大家(jiā)好，来看(kàn)一(yī)则(zé)突发消息。

　　美光(guāng)公司(sī)在华销售的(de)产(chǎn)品未(wèi)通过网络安全审(shěn)查<太深是一种什么体验，太深是不是不好/strong><太深是一种什么体验，太深是不是不好/p>

　　据网信(xìn)办消(xiāo)息，日前，网(wǎng)络安全审查办公室依法(fǎ)对美光公司在华销售产品进行(xíng)了(le)网(wǎng)络安全审查(chá)。

　　审查发现(xiàn)，美光公司产品存在(zài)较(jiào)严重网络安全问题隐患，对我国(guó)关(guān)键信息(xī)基础设施供应链造成重(zhòng)大安全风险，影响我(wǒ)国国(guó)家安(ān)全。为此，网络(luò)安全审查办公(gōng)室(shì)依法作(zuò)出不予通(tōng)过网络安全审查的(de)结论。按(àn)照《网络安全法》等法(fǎ)律(lǜ)法规，我国(guó)内(nèi)关键信息基础设施的运营者应停止采(cǎi)购美光(guāng)公司产(chǎn)品(pǐn)。

　　此次对美光公司产(chǎn)品(pǐn)进行(xíng)网络安全审查，目的(de)是(shì)防(fáng)范(fàn)产品(pǐn)网络安全问题危害(hài)国家关键信(xìn)息基础(chǔ)设施安全，是维护国家安全的(de)必要措施。中国坚定(dìng)推进高水平对外开放，只要遵(zūn)守(shǒu)中国法律法规要求，欢迎各国企业(yè)、各类平台产品服(fú)务进入中国市场。

　　3月31日(rì)，中国(guó)网信网发文称，为保障关键信息基础(chǔ)设施(shī)供应(yīng)链安全(quán)，防范产品问题(tí)隐患造成网络(luò)安全风险(xiǎn)，维(wéi)护国家安全(quán)，依据《中(zhōng)华人民共和国国(guó)家安全法》《中华人民共和国网络安(ān)全法(fǎ)》，网(wǎng)络安全审查(chá)办公(gōng)室(shì)按照《网(wǎng)络安全(quán)审查办法》，对美光公(gōng)司（Micron）在华(huá)销售的产品实施网络安(ān)全审查。

　　美(měi)光是美国的存储芯片行业(yè)龙头，也是全球存储芯片巨头之(zhī)一，2022年收入(rù)来(lái)自(zì)中国市场收入从此前(qián)高峰57％降至(zhì)2022年(nián)约11％。根据市场咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星电子、 铠侠(xiá)、西部数据、SK 海力士(shì)、美(měi)光(guāng)、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市(shì)场份额(é)约为 96.76％，三星(xīng)电(diàn)子、 SK 海(hǎi)力士、美(měi)光在(zài)全(quán)球 DRAM （内(nèi)存）市场份额约(yuē)为 94.35％。

　　A股上(shàng)市(shì)公司中，江波龙、佰维存储等公司(sī)披露过美光等国际存储厂(chǎng)商为公(gōng)司供(gōng)应商。

　　美光在江(jiāng)波龙采购占比已经显著下降，至少已经不是主要大供应商。

　　公告(gào)显示， 2021年美光(guāng)位列江波龙(lóng)第(dì)一大存储晶圆供应商，采(cǎi)购约31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第一大(dà)、第二大和第(dì)三大(dà)供应商采(cǎi)购金额占比分别(bié)是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江(jiāng)波龙已经在存储产业(yè)链(liàn)上下游(yóu)建立(lì)国内外广泛合作(zuò)。2022年年(nián)报(bào)显(xiǎn)示，江波龙与三星、美(měi)光、西部数据(jù)等(děng)主要存储晶圆原厂签署(shǔ)了长期(qī)合约，确保存储晶圆(yuán)供应(yīng)的稳定(dìng)性(xìng)，巩固公司在下游市场的供应优势，公司也与国内国产存(cún)储晶圆原厂武汉长江(jiāng)存储、合(hé)肥长鑫保持(chí)良好的合作。

　　有券商此前就分(fēn)析，如果美(měi)光在(zài)中(zhōng)国区销售受到限制，或将导致下游客户(hù)转而(ér)采购国外(wài)三星(xīng)、 SK海力士，国内长江存(cún)储、长(zhǎng)鑫(xīn)存(cún)储(chǔ)等(děng)竞对产(chǎn)品

　　分析(xī)称，长存、长鑫的上游设备(bèi)厂或从中受益。存储(chǔ)器的生产已经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结(jié)构转变使刻蚀和薄膜(mó)成(chéng)为最关(guān)键(jiàn)、最(zuì)大量的(de)加工设备。3D NAND每层均需(xū)要(yào)经过(guò)薄膜沉积(jī)工艺步骤，同时刻蚀(shí)目(mù)前前沿要刻到 60：1的深孔(kǒng)，未来可能会更深的孔或者沟槽，催生(shēng)更(gèng)多设备(bèi)需求。据东京电子披露，薄膜(mó)沉(chén)积设备及刻(kè)蚀占3D NAND产线资(zī)本开支(zhī)合计为75％。自(zì)长(zhǎng)江存储被加(jiā)入美(měi)国限(xiàn)制(zhì)名单，设备(bèi)国产化进程加速，看好拓荆科技（薄膜沉积）等(děng)相关公司份额提升(shēng)，以及存储业务占比较高的(de)华海清科(kē)（CMP）、盛(shèng)美上海（清洗）等(děng)收入增长(zhǎng)。