大家好，来看(kàn)一则突(tū)发消息(xī)。

　　美光公司在华销售的(de)产(chǎn)品未通过网络(luò)安全(quán)审查

　　据网信办消息，日前，网络安(ān)全审查办公室依法对美(měi)光(guāng)公司在(zài)华销售产(chǎn)品进行(xíng)了网络安全审查。

　　审查(chá)发(fā)现(xiàn)，美光公司(sī)产品存在(zài)较(jiào)严重网络安全问题(tí)隐患(huàn)，对我国关键(jiàn)信息基础设施(shī)供应链造成重大安全风(fēng)险(xiǎn)，影响我(wǒ)国国家(jiā)安(ān)全。为此(cǐ)，网(wǎng)络安全审查办公室(shì)依法作出不予通过网络安全(quán)审查的结(jié)论。按照《网络(luò)安全法》等法律法规，我国内关键信息基础设(shè)施的(de)运(yùn)营者应停(tíng)止采购(gòu)美光公司产品。

　　此次对美(měi)光公司产品进行(xíng)网络安(ān)全审查，目的是防范产(chǎn)品网络安全问题(tí)危害国(guó)家(jiā)关键信息基础设施安(ān)全，是维护国家安全的(de)必要措施。中国坚定推进高水平对(duì)外(wài)开放(fàng)，只要遵守中国法律(lǜ)法规要(yào)求(qiú)，欢迎各(gè)国企(qǐ)业、各(gè)类平台产品服务进入(rù)中(zhōng)国市场。

　　3月31日，中国网(wǎng)信网发文(wén)称(chēng)，为保障关键(jiàn)信息基础设施供应链安全，防范产品问题(tí)隐患造成网络(luò)安(ān)全风险，维护国家安全，依据《中(zhōng)华人民共和(hé)国国家安全(quán)法》《中华人民共和国网络安(ān)全法(fǎ)》，网(wǎng)络安全审查办公(gōng)室(shì)按照《网络安全审(shěn)查办法》，对美光公(gōng)司（Micron）在华销售的产品实施(shī)网络安(ān)全(quán)审查。

　　美光是美(měi)国的存储芯(xīn)片行(xíng)业(yè)龙头，也是全球(qiú)存储芯片(piàn)巨头之(zhī)一，2022年(nián)收入来(lái)自(zì)中(zhōng)国市场(chǎng)收入从此(cǐ)前高峰57％降至(zhì)2022年约11％。根(gēn)据(jù)市场咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年(nián)三(sān)星电子、 铠侠、西部数据(jù)、SK 海力士、美光(guāng)、Solidigm 在全(q印第安人还存在吗，印第安人现在还有没有uán)球 NAND Flash （闪存）市(shì)场份额约为 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海(hǎi)力士、美光在全球(qiú) DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司中，江波龙、佰维存储等(děng)公司披露(lù)过(guò)美光等国际存储厂(chǎng)商(shāng)为公司供应商(shāng)。

　　美光(guāng)在江(jiāng)波(bō)龙采购占比(bǐ)已经显(xiǎn)著下降，至少(shǎo)已经不(bù)是(shì)主要大(dà)供应(yīng)商(shāng)。

　　公(gōng)告显示(shì)， 2021年美光位列江波龙(lóng)第一大存(cún)储晶圆供应商，采(cǎi)购约31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波龙第一(yī)大、第二大和第三大供应(yīng)商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波龙已经在存储产业链上下游建立国内外广泛(fàn)合作。2022年年报显示(shì)，江波龙与(yǔ)三星、美(měi)光、西部数据等主(zhǔ)要存储晶圆原厂签署(shǔ)了长期合约，确保(bǎo)存储(chǔ)晶圆(yuán)供应的(de)稳定(dìng)性，巩固(gù)公司(sī)在下游市场的供应优势，公(gōng)司(sī)也与(yǔ)国内国产存储晶圆原厂(chǎng)武汉长江存储、合肥长鑫保持良好的合作。

　　有券(quàn)商此(cǐ)前就分析(xī)，如果美光(guāng)在中国区销(xiāo)售(shòu)受到限制，或将导致下游客户转而采购国(guó)外(wài)三星、 SK海(hǎi)力(lì)士，国内长(zhǎng)江存储、长鑫存储(chǔ)等竞对产品(pǐn)

　　分析称，长存、长鑫(xīn)的上游设(shè)备厂或从中受益(yì)。存储(chǔ)器的生产已经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺。另(lìng)外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到(dào)3维的(de)结构转变使刻蚀和薄膜成为最关键、最(zuì)大量的(de)加工(gōng)设备。3D NAND每层均(jūn)需要经过薄膜(mó)沉积(jī)工艺(yì)步骤，同时(shí)刻(kè)蚀目(mù)前前(qián)沿要刻到 60：1的深孔，未来(lái)可能会印第安人还存在吗，印第安人现在还有没有更深的孔或者沟槽，催生(shēng)更多设备需求(qiú)。据(jù)东京电子(zi)披露，薄膜沉(chén)积设备(bèi)及刻(kè)蚀占3D NAND产线资本开支(zhī)合计为75％。自长江(jiāng)存储被(bèi)加入美国限制名单，设备国产(chǎn)化进程加速，看好(hǎo)拓荆科技（薄(báo)膜沉(chén)积）等相关公司(sī)份额(é)提升(shēng)，以及存储业务(wù)占(zhàn)比较高的华海清科（CMP）、盛美(měi)上海（清洗(xǐ)）等(děng)收入增长。

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