大家好(hǎo)，来看一(yī)则突发(fā)消(xiāo)息(xī)。

　　美光公(gōng)司在(zài)华销售的产品未通过网(wǎng)络安全审(shěn)查(chá)

　　据网信办消(xiāo)息(xī)，日前，网络安全(quán)审查办公室依法对美光公司在(zài)华销售产品进(jìn)行了网络安全审查。

　　审查发现，美(měi)光公司产品存在(zài)较严(yán)重网络安全问题隐(yǐn)患，对我(wǒ)国(guó)关键信息基础(chǔ)设施供应链造成重大(dà)安全风险(xiǎn)，影响我(wǒ)国国家安全。为(wèi)此，网络安全审查办公室(shì)依法作出不予通过网络安全审查的(de)结论。按照《网络安全法(fǎ)》等(děng)法律法规，我国内关键(jiàn)信息(xī)基础设施(shī)的运营者应(yīng)停(tíng)止采购美光公(gōng)司(sī)产品。

　　此次对美光(guāng)公司产品进行网络安全(quán)审查，目(mù)的是防范产(chǎn)品(pǐn)网(wǎng)络(luò)安全问题危害(hài)国家关(guān)键(jiàn)信息基础设施安(ān)全，是(shì)维(wéi)护(hù)国家安全的必要措(cuò)施(shī)。中国坚定推进高(gāo)水平(píng)对外开放，只要遵(zūn)守中国法律法规要求，欢迎各国企业、各(gè)类平台产品服务进入中国市场(chǎng)。

　　3月31日，中国网信网发文(wén)称，为保障(zhàng)关键信(xìn)息基础(chǔ)设施供应链安全，防范(fàn)产品问题(tí)隐患造成网络安全风险，维护国家安全，依据《中华人(rén)民共和国国家(jiā)安(ān)全法》《中(zhōng)华人民(mín)共和国网络(luò)安(ān)全法》，网络安全审查办公(gōng)室按(àn)照《网络安全审查办法(fǎ)》，对美光公司（Micron）在华(huá)销售(shòu)的(de)产品实施网络(luò)安全审查。

　　美光是美(měi)国的(de)存储芯片行业龙头(tóu)，也(yě)是全球存(cún)储芯片巨头之一，2022年收入来自中国(guó)市场(chǎng)收(shōu)入从此前高峰57％降至(zhì)2022年约11％。根据市场咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电(diàn)子、 铠侠(xiá)、西部(bù)数据、SK 海力士、美(měi)光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市(shì)场(chǎng)份额约为(wèi) 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美(měi)光在全球 DRAM （内存）市场份额(é)约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市(shì)公司中(zhōng)，江波龙、佰维存(cún)储等公司披露(lù)过美光等国际存储(chǔ)厂商(shāng)为公司供应(yīng)商。

　　美(měi)光在江(jiāng)波龙采购(gòu)占(zhàn)比(bǐ)已经(jīng)显著下降，至(zhì)少已经不是主要大供应商。

　　公告(gào)显示， 2021年(nián)美光位列江波龙第一大存(cún)储(chǔ)晶圆供应30公分等于几厘米 30公分等于30厘米吗商，采购约31亿元，占比33.30公分等于几厘米 30公分等于30厘米吗52％；2022年(nián)，江波(bō)龙(lóng)第一大、第二大和第三大供应商采购金额(é)占比分(fēn)别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波龙已经在存储(chǔ)产业链(liàn)上(shàng)下(xià)游建立国(guó)内外(wài)广泛(fàn)合作。2022年年报显(xiǎn)示，江波龙与三星(xīng)、美光(guāng)、西(xī)部数据等主(zhǔ)要存(cún)储晶(jīng)圆原厂签(qiān)署了长期(qī)合约，确保存储晶圆供应的(de)稳定性，巩固公(gōng)司在下游市场的供(gōng)应优势，公(gōng)司也与(yǔ)国内国产存储(chǔ)晶圆原(yuán)厂武汉长江存储、合(hé)肥长鑫(xīn)保(bǎo)持良好的合作。

　　有(yǒu)券商此前就分析(xī)，如果美光在中国区销售(shòu)受到限制，或将(jiāng)导致下(xià)游客(kè)户转而(ér)采(cǎi)购国外三(sān)星、 SK海力(lì)士，国(guó)内长(zhǎng)江存储、长鑫存储等(děng)竞对产品

　　分析称，长存、长鑫的上游设备厂(chǎng)或从中受益。存储器的(de)生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经(jīng)进入(rù)3D NAND时(shí)代(dài)，2 维到3维的结构转变使刻蚀和(hé)薄膜成为最关(guān)键、最大(dà)量的加(jiā)工设备。3D NAND每层均需要经过(guò)薄膜沉积工艺步骤，同时刻蚀目前前沿要刻(kè)到 60：1的深(shēn)孔，未(wèi)来可能会更深的孔或者(zhě)沟(gōu)槽，催生更多设备需求。据东京电(diàn)子披露(lù)，薄膜(mó)沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合(hé)计为(wèi)75％。自长(zhǎng)江(jiāng)存储被加(jiā)入美国限制名(míng)单，设备国(guó)产化进程(chéng)加速，看(kàn)好拓荆科技（薄膜沉积(jī)）等相关公司(sī)份额提(tí)升，以及存储业务占(zhàn)比较(jiào)高的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长。

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