大家好，来看(kàn)一则突发消息。

　　美光(guāng)公司(sī)在华销售(shòu)的(de)产品(pǐn)未通过网络安(ān)全审查

　　据网信办消息，日前，网络安全审查办公(gōng)室依法对美光公(gōng)司在华(huá)销售(shòu)产品进行了网络安全审查。

　　审查发(fā)现，美(měi)光公(gōng)司产品(pǐn)存在较严重网络(luò)安(ān)全问题隐患，对(duì)我国(guó)关键信息(xī)基(jī)础设施供(gōng)应链造(zào)成重大安全风险，影(yǐng)响我国国家安全。为此，网络安全审查(chá)办公室依法作出不予通(tōng)过网(wǎng)络安全审查的(de)结论(lùn)。按照《网络(luò)安全法》等法律法规，我国(guó)内关键信息基础(chǔ)设施(shī)的运(yùn)营者应停止采购美光公司产品。

　　此(cǐ)次(cì)对美(měi)光公(gōng)司产品进行网(wǎng)络安(ān)全(quán)审查(chá)，目的是防范产品网(wǎng)络(luò)安(ān)全问题危害国家(jiā)关键信息基础设施安全，是(shì)维护国家安全的必要措施。中国(guó)坚定推进高水(shuǐ)平对外开放，只(zhǐ)要遵守中国法律法规(guī)要求(qiú)，欢迎各(gè)国企(qǐ)业、各(gè)类平台产品服务进(jìn)入中国市场。

　　3月(yuè)31日，中(zhōng)国(guó)网信网发文称，为(wèi)保障关键信息基础设(shè)施供(gōng)应链安全，防范产品问题(tí)隐患造成网络安全风险(xiǎn)，维(wéi)护(hù)国(guó)家(jiā)安全(quán)，依据《中华人(rén)民共和国国家安(ān)全法》《中(zhōng)华人民共(gòng)和国网络安全法》，网络安(ān)全审查办(bàn)公室按照《网络安全审查办(bàn)法》，对美光公司（Micron）在华销售的产(chǎn)品(pǐn)实施网络安全审查。

　　美光是美国的(de)存(cún)储芯片行业龙头，也是全球存储芯片巨头之一(yī)，2022年收入来自(zì)中国市场收入从(cóng)此前高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询机(jī)构 Omd祈使句例子英语，祈使句例子10个ia（IHS Markit）统计，2021 年三星(xīng)电子、 铠侠、西部(bù)数据、SK 海(hǎi)力士、美光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份(fèn)额约为 96.76％，三星(xīng)电子(zi)、 SK 海力士、美光在(zài)全球 DRAM （内存(cún)）市场(chǎng)份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股上市(shì)公(gōng)司中，江波龙(lóng)、佰维存储(chǔ)等公司披露(lù)过(guò)美光等(děng)国际存储厂商为公司供应(yīng)商。

　　美(měi)光在江(jiāng)波(bō)龙采购占比已经显著下降(jiàng)，至少已经(jīng)不(bù)是主要大供应(yīng)商。

　　公告显示， 2021年美(měi)光位列江(jiāng)波(bō)龙第一大存(cún)储晶(jīng)圆供应(yīng)商，采(cǎi)购约31亿(yì)元(yuán)，占比(bǐ)33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第一大、第二大和(hé)第三(sān)大供应商采购金(jīn)额占(zhàn)比分(fēn)别(bié)是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目(mù)前江波龙已经在存储产(chǎn)业链(liàn)上下(xià)游建立国内外广泛(fàn)合作。2022年年报显示，江波龙与三星、美光(guāng)、西部数据等主要(yào)存储(chǔ)晶(jīng)圆原厂签署(shǔ)了长期合约，确(què)保(bǎo)存储(chǔ)晶圆供(gōng)应(yīng)的稳定性(xìng)，巩(gǒng)固公司在下游市场的供应优势，公司也与国内国产存(cún)储晶圆原厂武(wǔ)汉长江存储(chǔ)、合(hé)肥长鑫保(bǎo)持良好的合(hé)作(zuò)。

　　有券商此前就分析(xī)，如(rú)果美光在中国区销(xiāo)售受(shòu)到限制，或将祈使句例子英语，祈使句例子10个导致下游客户转而采(cǎi)购国外三星、 SK海力士(shì)，国(guó)内(nèi)长江存储、长(zhǎng)鑫存储(chǔ)等竞(jìng)对产品

　　分析称，长存(cún)、长鑫的(de)上游设(shè)备(bèi)厂(chǎng)或从中(zhōng)受益。存储器的生产已(yǐ)经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外(wài)NAND Flash现在已经进入(rù)3D NAND时代，2 维到(dào)3维的结构(gòu)转变使刻蚀(shí)和薄膜成为最关键、最(zuì)大量的(de)加工设备。3D NAND每(měi)层均需(xū)要经过薄膜沉积工艺步(bù)骤(zhòu)，同时(shí)刻蚀(shí)目前前沿要刻到 60：1的深孔，未(wèi)来(lái)可(kě)能会更深的(de)孔或者沟槽(cáo)，催生更多(duō)设备(bèi)需求。据东京电子披露，薄膜沉积设备及刻蚀(shí)占(zhàn)3D NAND产线资(zī)本开(kāi)支合计(jì)为(wèi)75％。自(zì)长(zhǎng)江存(cún)储被加入美国限(xiàn)制名单，设备国产化进程加速(sù)，看好拓荆科技(jì)（薄(báo)膜沉积）等相关(guān)公司(sī)份(fèn)额提升，以及存储业务占比较高的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等(děng)收入(rù)增长。

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