大家好，来看一则突发消息。

　　美(měi)光(guāng)公司在华销售的产品(pǐn)未通过网(wǎng)络安全(quán)审查

　　据(jù)网信办消息，日前，网络安全(quán)审查办(bàn)公(gōng)室(shì)依(yī)法对美光公司在华销售产品进行了网(wǎng)络安全审查。

　　审查(chá)发现，美光公司产品存在较严重(zhòng)网络安全问(wèn)题(tí)隐(yǐn)患，对(duì)我国关键信(xìn)息基础设施供应链(liàn)造成(chéng)重(zhòng)大安全风险，影响我(wǒ)国国家安全。为(wèi)此，网络安全(quán)审查办公室依法作(zuò)出不(bù)予通过网(wǎng)络安全审查的结论。按照《网络(luò)安全法(fǎ)》等(děng)法(fǎ)律法规，我(wǒ)国内n是什么化学元素，n是什么化学元素符号(nèi)关键信息基(jī)础设施(shī)的(de)运营者应停止采购(gòu)美光公司产品。

　　此次对美光公司产品进行网络安全(quán)审查(chá)，目的是防范产品网络安全问题危害(hài)国家(jiā)关键信(xìn)息(xī)基(jī)础设施(shī)安全，是维护(hù)国家安(ān)全的必要措施。中国坚(jiān)定推进高水平(píng)对外开(kāi)放，只要遵(zūn)守(shǒu)中国(guó)法律(lǜ)法规要(yào)求，欢迎各国企业(yè)、各类平台产品服务(wù)进入中国(guó)市场。

　　3月31日，中(zhōng)国网信网(wǎng)发文称，为保障(zhàng)关键信息基础(chǔ)设施(shī)供应链安全，防(fáng)范产品问(wèn)题隐患(huàn)造(zào)成网络安全风险(xiǎn)，维护国家安全，依据(jù)《中(zhōng)华人民(mín)共和国国家安全法》《中华人民共和(hé)国网络(luò)安(ān)全法(fǎ)》，网络安全审(shěn)查办公室(shì)按照(zhào)《网络(luò)安全审查办法》，对(duì)美光公司（Micron）在华销售的(de)产(chǎn)品实施网(wǎng)络(luò)安全审(shěn)查。

　　美光是美国的存储(chǔ)芯片行业龙(lóng)头，也是全球存(cún)储芯(xīn)片巨头之一，2022年收入来自(zì)中国市场收(shōu)入从此前高峰57％降至(zhì)2022年约11％。根据(jù)市场咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部(bù)数(shù)据、SK 海(hǎi)力士(shì)、美光、Solidigm 在(zài)全(quán)球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在(zài)全球(qiú) DRAM （内(nèi)存）市(shì)场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰(bǎi)维存储(chǔ)等(děng)公司披露过美光(guāng)等(děng)国际存储厂(chǎng)商为公司(sī)供应商。

　　美光在江波龙采(cǎi)购占比已经显著(zhù)下降(jiàng)，至少已经(jīng)不是主要大供应(yīng)商。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年美光位列江波龙第(dì)一大存(cún)储(chǔ)晶圆供应(yīng)商，采购约(yuē)31亿(yì)元，占比33.52％；2022年，江波龙(lóng)第一大、第二大(dà)和第三大供应商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波(bō)龙已经在存储产业链上下游建(jiàn)立(lì)国内外广(guǎng)泛合(hé)作。2022年(nián)年报显(xiǎn)示，江波龙(lóng)与(yǔ)三星(xīng)、美光、西(xī)部数(shù)据等主要(yào)存储(chǔ)晶(jīng)圆原厂签署(shǔ)了长期(qī)合(hé)约，确保存储晶(jīng)圆供应的(de)稳定(dìng)性，巩固公(gōng)司在下(xià)游市(shì)场的供应优势，公司也与国内国产(chǎn)存储晶(jīng)圆原厂武汉(hàn)长江(jiāng)存储、合肥长鑫保持良好(hǎo)的合作。

　　有券商此前(qián)就(jiù)分析，如果美光在中国区销售受到限(xiàn)制(zhì)，或将导致下游客户转而(ér)采购(gòu)国(guó)外(wài)三星、 SK海力士，国内长江存储、长鑫存(cún)储等竞(jìng)对产(chǎn)品

　　分(fēn)析称，长(zhǎng)存(cún)、长鑫的上游设备厂(chǎng)或从中受益(yì)。存储器(qì)的生产已经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在(zài)已(yǐ)经进入3D NAND时代，2 维到(dào)3维的结构转变(biàn)使刻蚀和薄膜成为最关键、最大量的加工(gōng)设(shè)备。3D NAND每(měi)层(céng)均需(xū)要(yào)经过薄膜沉积工艺步骤，同时(shí)刻蚀(shí)目前(qián)前(qián)沿(yán)要刻(kè)到 60：1的深孔，未来可能会更深的(de)孔或者(zhě)沟(gōu)槽，催生更多设备需求。据东京电子披露，薄膜(mó)沉积设备及(jí)刻(kè)蚀占3D NAND产线资本开支(zhī)合计为75％。自长江存(cún)储被加入美国(guó)限(xiàn)制名单，设备(bèi)国产化进程加速，看好拓(tuò)荆科技（薄膜沉积）等相关公司份额提升，以(yǐ)及存储业务占比较高的华(huá)海(hǎi)清科（CMP）、盛美上海（清洗(xǐ)）等收入增(zēng)长。

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