大家好，来看一则突发(fā)消(xiāo)息(xī)。

　　美光公司在华销售的产品未通过网络(luò)安全审查

　　据网(wǎng)信办消息，日前，网络安全审查办(bàn)公室(shì)依(yī)法对美光(guāng)公司在(zài)华销售产品(pǐn)进行了网络安全(quán)审查(chá)。

　　审(shěn)查发现，美光公(gōng)司产品(pǐn)存在较严重网络安全问题隐患，对我国关(guān)键(jiàn)信息基础设施供应(yīng)链造成重大安全风险，影响我国国(guó)家安(ān)全。为此，网络安全审查办公室依法作(zuò)出不予通过网络安全审(shěn)查的结(jié)论。按照《网络安全(quán)法》等法律(lǜ)法(fǎ)规，我(wǒ)国内关键信息基础设(shè)施(shī)的运营(yíng)者应(yīng)停止(zhǐ)采购美光公司产品。

　　此次对美光(guāng)公司产(chǎn)品进行(xíng)网(wǎng)络安全审查(chá)，目的是(shì)防范产品网(wǎng)络安全问题危害国(guó)家关(guān)键(jiàn)信息基础设(shè)施安全，是维(wéi)护国家(jiā)安全的必要措施。中国(guó)坚(jiān)定推进高水平对外开(kāi)放，只要遵守中国法律法规(guī)要(yào)求，欢迎各国(guó)企业、各类平台产品服务进入(rù)中(zhōng)国(guó)市场。

　　3月31日，中(zhōng)国网(wǎng)信网发(fā)文称，为保障关键信(xìn)息基础(chǔ)设施供应链安全，防范(fàn)产品问(wèn)题隐患造成网络安全风险，维(wéi)护国(guó)家安全，依(yī)据《中华人民共和国国家安全法》《中华(huá)人民共和国网络安全法》，网络安(ān)全审查办公室(shì)按照《网(wǎng)络安全审查(chá)办法》，对美光(guāng)公司（Micron）在华销售的产品实施网(wǎng)络安全审查。

　　美光是(shì)美国的存储芯片行业龙头(tóu)，也(yě)是全球存储芯片巨头(tóu)之一(yī)，2022年收入来(lái)自中(zhōng)国市场收入从此前(qián)高峰57％降至2022年约11％。根(gēn)据(jù)市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星电(diàn)子、 铠侠、西部数据(jù)、SK 海力(lì)士、美(měi)光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存(cún)）市场份额约(yuē)为 96.76％，三(sān)星(xīng)电子、 SK 海力士(shì)、美光在全球(qiú) DRAM （内存）市场(chǎng)份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波(bō)龙、佰维(wéi)存储(chǔ)等(děng)公(gōng)司披(pī)露过美光等国(guó)际存储(chǔ)厂商为公司供(gōng)应(yīng)商。

　　美光(guāng)在江(jiāng)波龙(lóng)采购占比杨梅是高糖还是低糖，杨梅是高糖还是低糖水果已经显著下降，至少已(yǐ)经不是主要大供应商。

　　公告显示， 2021年美光位列江波龙(lóng)第一大存储(chǔ)晶圆供(gōng)应商，采(cǎi)购(gòu)约31亿元，占比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙(lóng)第(dì)一大、第二大(dà)和第三大供应商采购金(jīn)额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产(chǎn)业链上下游建立国内外广泛合作。2022年年报(bào)显示，江(jiāng)波龙与三星、美(měi)光(guāng)、西部数(shù)据等主要(yào)存储(chǔ)晶圆(yuán)原厂签署了长期合约(yuē)，确保存储晶圆(yuán)供(gōng)应的稳定性，巩固公司在下游市场(chǎng)的(de)供(gōng)应优势，公司也与国内国产存储晶圆原厂武汉长江(jiāng)存储、合(hé)肥长鑫保持(chí)良好(hǎo)的(de)合作。

　　有券(quàn)商(shāng)此(cǐ)前就分析(xī)，如(rú)果美光在中国区销(xiāo)售受到限制，或将(jiāng)导致下游客户转而采购(gòu)国外三星(xīng)、 SK海(hǎi)力士，国内长(zhǎng)江存(cún)储、长鑫(xīn)存储等竞(jìng)对产品(pǐn)

　　分(fēn)析称，长存、长(zhǎng)鑫的上游设备厂或(huò)从(cóng)中受益。存储器的(de)生产已经演进(jìn)到(dào)1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工(gōng)艺。另外NAND Flash现在(zài)已经进入3D NAND时(shí)代(dài)，2 维到3维的结构转变使刻蚀和薄膜成(chéng)为最(zuì)关键、最大量的加工设备。3D NAND每层均(jūn)需要经过薄膜沉积工艺步骤，同(tóng)时刻(kè)蚀目(mù)前前沿要刻到(dào) 60：1的深孔(kǒng)，未来(lái)可(kě)能会(huì)更深的(de)孔或者沟(gōu)槽，催(cuī)生更多设备需求。据东京(jīng)电(diàn)子披露(lù)，薄(báo)膜(mó)沉积设备(bèi)及刻蚀占3D NAND产线资(zī)本开支合(hé)计为75％。自长江存储(chǔ)被加入美(měi)国限制名(míng)单，设备国产化进(jìn)程(chéng)加速，看好(hǎo)拓荆科(kē)技(jì)（薄膜(mó)沉积(jī)）等相关公司(sī)份额提升，以及存(cún)储(chǔ)业务占比(bǐ)较(jiào)高的(de)华海清科（CMP）、盛(shèng)美上海（清洗）等收入增长。

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