大家好，来看一则突发消息。

　　美(měi)光公司在华销售的(de)产品未通过网络安全审查(chá)

　　据网信办消息，日前，网络(luò)安全审查办公室依法对美(měi)光(guāng)公(gōng)司在华销售产品进行了网络安全审(shěn)查。

　　审(shěn)查发现，美光(guāng)公司(sī)产品存在较严(yán)重网络安全(quán)问题隐(yǐn)患(huàn)，对我国关键(jiàn)信息(xī)基础设施供应链造(zào)成重大安全风险(xiǎn)，影响我(wǒ)国(guó)国家安(ān)全。为此，网络安全审(shěn)查办公室依法三衢道中古诗曾几的几,怎么读，曾几的三衢道中的意思作出不予通过网络(luò)安全审查的(de)结论。按照《网络安全法》等法律法规，我国内关键信息基础(chǔ)设施的运营者(zhě)应停止(zhǐ)采(cǎi)购美光公司产品。

　　此(cǐ)次对美(měi)光(guāng)公司产品(pǐn)进行网络安全审(shěn)查(chá)，目的是(shì)防范产品(pǐn)网络安全问题(tí)危害国家关键(jiàn)信息基础设施安全，是(shì)维护国家安全(quán)的必要措(cuò)施。中(zhōng)国坚定推(tuī)进(jìn)高(gāo)水平对外开放(fàng)，只要遵守中(zhōng)国(guó)法律法规要求，欢迎各国企业、各类平台产品服(fú)务(wù)进入中国市场。

　　3月(yuè)31日，中国网信网发文称，为保障关(guān)键信息(xī)基础设施供应链安全，防范(fàn)产品问(wèn)题隐(yǐn)患造成网络安全风险，维护国家安全，依据《中(zhōng)华(huá)人民共(gòng)和国(guó)国(guó)家安全法》《中华人民共(gòng)和国网络安全法》，网络安全审查(chá)办公(gōng)室(shì)按照《网络安(ān)全审(shěn)查办(bàn)法》，对(duì)美光公司（Micron）在华销售(shòu)的产(chǎn)品实施网络安全审(shěn)查。

　　美光是(shì)美国的(de)存储芯片行(xíng)业龙头，也是全(quán)球存储芯(xīn)片巨头之一，2022年收入来自中国市(shì)场收(shōu)入(rù)从此(cǐ)前高峰57％降(jiàng)至(zhì)2022年约11％。根据市场咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三(sān)星电子、 铠侠、西部数(shù)据、SK 海力士(shì)、美光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存(cún)）市场份额约为 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公(gōng)司中，江波(bō)龙、佰维存储等公司披露过美光等国际存储厂商为公(gōng)司(sī)供应商。

　　美光在江波龙采购占比已经显著(zhù)下降，至少已经不是主要大供应(yīng)商。

　　公告显示， 2021年美(měi)光位列江(jiāng)波龙(lóng)第一大存储晶圆供(gōng)应商，采购约31亿(yì)元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第一大、第(dì)二大和第三(sān)大供应商采购(gòu)金额(é)占(zhàn)比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波龙已经在存(cún)储产业链上下(xià)游建立国内外广(guǎng)泛合作。2022年年报显示(shì)，江波龙(lóng)与三星、美(měi)光、西部数据等主要存储晶圆(yuán)原厂签署了长期合约，确保存(cún)储晶圆供应的稳定性，巩固公司(sī)在(zài)下游市(shì)场的供应(yīng)优势，公司也与国内国产(chǎn)存储晶圆(yuán)原厂武汉长江存储、合(hé)肥长(zhǎng)鑫(xīn)保持良好的合作(zuò)。

　　有券商此前就分析，如果美光在中国区销售受到限制，或将导(dǎo)致下(xià)游客(kè)户转而采购(gòu)国外三星、 SK海(hǎi)力士，国(guó)内长(zhǎng)江存(cún)储、长鑫存储等(děng)竞对产(chǎn)品

　　分析称，三衢道中古诗曾几的几,怎么读，曾几的三衢道中的意思长存、长鑫的上游设备厂或从中受益(yì)。存储器的(de)生产已经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在(zài)已(yǐ)经进入(rù)3D NAND时代，2 维到3维的(de)结构转变(biàn)使刻(kè)蚀和薄膜成为最关键、最大量的加工设(shè)备。3D NAND每层均需要经(jīng)过(guò)薄(báo)膜沉(chén)积(jī)工艺步骤(zhòu)，同时刻蚀(shí)目前前(qián)沿要刻到(dào) 60：1的深孔，未来(lái)可能(néng)会更深(shēn)的孔或者沟(gōu)槽，催生更多设备需求。据东京电(diàn)子披露(lù)，薄(báo)膜(mó)沉(chén)积设备及刻蚀占3D NAND产线资本(běn)开支合计为75％。自长江(jiāng)存储被加(jiā)入美国限制名单，设(shè)备国产化进程加速，看(kàn)好拓荆科(kē)技（薄膜沉积）等相关(guān)公司份额提升(shēng)，以及存储业务占(zhàn)比(bǐ)较高(gāo)的华海清科（CMP）、盛(shèng)美上海（清洗(xǐ)）等收入增长。

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