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　　美光公司在华销售(shòu)的产品未(wèi)通过网(wǎng)络安全审查

　　据(jù)网信办消息，日(rì)前，网(wǎng)络安全(quán)审(shěn)查办(bàn)公室依法对美光公司(sī)在(zài)华销售产品进行(xíng)了网络安(ān)全(quán)审查(chá)。

　　审查发现(xiàn)，美(měi)光公司产(chǎn)品存在较严重网(wǎng)络安全问题隐患，对我国关键(jiàn)信息基(jī)础设施供应链造成重大(dà)安全(quán)风险，影响我(wǒ)国(guó)国家安(ān)全。为我们生在红旗下谁写的 我们生在红旗下完整句子此，网络(luò)安全审查办公室(shì)依法作出不(bù)予通过网络安全审查的结论。按照(zhào)《网络安全法》等法律(lǜ)法规，我(wǒ)国内(nèi)关键信息(xī)基础设施的运营者应停止采购美光公司产(chǎn)品(pǐn)。

　　此次对美(měi)光公(gōng)司产(chǎn)品进行(xíng)网络安全审查，目的是(shì)防范产品网络(luò)安(ān)全问(wèn)题危害国家关(guān)键信息基(jī)础(chǔ)设施(shī)安全，是(shì)维护国家安全的必(bì)要措施。中国坚定推进(jìn)高水平对外(wài)开放，只(zhǐ)要遵守中(zhōng)国法(fǎ)律法规要求，欢迎(yíng)各国(guó)企业、各(gè)类平(píng)台产品服务进入中国市场。

　　3月31日，中国网信网(wǎng)发文称，为保障(zhàng)关键信(xìn)息(xī)基础(chǔ)设施供应链安全，防范产品问题隐患(huàn)造成网络安全(quán)风险，维护国家(jiā)安全，依据《中华人民共(gòng)和国国家安全法》《中华(huá)人民共(gòng)和国网络安(ān)全法(fǎ)》，网络安全审(shěn)查办公室(shì)按照《网(wǎng)络安全审查办法》，对美光公司（Micron）在华(huá)销售的产(chǎn)品(pǐn)实施网络安全(quán)审(shěn)查。

　　美光是美国(guó)的存储芯片行(xíng)业龙头，也是全球存储(chǔ)芯片巨头(tóu)之(zhī)一，2022年收入来自中国(guó)市场收入(rù)从此前高峰(fēng)57％降至2022年约(y我们生在红旗下谁写的 我们生在红旗下完整句子uē)11％。根据市场咨询(xún)机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星电(diàn)子、 铠侠、西部数据(jù)、SK 海力士、美光(guāng)、Solidigm 在全(quán)球(qiú) NAND Flash （闪(shǎn)存）市(shì)场份额约为(wèi) 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海力士(shì)、美光在全球 DRAM （内存）市场份(fèn)额约为(wèi) 94.35％。

　　A股(gǔ)上(shàng)市公司中，江波(bō)龙、佰维存(cún)储(chǔ)等公司(sī)披露过美光等国际(jì)存储(chǔ)厂商(shāng)为公(gōng)司供应商。

　　美光(guāng)在江波龙采购占比已经显著下(xià)降，至少已经不(bù)是主要大供(gōng)应商。

　　公(gōng)告显示， 2021年美(měi)光位(wèi)列江波龙第一(yī)大存(cún)储(chǔ)晶圆供应商(shāng)，采购(gòu)约31亿元，占比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第一大、第(dì)二大和第三大供应(yīng)商采购金(jīn)额占(zhàn)比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在(zài)存储产业链上下游建立国内外广泛合作。2022年年报显示，江(jiāng)波龙与三星、美光、西部(bù)数据等主要存储晶圆原厂签署了长期(qī)合约，确保存储晶圆供应的稳定性，巩固公司在下游市场的供应优(yōu)势(shì)，公司也与国内国产存(cún)储晶(jīng)圆原厂武汉(hàn)长江存储、合肥长(zhǎng)鑫保(bǎo)持良好的合作。

　　有券商(shāng)此(cǐ)前(qián)就分析，如果美光在中国区(qū)销售受到限(xiàn)制(zhì)，或(huò)将导致下游客户转而采(cǎi)购国外三星、 SK海力士，国内长(zhǎng)江存储、长鑫存储等竞(jìng)对(duì)产品(pǐn)

　　分析称，长存(cún)、我们生在红旗下谁写的 我们生在红旗下完整句子长鑫的(de)上游(yóu)设(shè)备厂或(huò)从中(zhōng)受益。存储器的(de)生产已经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现在已(yǐ)经进入(rù)3D NAND时代(dài)，2 维到3维的结(jié)构转变(biàn)使刻蚀和薄膜成为最关键(jiàn)、最(zuì)大量(liàng)的加工设备。3D NAND每层均需要(yào)经过薄膜(mó)沉积工艺(yì)步(bù)骤，同时(shí)刻蚀(shí)目前前沿要刻到 60：1的深(shēn)孔，未来可能会更深的孔或者沟(gōu)槽，催(cuī)生更多设(shè)备需求。据东(dōng)京电(diàn)子(zi)披露(lù)，薄膜(mó)沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开(kāi)支合计为75％。自(zì)长江存储被加入美国(guó)限制名(míng)单，设(shè)备国产化(huà)进程加速(sù)，看好拓荆科技（薄膜沉积）等相关(guān)公司份(fèn)额提升，以及存储业(yè)务(wù)占比较高(gāo)的(de)华海清科（CMP）、盛(shèng)美上海（清(qīng)洗(xǐ)）等收入增长。

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