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　　美光公司在华(huá)销售的产品(pǐn)未(wèi)通过网络安全审(shěn)查

　　据网信(xìn)办消息，日前，网络(luò)安全审查办公(gōng)室依(yī)法对美光公(gōng)司在华销售产品进行了(le)网络安全审(shěn)查。

　　审查发(fā)现(xiàn)，美光(guāng)公司产品存在较(jiào)严重(zhòng)网络安全问题隐患，对我(wǒ)国关键(jiàn)信息基础设(shè)施供应链造成重大安全风险，影响我国国家安全。为此(cǐ)，网络安(ān)全审查办(bàn)公室依法作出不予通(tōng)过网络安全审查(chá)的结论。按照《网络(luò)安全法》等法律法规，我(wǒ)国内(nèi)关键信息基础设施的(de)运营者应停止采购美光公司(sī)产品。

　　此次对美光(guāng)公司产品进行网络安全审查，目的是防(fáng)范产品网(wǎng)络安全(quán)问(wèn)题危(wēi)害国家(jiā)关(guān)键信息基础设施安全，是维护(hù)国家安全的必(bì)要措施(shī)。中国(guó)坚定推(tuī)进高水平对(duì)外开放，只要遵守中国(guó)法律法规要求，欢迎各国(guó)企(qǐ)业、各类平(píng)台产(chǎn)品服务进入中国(guó)市场。

　　3月31日，中国网信网(wǎng)发文称(chēng)，为保障关键信息基础设施供应链安全，防范(fàn)产品问题隐患造成网(wǎng)络(luò)安全风险(xiǎn)，维护(hù)国家安全，依据(jù)《中华人民共(gòng)和国国(guó)家安全法》《中华人(rén)民共和国网络(luò)安全法》，网络安(ān)全审查办公(gōng)室按照《网络安全(quán)审查办法(fǎ)》，对美光公司（Micron）在(zài)华销售的产品(pǐn)实施网络安(ān)全(quán)审查(chá)。

　　美光是美国的存(cún)储芯片行(xíng)业(yè)龙(lóng)头，也是(shì)全球存储芯片巨头之一，2022年收入来自中国市场(chǎng)收入从此前高峰57％降至(zhì)2022年约11％。根据(jù)市场咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星电子、碳酸银是不是沉淀 碳酸银在水中是沉淀吗 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全(quán)球(qiú) NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份额约(yuē)为 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海力士、美(měi)光(guāng)在全球(qiú) DRAM （内存）市场份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市(shì)公(gōng)司中，江波龙、佰维存(cún)储等公司披露(lù)过美(měi)光(guāng)等国(guó)际(jì)存(cún)储厂(chǎng)商为公司供应商。

　　美光在江波(bō)龙(lóng)采购占(zhàn)比(bǐ)已经显著下降，至少(shǎo)已经(jīng)不是主要大供应商。

　　公告显示， 2021年(nián)美光位列江波龙第一大存储晶圆(yuán)供应商，采购约31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第一大、第二大(dà)和(hé)第三(sān)大(dà)供应商(shāng)采(cǎi)购(gòu)金额占比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产(chǎn)业链上下游建(jiàn)立国内外广泛合(hé)作。2022年年(nián)报显示，江(jiāng)波龙与三星(xīng)、美光、西部数据等主要存储晶(jīng)圆原厂签(qiān)署了长期合约，确保存储(chǔ)晶(jīng)圆供应的(de)稳定性，巩固公司在(zài)下游市场的供应优势，公(gōng)司也与国内国产存储晶圆(yuán)原厂武汉(hàn)长江存储、合肥长鑫保(bǎo)持良好的合作。

　　有(yǒu)券商(shāng)此前就分析，如果美光在中国区销售受到限(xiàn)制，或将导致下游(yóu)客户转而采(cǎi)购国外三星、 SK海力士(shì)，国(guó)内长江存储(chǔ)、长鑫存储等竞对产品

　　分析称，长存、长(zhǎng)鑫的上游(yóu)设备厂或从(cóng)中受益。碳酸银是不是沉淀 碳酸银在水中是沉淀吗rong>存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现在(zài)已经进入(rù)3D NAND时代，2 维(wéi)到3维的(de)结(jié)构转变使刻蚀和薄膜成为最关键、最大量的加工(gōng)设备。3D NAND每层均(jūn)需要经过(guò)薄膜沉积(jī)工艺步骤(zhòu)，同时刻蚀目前前(qián)沿要刻到 60：1的深孔，未来可能会更(gèng)深的孔或者沟槽，催生更多设备(bèi)需求。据东京电子披露，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资(zī)本(běn)开支合计为75％。自(zì)长江(jiāng)存储(chǔ)被加入(rù)美国(guó)限制(zhì)名(míng)单，设备国产化进程加(jiā)速，看好拓荆科(kē)技（薄膜沉积）等(děng)相关公司份额(é)提升，以及(jí)存储业务占比较高的华海清科（CMP）、盛美上(shàng)海（清洗）等收入增(zēng)长。