大家好，来看一则突发消(xiāo)息。

　　美光(guāng)公(gōng)司在华(huá)销售的产品未通过网络1km等于多少米 1km是不是1公里安(ān)全审(shěn)查

　　据(jù)网信办消息，日前，网络安全审(shěn)查(chá)办(bàn)公(gōng)室依(yī)法对美(měi)光公司在华销售产品进行了网络安全审查。

　　审查发(fā)现，美光公司产品存在(zài)较(jiào)严重(zhòng)网络安全问题隐患(huàn)，对我国关键信息基础设施供(gōng)应链造成(chéng)重(zhòng)大(dà)安全(quán)风险，影(yǐng)响我国(guó)国家安全。为此，网络安全审查办公室依法(fǎ)作出不予通过网络安全审查的结论(lùn)。按照《网络安全法》等法律(lǜ)法规，我国(guó)内(nèi)关键信息基础设施的运营者应停(tíng)止采购美(měi)光公司产品。

　　此次对美(měi)光公司产品进行网络(luò)安全(quán)审查，目的是防范产品网(wǎng)络(luò)安(ān)全(quán)问(wèn)题危害国家关键信息(xī)基础设施安全，是维护国(guó)家安全的必(bì)要(yào)措施(shī)。中国(guó)坚定(dìng)推进高水平对外开放，只(zhǐ)要遵守中国(guó)法律法(fǎ)规要求，欢迎各国企业、各类(lèi)平(píng)台产品服务(wù)进入中国市(shì)场。

　　3月(yuè)31日(rì)，中国网信网发文称(chēng)，为保障关键信息基础设施(shī)供(gōng)应链安全，防范产品问(wèn)题隐患造成(chéng)网络安全(quán)风险，维(wéi)护(hù)国家安全，依(yī)据《中华(huá)人民共和国国家安全法》《中(zhōng)华人民共(gòng)和国网1km等于多少米 1km是不是1公里(wǎng)络(luò)安全法(fǎ)》，网(wǎng)络安全审查办(bàn)公(gōng)室(shì)按(àn)照《网络安(ān)全(quán)审(shěn)查办法》，对美光公司(sī)（Micron）在华销售的产品实施网(wǎng)络安全审查。

　　美光是(shì)美国的存储芯片行业龙(lóng)头，也(yě)是全(quán)球存储芯片巨头之(zhī)一，2022年收入来自中(1km等于多少米 1km是不是1公里zhōng)国市场收(shōu)入从此前高(gāo)峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠(kǎi)侠、西(xī)部数(shù)据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存(cún)）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在(zài)全(quán)球(qiú) DRAM （内存）市场份(fèn)额约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维存储等公司披露(lù)过美光等(děng)国(guó)际存储厂商为公司供应商。

　　美光在江波龙采购占比(bǐ)已经显著下降，至少已经不是(shì)主要大供(gōng)应(yīng)商。

　　公告显示(shì)， 2021年美(měi)光位列江波龙第(dì)一大存储晶圆供应商，采(cǎi)购约(yuē)31亿(yì)元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙第一大、第(dì)二大和第(dì)三大供应商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波龙(lóng)已(yǐ)经在存储产业(yè)链上下游建立国(guó)内外广泛合作(zuò)。2022年年报显示，江波龙与三星、美光、西(xī)部数(shù)据等主要存储(chǔ)晶圆原厂签署了长(zhǎng)期(qī)合约(yuē)，确保(bǎo)存储晶圆供应的稳定性，巩固公司(sī)在下(xià)游市场(chǎng)的供应优势，公司也与国内国产存(cún)储晶圆原厂武汉长江存储、合肥长鑫保持良好的合作。

　　有券商(shāng)此前(qián)就分析，如果美光(guāng)在中国区销(xiāo)售(shòu)受到限制，或将导致下(xià)游客(kè)户(hù)转而采购国(guó)外三星、 SK海(hǎi)力士，国内长江存(cún)储、长鑫存储等竞对产品(pǐn)

　　分析称，长(zhǎng)存、长鑫的上游设(shè)备厂(chǎng)或从中受益(yì)。存储器的生产已经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工(gōng)艺。另外NAND Flash现在已经进入(rù)3D NAND时代(dài)，2 维到(dào)3维的结构(gòu)转变使(shǐ)刻蚀和薄膜成为(wèi)最(zuì)关键(jiàn)、最大量的加工设(shè)备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工艺步(bù)骤，同时刻蚀目前前(qián)沿要刻(kè)到 60：1的深孔，未来可(kě)能会(huì)更深(shēn)的孔或(huò)者沟槽(cáo)，催生更多设备需求。据东京电子披露，薄膜(mó)沉积设备及刻蚀占3D NAND产(chǎn)线资本开支合计为75％。自长江存储被加(jiā)入美国限制(zhì)名单，设备国产(chǎn)化进程加速(sù)，看好拓荆科技(jì)（薄膜沉积(jī)）等相关公司份额提升(shēng)，以(yǐ)及(jí)存(cún)储业(yè)务占(zhàn)比(bǐ)较(jiào)高(gāo)的华海清科(kē)（CMP）、盛(shèng)美(měi)上(shàng)海（清洗）等收入增长(zhǎng)。

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