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　　美光公司(sī)在华销(xiāo)售的产品未(wèi)通过网络安全审查

　　据网信办消(xiāo)息(xī)，日前，网络(luò)安全审查办公室依法对美光公司(sī)在华(huá)销售产品进行(xíng)了网络安全审(shěn)查。

　　审查(chá)发(fā)现，美(měi)光(guāng)公司(sī)产品存在较(jiào)严重网(wǎng)络安全问题隐患，对我国关键(jiàn)信息基础设施(shī)供应(yīng)链造(zào)成重大(dà)安全风(fēng)险，影响我国(guó)国(guó)家(jiā)安全。为此，网(wǎng)络(luò)安全审查办(bàn)公室依法作出不予通过(guò)网(wǎng)络(luò)安全(quán)审查的结论。按照《网络安全法(fǎ)》等法(fǎ)律(lǜ)法(fǎ)规，我国内关键信息基础设(shè)施的(de)运营(yíng)者(zhě)应停止采(cǎi)购美光公(gōng)司产品。

　　此次对美(měi)光公司产品进(jìn)行网络安(ān)全(quán)审(shěn)查，目的是(shì)防(fáng)范产品(pǐn)网络安全问题危(wēi)害国家关(guān)键信息基础设(shè)施安全，是维护国家安全的(de)必(bì)要(yào)措施。中(zhōng)国坚定推(tuī)进(jìn)高水平(píng)对(duì)外开放(fàng)，只(zhǐ)要遵守(shǒu)中(zhōng)国(guó)法律法(fǎ)规要求，欢(huān)迎各国企业、各类平台产(chǎn)品服务进入中(zhōng)国市场。

　　3月31日，中国网信网发文称(chēng)，为(wèi)保(bǎo)障关键信息基础设(shè)施供应链(liàn)安全，防范产品问(wèn)题隐(yǐn)患(huàn)造成网络安全风险，维护国家安全，依(yī)据(jù)《中华人(rén)民共和国国家安(ān)全法》《中华(huá)人(rén)民共和(hé)国网(wǎng)络(luò)安(ān)全法》，网络安全审查办公室按照(zhào)《网络安(ān)全审查办法》，对美光公(gōng)司（Micron）在华销售的产品实施网(wǎng)络安全(quán)审查。

　　美光(guāng)是美国的存储芯(xīn)片(piàn)行业龙头(tóu)，也是全球存(cún)储芯片巨头之一，2022年(nián)收入来自中(zhōng)国市场收入从此前高峰57％降(jiàng)至2022年约11％。根据市场咨(zī)询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星电子、 铠侠、西部(bù)数据、SK 海(hǎi)力士、美(měi)光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额(é)约为 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海力士、美(měi)光在全(quán)球(qiú) DRAM （内(nèi)存(cún)）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙(lóng)、佰维存储(chǔ)等(děng)公(gōng)司披露过美(měi)光(guāng)等国际存储厂商为公司供(gōng)应商(shāng)。

　　美(měi)光在(zài)江波龙采(cǎi)购(gòu)占比已经显(xiǎn)著下降(jiàng)，至(zhì)少(shǎo)已经不(bù)是(shì)主要大供(gōng)应(yīng)商。

　　公告显示(shì)， 2021年美(měi)光(guāng)位列江波龙第一大存储(chǔ)晶圆供应商，采购约31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年(nián)，江波(bō)龙第一大(dà)、第二大和第三(sān)大供(gōng)应商采购(gòu)金(jīn)额占(zhàn)比分四大灵猴的兵器叫什么名字(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙(lóng)已经在存储产(chǎn)业链上下游建立国(guó)内外广泛合作(zuò)。2022年年报(bào)显(xiǎn)示，江波龙与三星(xīng)、美光、西部数据等(děng)主要存(cún)储晶圆原厂签(qiān)署(shǔ)了长期合约(yuē)，确(què)保存(c四大灵猴的兵器叫什么名字ún)储晶(jīn四大灵猴的兵器叫什么名字g)圆供(gōng)应(yīng)的(de)稳定性，巩固(gù)公司在(zài)下游市场(chǎng)的(de)供应优势，公司也与国内国产存(cún)储晶(jīng)圆原厂武汉长江存储、合肥长鑫(xīn)保持良好的合作。

　　有券商此前就分析，如果美光在中国区(qū)销售受到限制，或将导(dǎo)致下游(yóu)客户转而采购国外(wài)三星、 SK海力士，国内长江存储、长(zhǎng)鑫存储等竞对产品

　　分析称(chēng)，长存、长鑫的上游设备厂或从中受(shòu)益。存储器(qì)的生产已经(jīng)演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺(yì)。另外NAND Flash现(xiàn)在已经进入(rù)3D NAND时代，2 维到(dào)3维的结构转变使刻蚀和薄膜成为最关键、最(zuì)大量(liàng)的加工设(shè)备。3D NAND每层(céng)均需要经过薄膜(mó)沉积工艺步(bù)骤，同时刻(kè)蚀目前前(qián)沿要刻到 60：1的深孔，未来可(kě)能会(huì)更深的(de)孔或(huò)者沟(gōu)槽，催(cuī)生更(gèng)多(duō)设备需求。据东京电子披(pī)露，薄膜沉积设备(bèi)及刻蚀占3D NAND产线资本开(kāi)支合(hé)计为75％。自长江存储被加(jiā)入美(měi)国限制名(míng)单，设备国产化进程加速，看好拓荆科技（薄(báo)膜沉积）等(děng)相关公司份(fèn)额提升，以及存(cún)储(chǔ)业务占比较高(gāo)的华海清科（CMP）、盛(shèng)美上(shàng)海（清(qīng)洗）等收入增长(zhǎng)。

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