大家好，来看一则(zé)突发消息(xī)。

　　美(měi)光公司在华(huá)销售的产品未通过网(wǎng)络安全审查

　　据(jù)网(wǎng)信办(bàn)消息，日前，网络安全审查(chá)办公(gōng)室依法对(duì)美(měi)光公司在(zài)华销售产(chǎn)品进行了网络(luò)安(ān)全审查。

　　审(shěn)查(chá)发现(xiàn)，美光公(gōng)司(sī)产品存在较严重网络安全问题隐患，对(duì)我国关键信息基础设施供(gōng)应链造(zào)成重大安全风险，影(yǐng)响我国国家(jiā)安(ān)全。为此，网络安全审(shěn)查(chá)办公室依法(fǎ)作(zuò)出不予通过网络安(ān)全审查的结(jié)论。按照《网络安全法》等法律(lǜ)法规，我国(guó)内关(guān)键信息基(jī)础设施的运营者应停止采购美光(guāng)公司产品。

　　此次对(duì)美(měi)光(guāng)公司产品进行网络安全审查，目的是防范产(chǎn)品网络安全问题(tí)危(wēi)害国家关键信(xìn)息基础设施(shī)安全，是维护国家安(ān)全的(de)必(bì)要措(cuò)施。中国坚定推进高水平对外(wài)开放，只要遵守中国法律法规要求，欢迎各(gè)国企业、各(gè)类平台产品(pǐn)服务(wù)进入中国市场。

　　3月31日，中国网信网发文(wén)称，为(wèi)保障关(guān)键(jiàn)信息(xī)基础设(shè)施供(gōng)应链安全，防范产品问(wèn)题隐患造(zào)成网络安全(quán)风险，维护国家安全，依据《中华人民共和(hé)国(guó)国(guó)家安全(quán)法》《中(zhōng)华人民(mín)共和国(guó)网络安全(quán)法》，网络(luò)安全审查办公室按照《网(wǎng)络安全审查办法》，对(duì)美光公司（Micron）在华(huá)销售的(de)产品实(shí)施网络安全审查。

　　美光是美国的(de)存储(chǔ)芯片行业龙(lóng)头，也是全球存储(chǔ)芯片巨头之(zhī)一，2022年收入来自(zì)中国市场(chǎng)收入(rù)从此前(qián)高峰(fēng)57％降至(zhì)2022年(nián)约11％。根据市场咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星(xīng)电子、 铠侠、西部数据、SK 海力(lì)士(shì)、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市(shì)场份额约为 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海(hǎi)力士(shì)、美光(guāng)在全球 DRAM （内存）市场份额(é)约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维存储(chǔ)等公司披露过美光等国际存(cún)储(chǔ)厂(chǎng)商为公司供应(yīng)商。

　　美光在江(jiāng)波龙(lóng)采(cǎi)购占比已经(jīng)显(xiǎn)著下降，至少已经不是主要大供应商(shāng)。

　　公告显示， 2021年美光位列江波龙第一(yī)大(dà)存储晶圆供应(yīng)商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙(lóng)第一大、第二大(dà)和第三大供应商采购金额(é)占比分别(bié)是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙(lóng)已经在存(cún)储产业链上下(xià)游建立国内外广泛合作。2022年年报显示，江波龙与三星、美光(guāng)、西部数(shù)据等主要存(cún)储(chǔ)晶圆原厂(chǎng)签署了长期合约，确(què)保存储晶圆(yuán)供应(yīng)的稳定性，巩固公司(sī)在下游市场的供应(yīng)优势，公司也与国内国产存储晶(jīng)圆(yuán)原(yuán)厂武汉长江存储(chǔ)、合肥(féi)长鑫(xīn)保持(chí)良好的合作。

　　有券商此前(qián)就(jiù)分析，如果美光在中国区销售受到限制(zhì)，或(huò)将导致(zhì)下游客户(hù)转而采(cǎi)购国(guó)外三(sān)星、 SK海力士，国(guó)内长江存储、长鑫存储等竞对产(chǎn)品(pǐn)上下红中间白的国旗是哪个国家的 国旗可以随便挂吗ne-height: 24px;'>上下红中间白的国旗是哪个国家的 国旗可以随便挂吗>

　　分析称，长存、长鑫的上游设(shè)备厂或从中受(shòu)益。存储器的生产已(yǐ)经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在(zài)已经进(jìn)入(rù)3D NAND时(shí)代，2 维到3维(wéi)的(de)结构转(zhuǎn)变使刻(kè)蚀(shí)和薄膜成为最关(guān)键、最大量(liàng)的加工(gōng)设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工艺(yì)步(bù)骤，同时刻蚀目(mù)前前沿要刻到(dào) 60：1的(de)深(shēn)孔，未来可能会更(gèng)深的孔或者沟槽(cáo)，催生更(gèng)多(duō)设备需(xū)求。据东京电(diàn)子披(pī)露，薄膜(mó)沉积设备及(jí)刻蚀占(zhàn)3D NAND产线(xiàn)资(zī)本开支(zhī)合(hé)计(jì)为75％。自长江存储被(bèi)加入美国限制名单(dān)，设备国产(chǎn)化进程加速，看好(hǎo)拓荆科技（薄(báo)膜沉积）等相关公司份额提升，以及存储业务(wù)占比较高的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗(xǐ)）等收入增长。

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