiǎn)，维护(hù)国(guó)家(jiā)安全(quán)，依(yī)据《中华(huá)人民共和国国(guó)家安全法》《中(zhōng)华人民共和国(guó)网络安全法》，网(wǎng)络(luò)安(ān)全审查(chá)办公室按照《网络安(ān)全(quán)审查办法》，对美光(guāng)公司（Micron）在(zài)华销售的产(chǎn)品实施网络安全审(shěn)查。

　　美(měi)光是美(měi)国的(de)存储芯片行业(yè)龙头，也(yě)是全球存储芯片巨头之一，2022年收入来自中国市(shì)场收入从此前高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨(zī)询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子(zi)、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份额约(yuē)为 96.76％，三星(xīng)电子(zi)、 SK 海力士、美光在(zài)全球 DRAM （内存(cún)）市场份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公(gōng)司中(zhōng)，江波(bō)龙、佰维存(cún)储等公司披露过美光(guā比较长的古诗词，比较长的古诗10句ng)等国际存储厂商(shāng)为公司供应(yīng)商。

　　美光在江波(bō)龙采购(gòu)占比已经显(xiǎn)著(zhù)下降，至少(shǎo)已经不是主要大(dà)供应(yīng)商(shāng)。

　　公告显示， 2021年美光位列(liè)江波(bō)龙第一大存(cún)储晶圆供应商，采购约31亿比较长的古诗词，比较长的古诗10句元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二(èr)大和第(dì)三大供应商(shāng)采(cǎi)购(gòu)金(jīn)额占比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产业链上下游建立(lì)国内外(wài)广泛合(hé)作。2022年年报显示，江波龙与(yǔ)三星、美光、西(xī)部数据等主要存储晶(jīng)圆原厂签(qiān)署(shǔ)了长期合(hé)约，确保存储晶圆供(gōng)应的(de)稳定性，巩固公司在下游市场的供应优(yōu)势，公司(sī)也(yě)与国(guó)内(nèi)国产存储晶圆原厂武汉长江存储(chǔ)、合(hé)肥长(zhǎng)鑫(xīn)保(bǎo)持良(liáng)好(hǎo)的合作。

　　有(yǒu)券商(shāng)此前就分析，如果美光在(zài)中国区销售受到限制，或将导致(zhì)下游客户转而采(cǎi)购国外三(sān)星、 SK海力士(shì)，国内长(zhǎng)江存储、长鑫存储等竞对产品

　　分析称，长存、长鑫的上游设备厂或从中受益。存储器的(de)生产已经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在(zài)已经(jīng)进入3D NAND时代，2 维到3维(wéi)的(de)结构转(zhuǎn)变使刻蚀(shí)和薄膜成为最关键、最大量的加工设备(bèi)。3D NAND每层均需要(yào)经(jīng)过薄膜(mó)沉积工艺步骤(zhòu)，同时刻蚀(shí)目前(qián)前(qián)沿要刻到(dào) 60：1的深孔，未(wèi)来可能会更深(shēn)的孔或(huò)者沟槽，催生更(gèng)多设备需求。据东京(jīng)电子披露，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资(zī)本开支合计(jì)为75％。自长(zhǎng)江存(cún)储被(bèi)加入美国限(xiàn)制名(míng)单，设备(bèi)国产化进程加速，看好拓荆科技（薄(báo)膜(mó)沉积(jī)）等相关公司份(fèn)额提升，以(yǐ)及(jí)存(cún)储业务占比较高的华海清科（CMP）、盛美上(shàng)海（清洗）等收入增长。

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