大家好，来看一(yī)则突(tū)发消(xiāo)息。

　　美光公司(sī)在华销售的产品未(wèi)通(tōng)过(guò)网络安(ān)全审查

　　据网信办消(xiāo)息，日前(qián)，网络安全(quán)审查办公室依(yī)法(fǎ)对美(měi)光公司在(zài)华销售产品进(jìn)行了网络安全审查。

　　审查发现，美(měi)光公司(sī)产品存在较(jiào)严重网络安全问题隐患，对(duì)我国(guó)关键信(xìn)息基础设施供应链造成(chéng)重大安全风险，影响我国(guó)国家安全。为此，网络安(ān)全审查办公室依法作出(chū)不予通过网络安(ān)全审查(chá)的结(jié)论。按照《网络安全法》等(děng)法(fǎ)律法规(guī)，我国内关键信息基础(chǔ)设施的运营(yíng)者(zhě)应(雨伞能当太阳伞用吗，雨伞能当太阳伞用吗yīng)停止(zhǐ)采(cǎi)购美光(guāng)公司(sī)产(chǎn)品。

　　此次对美光(guāng)公(gōng)司产品进行网(wǎng)络安全审查(chá)，目(mù)的是防范产品网络安(ān)全(quán)问题危害国家关(guān)键(jiàn)信息基础设施(shī)安全，是(shì)维护国家安(ān)全的必要措施。中国坚定推进(jìn)高(gāo)水(shuǐ)平对外开(kāi)放，只(zhǐ)要遵守中(zhōng)国法(fǎ)律法(fǎ)规要求，欢迎各国企业、各(gè)类平台产(chǎn)品服(fú)务进入(rù)中(zhōng)国市(shì)场。

　　3月(yuè)31日，中(zhōng)国网信网发文称，为保障关键信(xìn)息(xī)基础设施供应链安全，防范产品问题隐患造成网络安全风险，维护国家安全(quán)，依据《中华人民共(gòng)和(hé)国(guó)国家安全法》《中华人民共和国网络安全法(fǎ)》，网络安全审查办公室按照《网络安全审查办法(fǎ)》，对美(měi)光公司（Micron）在华销售(shòu)的产品实施网络(luò)安全(quán)审查。

　　美光是美(m雨伞能当太阳伞用吗，雨伞能当太阳伞用吗ěi)国的存(cún)储芯片行业龙头，也是全球(qiú)存储(chǔ)芯片巨头之一，2022年收(shōu)入(rù)来自中(zhōng)国市场收入(rù)从此前高峰57％降至(zhì)2022年约11％。根据(jù)市(shì)场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三(sān)星电子、 铠侠(xiá)、西部数(shù)据、SK 海(hǎi)力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份(fèn)额约为 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市场份额(é)约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司中，江波龙、佰维雨伞能当太阳伞用吗，雨伞能当太阳伞用吗存储等公司披露过(guò)美光等(děng)国(guó)际(jì)存储厂商为公(gōng)司(sī)供应商(shāng)。

　　美(měi)光在(zài)江波龙采购占比已经显著下(xià)降，至少已经不是主要大供应商。

　　公告显示， 2021年美光位列江波龙第一大存储晶圆供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第(dì)一(yī)大、第二(èr)大和第三大(dà)供应商采购金额占比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江(jiāng)波龙已经(jīng)在存(cún)储产(chǎn)业(yè)链上下游建立国内外广泛(fàn)合作(zuò)。2022年年报显示，江波龙与三星、美(měi)光、西部数(shù)据(jù)等(děng)主要存储晶圆原厂签署(shǔ)了长(zhǎng)期合(hé)约，确保存储晶圆供(gōng)应的稳定性，巩(gǒng)固公司在下(xià)游(yóu)市场的供应优势，公司也与国内国(guó)产存储(chǔ)晶圆(yuán)原厂武汉长(zhǎng)江存储(chǔ)、合肥长(zhǎng)鑫保持良(liáng)好的合作。

　　有(yǒu)券商此前就分析，如果美光在中(zhōng)国区销售受到限制，或将导致下游客户转(zhuǎn)而(ér)采购国外三星(xīng)、 SK海力士，国内长江存储、长鑫存储(chǔ)等竞(jìng)对产品

　　分析称，长(zhǎng)存(cún)、长鑫的上游设备厂或从中受益。存储器的生产已(yǐ)经演进(jìn)到(dào)1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另外(wài)NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到(dào)3维的结构(gòu)转变使刻蚀和薄膜成为最关键、最大量(liàng)的(de)加工(gōng)设备(bèi)。3D NAND每层(céng)均(jūn)需(xū)要经(jīng)过(guò)薄膜沉积工艺步骤，同时(shí)刻(kè)蚀目前前沿要刻到 60：1的深孔，未来可能会更(gèng)深的孔或者沟槽，催生更多设(shè)备需求(qiú)。据(jù)东京电子披露，薄(báo)膜(mó)沉(chén)积设备及(jí)刻蚀(shí)占3D NAND产(chǎn)线资本开支合(hé)计(jì)为75％。自(zì)长(zhǎng)江(jiāng)存储被加入美国限制(zhì)名单，设备国产化进程加速(sù)，看好拓荆科技（薄膜沉积）等相关公司份额(é)提升，以及(jí)存储(chǔ)业务(wù)占比较高(gāo)的华(huá)海清科（CMP）、盛美上(shàng)海（清洗）等收(shōu)入增长。

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