大家好，来看一则突发消息。

　　美光(guāng)公司(sī)在(zài)华销(xiāo)售的产品未通(tōng)过网络安(ān)全审(shěn)查

　　据网(wǎng)信(xìn)办(bàn)消息，日前，网(wǎng)络安全审查办公(gōng)室依法对美(měi)光公(gōng)司在华销售产品进行了网络安(ān)全(quán)审查。

　　审(shěn)查发现，美(měi)光公司产(chǎn)品(pǐn)存在较严重网络安全(quán)问题隐患，对我国关键信息基础设施供应链造成重大安全风险，影响我(wǒ)国国家安全。为此，网(wǎng)络安全审查办公室依法作(zuò)出不予通过网络安全审查的结论(lùn)。按照《网络安全法(fǎ)》等法(fǎ)律法(fǎ)规，我(wǒ)国内(nèi)关(guān)键信(xìn)息基础设施的运营者应停止采(cǎi)购美光公司产品(pǐn)。

　　此次对美光(guāng)公司产品进行网络安全审查(chá)，目的是防范产品(pǐn)网(wǎng)络安全(quán)问题危害(hài)国家关(guān)键信息基(jī)础设施安全，是维护国(guó)家安全的必要措(cuò)施。中国(guó)坚定推(tuī)进高水(shuǐ)平对外开(kāi)放(fàng)，只要遵守中国法律法规要求，欢迎各国企业、各(gè)类平(píng)台(tái)产品服(fú)务进(jìn)入中国市场。

　　3月31日，中国网信(xìn)网发文称(chēng)，为保障关键(jiàn)信息(xī)基础设施供应(yīng)链安全，防范(fàn)产品问题(tí)隐患造成网络安全(quán)风险，维护国家安全，依(yī)据《中华人民共和国国家(jiā)安全(quán)法(fǎ)》《中华人民共和(hé)国网络安全(quán)法》，网络安全审查办(bàn)公室按照《网(wǎng)络安全审查办法》，对(duì)美光公司（Micron）在华销售(shòu)的产品实施网络安全审查。

　　美光是美国(guó)的(de)存(cún)储芯片行业龙头，也是全球存储芯片(piàn)巨头之(zhī)一(yī)，2022年收入(rù)来自中(zhōng)国市场收入从此前高峰(fēng)57％降至(zhì)2022年约11％。根(gēn)据(jù)市场咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年(nián)三(sān)星(xīng)电子(zi)、 铠侠、西(xī)部数(shù)据、SK 海力(lì)士(shì钠的摩尔质量是多少，碳酸钠的摩尔质量)、美光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市(shì)场份额(é)约为 96.76％，三星电子、 SK 海力(lì)士、美(měi)光在全球(qiú) DRAM （内存(cún)）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市(shì)公司中，江波龙、佰维存储(chǔ)等公司披露过(guò)美光等国(guó)际存储厂商为公司供应商(shāng)。

　　美光在江波龙采购(gòu)占比已经显著下降，至(zhì)少已经不(bù)是主(zhǔ)要大(dà)供(gōng)应商。

　　公(gōng)告显示(shì)， 2021年美(měi)光位列江波龙第一大(dà)存储(chǔ)晶圆供应商(shā钠的摩尔质量是多少，碳酸钠的摩尔质量ng)，采购(gòu)约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第(dì)一(yī)大、第二(èr)大和第(dì)三大供应商(shāng)采(cǎi)购(gòu)金额(é)占比分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波(bō)龙已(yǐ)经在存储产业链上下游(yóu)建(jiàn)立国内外广泛合(hé)作。2022年年报显示，江波龙与(yǔ)三星(xīng)、美光(guāng)、西部数(shù)据(jù)等(děng)主要存储晶圆原(yuán)厂签署了长期合约(yuē)，确保存储晶圆(yuán)供应的稳(wěn)定性，巩(gǒng)固公司在下游市(shì)场的供应(yīng)优势，公司也与(yǔ)国内(nèi)国产存储晶圆原厂(chǎng)武汉(hàn)长江存储、合肥长鑫保持良(liáng)好的(de)合作。

　　有券商(shāng)此前就(jiù)分析，如(rú)果美光在(zài)中国区销(xiāo)售受到限制(zhì)，或将导致下游客户(hù)转而采购国外三星、 SK海力士，国内长(zhǎng)江存储、长鑫(xīn)存储等竞(jìng)对产品

　　分析称(chēng)，长存、长鑫(xīn)的(de)上游设备厂或从(cóng)中受益。存储器(qì)的生(shēng)产已经演(yǎn)进(jìn)到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺(yì)。另外NAND Flash现在已(yǐ)经进入3D NAND时代，2 维到3维的(de)结构转变(biàn)使刻(kè)蚀和薄(báo)膜成为最关(guān)键、最大(dà)量的加工设备。3D NAND每(měi)层均需要经(jīng)过薄膜沉(chén)积工艺步骤，同时刻蚀目前前(qián)沿要(yào)刻到 60：1的(de)深孔，未(wèi)来可能会更深的孔(kǒng)或者沟(gōu)槽，催(cuī)生更多设备(bèi)需求。据东京电子披露，薄膜沉积设备及(jí)刻蚀占3D NAND产线资本开支合(hé)计(jì)为75％。自长(zhǎng)江存储被加(jiā)入美国(guó)限制名单，设备国产化进程加速，看好拓(tuò)荆科技（薄膜沉积(jī)）等相关公司份(fèn)额提(tí)升，以及存储业(yè)务(wù)占比较高的(de)华海清科（CMP）、盛美(měi)上海（清洗）等(děng)收(shōu)入增长(zhǎng)。

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