大家(jiā)好，来看一则突发消(xiāo)息(xī)。

　　美光公司在(zài)华销(xiāo)售的产品未通过网络安全审查

　　据(jù)网信(xìn)办消(xiāo)息(xī)，日(rì)前(qián)，网络安全审查办公(gōng)室(shì)依法对美光公(gōng)司在(zài)华销售产品进行(xíng)了网络安全审查。

　　审查发现，美光公司(sī)产品存在(zài)较严(yán)重(zhòng)网络(luò)安全问题隐(yǐn)患，对我国关键信息基础设施供应链造成重大安全(quán)风险，影响我国(guó)国家安全。为此，网(wǎng)络安全审(shěn)查办公室依法作出不(bù)予通(tōng)过网络(luò)安全(quán)审查的结论。按照《网络安(ān)全法》等法律法规，我国(guó)内(nèi)关键(jiàn)信息基础设施的运营(yíng)者应(yīng)停止采购美(měi)光公司产(chǎn)品(pǐn)。

　　此(cǐ)次对美光公司产品进(jìn)行网络安(ān)全审查(chá)，目的是(shì)防范产品(pǐn)网络安全问题危害国家(jiā)关键(jiàn)信(xìn)息基础设(shè)施安全，是维(wéi)护国家安全的必要措施。中国坚(jiān)定推进高(gāo)水(shuǐ)平对外开放(fàng)，只要遵(zūn)守(shǒu)中国法(fǎ)律(lǜ)法规(guī)要(yào)求(qiú)，欢(huān)迎各国(guó)企业(yè)、各类平台产品服务进入中国市(shì)场。

　　3月(yuè)31日，中(zhōng)国网(wǎng)信网发文称(chēng)，为保(bǎo)障(zhàng)关键信(xìn)息基础设施(shī)供应链安(ān)全，防范产品问题隐(yǐn)患造成网络安全风(fēng)险，维护国家安全，依据《中华人民共(gòng)和国国家安全法》《中华人民(mín)共(gòng)和(hé)国网络安(ān)全法》，网络安全审查办公室按照《网络安全(quán)审查办法(fǎ)》，对美光公司（Micron）在华销(xiāo)售的产品实(shí)施(shī)网络安全(quán)审(shěn)查。

　　美光是美国的存储(chǔ)芯片行业龙头，也是全球存储芯片巨头之一，2022年收入(rù)来自中国市场收入从此前高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨(zī)询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海(hǎi)力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份(fèn)额(é)约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市场(chǎng)份额(é)约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市(shì)公司中，江波龙、佰维存储(chǔ)等公司披露过美光(guāng)等(děng)国际存储厂商为公(gōng)司供(gōng)应商(shāng)。

　　美(měi)光在(zài)江波龙采购占(zhàn)比已经显著下降，至少已经不是德先生赛先生指的是什么人，五四运动德先生赛先生指的是什么主要大供应商(shāng)。

　　公告显示， 2021年美光(guāng)位列江波龙第一(yī)大存储晶(jīng)圆供(gōng)应(yīng)商，采购约(yuē)31亿元，占比33.52％；2022年(nián)，江波龙第一大、第二(èr)大和(hé)第(dì)三大供应商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波龙(lóng)已经(jīng)在(zài)存储产业链上(shàng)下游建立国内外广泛合作。2022年年报显示，江波龙与三星、美光、西部(bù)数据等主要存(cún)储晶圆原厂签署了长期合(hé)约，确保存储晶圆供应(yīng)的稳定性(xìng)，巩固公司(sī)在(zài)下游市场的供应优势，公司也与国(guó)内国产存储晶圆原厂(chǎng)武(wǔ)汉长江存(cún)储、合肥长鑫保持(chí)良好的合作。

　　有券(quàn)商此前就分(fēn)析，如果美光(guāng)在中国区销售受(shòu)到限制(zhì)，或(huò)将(jiāng)导(dǎo)致下游客户转(zhuǎn)而(ér)采购国外(wài)三星、 德先生赛先生指的是什么人，五四运动德先生赛先生指的是什么SK海力士，国内长江存储(chǔ)、长鑫(xīn)存(cún)储等竞对(duì)产品

　　分(fēn)析称，长(zhǎng)存、长鑫的上游(yóu)设备厂(chǎng)或(huò)从中受益(yì)。存储器的生产(chǎn)已(yǐ)经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维(wéi)的结构转变使(shǐ)刻蚀(shí)和(hé)薄膜成为最关键、最大量(liàng)的加工设备。3D NAND每层(céng)均(jūn)需要经过薄膜沉积工艺(yì)步骤(zhòu)，同时刻蚀目前前(qián)沿要刻到 60：1的深孔，未来可能会更深的孔或者沟(gōu)槽，催生(shēng)更多设备需(xū)求。据东(dōng)京电子披露(lù)，薄膜沉(chén)积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计(jì)为75％。自(zì)长江存储被加入美(měi)国(guó)限制名单(dān)，设备国产化(huà)进程加速，看好拓荆科技（薄(báo)膜沉(chén)积）等相关公司份(fèn)额提(tí)升，以(yǐ)及存(cún)储业务占比较高的华海清科（CMP）、盛美(měi)上海（清洗）等(děng)收(shōu)入增长。

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