大家(jiā)好，来看(kàn)一则突(tū)发消(xiāo)息。

　　美光公(gōng)司在华销(xiāo)售的产品(pǐn)未通过(guò)网(wǎng)络安全审查(chá)

　　据网信(xìn)办消息，日前(qián)，网络安全(quán)审查办公室(shì)依(yī)法对(duì)美光公司在(zài)华销(xiāo)售产(chǎn)品进行了网络安(ān)全审查。

　　审查发现，美光公司(sī)产品(pǐn)存在(zài)较严重网(wǎng)络(luò)安全(quán)问题隐患，对(duì)我国关键信(xìn)息基础设施供(gōng)应链造成重大安全风险，影响我(wǒ)国国家安全(quán)。为此，网络安全审查办公室依法作出不予(yǔ)通过网络安全审(shěn)查的(de)结(jié)论。按照《网络安全法》等法律法规，我国内关(guān)键(jiàn)信(xìn)息基础设施的运营者应停止采购(gòu)美光公司产无功不受禄什么意思，无功不受禄下一句该怎么回答对方(chǎn)品(pǐn)。

　　此次对美光公司产(chǎn)品进行网络安全审查，目的是防范产品网络安全(quán)问(wèn)题危害(hài)国家关键信(xìn)息(xī)基(jī)础(chǔ)设施安全，是维护国家安(ān)全的(de)必要措施。中国坚定推进高(gāo)水平(píng)对外(wài)开(kāi)放，只要(yào)遵守中(zhōng)国法律法规要求，欢(huān)迎(yíng)各国企业、各类平台产品服(fú)务(wù)进入中(zhōng)国(guó)市场。

　　3月31日，中国网信网发文称，为保障(zhàng)关键信息基础设施供应链(liàn)安全，防范产(chǎn)品(pǐn)问(wèn)题隐无功不受禄什么意思，无功不受禄下一句该怎么回答对方患造成网络(luò)安全风险，维(wéi)护国家安全，依据(jù)《中(zhōng)华人民共和(hé)国国家安全法》《中华人民共和国网络安(ān)全法(fǎ)》，网络安全(quán)审(shěn)查办(bàn)公(gōng)室按照《网络安全审查办法》，对美光公司（Micron）在华销(xiāo)售的产品实施网(wǎng)络安全(quán)审(shěn)查。

　　美光是美国的存储芯(xīn)片行业(yè)龙头，也(yě)是全球(qiú)存储芯片巨头(tóu)之一，2022年收入来自中国市场收(shōu)入(rù)从此前高峰57％降(jiàng)至2022年(nián)约11％。根据(jù)市(shì)场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星(xīng)电子(zi)、 铠侠、西(xī)部数据、SK 海力士(shì)、美光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存(cún)）市场份额约为(wèi) 96.76％，三星(xīng)电(diàn)子、 SK 海力士、美光在全(quán)球 DRAM （内存(cún)）市场份额(é)约(yuē)为 94.35％。

　　A股(gǔ)上(shàng)市(shì)公司中，江波龙、佰维存储(chǔ)等(děng)公(gōng)司披露过美光等国(guó)际存储厂商为公司供(gōng)应商。

　　美光(guāng)在江波(bō)龙采购占比已经显著下降，至少已经不是主要大供应商。

　　公告显示(shì)， 2021年美光位列(liè)江波龙第一大存储晶(jīng)圆(yuán)供应商，采购约31亿(yì)元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波(bō)龙第一(yī)大、第二(èr)大(dà)和第三(sān)大供应商采购金额占(zhàn)比分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波龙已经(jīng)在存(cún)储产业链上下游建立国内外广泛合作(zuò)。2022年年报显示，江波龙与三(sān)星、美光、西部数(shù)据等主要存储晶圆原厂签署(shǔ)了(le)长期合约，确保存储晶圆(yuán)供(gōng)应的稳定性，巩(gǒng)固公(gōng)司在下(xià)游市场的供应优势，公司也与国内国产存(cún)储晶圆(yuán)原厂武(wǔ)汉长江存储、合(hé)肥长鑫保持良好的(de)合作。

　　有券(quàn)商此前(qián)就分析(xī)，如果美光(guāng)在中国区(qū)销(xiāo)售受到限制，或将导(dǎo)致下游客户转而采购国外三星、 SK海力士，国内长江(jiāng)存(cún)储、长鑫存储等竞对产(chǎn)品

　　分析称(chēng)，长存(cún)、长(zhǎng)鑫的上游(yóu)设备厂或从中(zhōng)受益。存储(chǔ)器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另外(wài)NAND Flash现在已经(jīng)进入3D NAND时代，2 维到(dào)3维的结构转变使刻(kè)蚀(shí)和薄膜(mó)成(chéng)为最关键(jiàn)、最大量的加工设备。3D NAND每层均需要(yào)经过(guò)薄膜沉积工艺步骤(zhòu)，同时刻蚀目前前(qián)沿要刻到 60：1的深孔(kǒng)，未(wèi)来可(kě)能(néng)会更深(shēn)的孔或者沟槽，催生(shēng)更多设备需求。据(jù)东(dōng)京电子(zi)披露，薄膜沉积设备(bèi)及刻(kè)蚀占(zhàn)3D NAND产线资本开支合计为75％。自(zì)长江存储被加入美(měi)国限制名(míng)单，设备国产化进程加速，看(kàn)好(hǎo)拓荆科技（薄(báo)膜(mó)沉积(jī)）等相关公司份额提升(shēng)，以及(jí)存储业务占(zhàn)比(bǐ)较高的(de)华海清科(kē)（CMP）、盛美上海（清(qīng)洗）等收入(rù)增(zēng)长。

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